公开(公告)号：JP2007194087A

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：JP2006011663

申请日：2006-01-19

Applicant: Matsushita Electric Ind Co Ltd ,  松下電器産業株式会社

Inventor： HIROSE YUTAKA ,  TAKIGAWA SHINICHI

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J29/92 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0494 ,  H01J2329/92

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission device high in electron emission efficiency. SOLUTION: The device 100 includes: a SiC substrate 11 having a region 17 with its surface or inside exposed, and having a (0001) surface as a principal surface; an electron emission layer 12 formed on a C surface of the substrate 11 and formed out of carbon; and an electrode 18 formed in the region 17. The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11. The electron emission layer 12 is formed in a part of the C surface of the substrate 11, and the electrode 18 may be formed in a region of the C surface of the substrate 11 where the electron emission layer 12 is not formed. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供高电子发射效率的电子发射装置。 解决方案：装置100包括：SiC衬底11，其具有其表面或内部暴露的区域17，并且具有（0001）表面作为主表面; 形成在基板11的C表面上并由碳形成的电子发射层12; 以及形成在区域17中的电极18.电极18可以形成在基板11的Si表面上。电子发射层12形成在基板11的C表面的一部分中，电极18可以是 形成在不形成电子发射层12的基板11的C表面的区域中。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3936841B2

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：JP2000538369

申请日：1999-03-22

Applicant: コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー

Inventor： キ キム，ヨン ,  サン ジュン，ナム ,  チャエ，ギュン ,  ヒヨン チョウ，ギュ ,  ウン ホン，ジョン ,  タク リュウ，サング ,  ハ リョウ，タエ

IPC: H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J1/304 ,  H01J29/18 ,  H01J29/74 ,  H01J29/87

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP2007066892A

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：JP2006225758

申请日：2006-08-22

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： HWANG SEONG-YEON

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission device improving uniformity of electron emission of respective pixels, an electron emission display device including the electron emission device and a method for manufacturing the electron emission display device. SOLUTION: The electron emission device 104 is provided with: a cathode electrode 14; a gate electrode 28 arranged to be electrically isolated from the cathode electrode 14; an electron emission portion 20; and a resistive layer 22 electrically connected to the cathode electrode 14 and the electron emission portion 20, the resistive layer 22 being made of a metal oxide or a metal nitride. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：提供一种提高各像素的电子发射均匀性的电子发射装置，包括电子发射装置的电子发射显示装置和用于制造电子发射显示装置的方法。 解决方案：电子发射器件104设置有：阴极14; 布置成与阴极电极14电隔离的栅电极28; 电子发射部分20; 以及与阴极14和电子发射部分20电连接的电阻层22，电阻层22由金属氧化物或金属氮化物制成。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3793219B2

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：JP2005135104

申请日：2005-05-06

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： シアソン、ピーター・シー ,  スピント、クリストファー・ジェイ ,  デュボック、ロバート・エム・ジュニア ,  マコーレイ、ジョン・エム

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP3764906B2

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：JP21616097

申请日：1997-08-11

Applicant: 双葉電子工業株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 彰 井上 ,  茂生 伊藤 ,  順司 伊藤 ,  正晴 冨田 ,  剛宏 新山 ,  正剛 金丸 ,  能孝 鹿川

IPC: H01J1/304 ,  G09G3/20 ,  G09G3/22 ,  H01J3/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/96 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/022 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/22 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP2006054477A

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：JP2005261785

申请日：2005-09-09

Applicant: Micron Technology Inc ,  マイクロン テクノロジー インコーポレイテッドMicron Technology, Inc.

Inventor： MCTEER EVERETT A ,  ZAHORIK RUSSELL C ,  MEIKLE SCOTT G

IPC: H01J9/02 ,  H01L23/52 ,  G09F9/30 ,  H01J1/52 ,  H01J29/04 ,  H01J29/89 ,  H01J29/96 ,  H01J31/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01J1/52 ,  H01J29/896 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/319 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L31/02161 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a given junction with an antireflection coating and a laminated wiring line which can prevent the junction from an undesired exposure by photons. SOLUTION: Ti-Al-N being laminated on a semiconductor substrate serves as an antireflection coating. For a form of embodiment of the wiring line, an aluminum electrically conductive layer (54) and aluminum-titanium lower layer (52) are formed beneath an antireflection cap layer. For a field emission display (FED), a Ti-Al-N layer prevents blocking of the device operation by a light originated in the anode of the display screen passing through a transistor junction. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有防反射涂层和层压布线的给定结，其可以防止结点不受光子的不期望的暴露。 解决方案：层叠在半导体衬底上的Ti-Al-N用作抗反射涂层。 对于布线的一个实施例的形式，铝制导电层（54）和铝 - 钛下层（52）形成在防反射盖层的下方。 对于场致发射显示器（FED），Ti-Al-N层通过源自通过晶体管结的显示屏的阳极的光阻止器件工作的阻塞。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP3730476B2

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：JP2000098026

申请日：2000-03-31

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 正幸 中本

IPC: C23C18/52 ,  H01J1/304 ,  C23C28/00 ,  C25D7/00 ,  C25D15/02 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/939 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：JP3699114B2

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：JP50871395

申请日：1994-09-08

Applicant: キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド

Inventor： シアソン、ピーター・シー ,  スピント、クリストファー・ジェイ ,  デュボック、ロバート・エム・ジュニア ,  マコーレイ、ジョン・エム

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP2005093977A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：JP2004028093

申请日：2004-02-04

Applicant: Ind Technol Res Inst ,  財団法人工業技術研究院

Inventor： HUANG CHUN-YAU ,  CHIN SEICHU ,  WANG YU-WU ,  CHEN CHEN-MING ,  TSENG HUAI-YUAN

IPC: G09G3/22 ,  H01J31/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0809 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78645

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor device of a field emission display.
SOLUTION: This device is formed with a patterned first gate metal layer, a first gate insulating layer positioned under the first gate metal layer, a patterned second gate metal layer, and a second gate insulating layer positioned under the second gate metal layer. When the thickness of the gate insulating layer is larger than that of the first gate insulating layer and voltages of the first and second metal layers are higher than that of a threshold voltage, the device is formed so that an absolute voltage of a polysilicon layer channel area positioned under the first gate metal layer is lower than that of polysilicon layer channel area positioned under the second gate metal layer. Consequently, the device can conform to high voltage operation and can be subjected to good protection.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供场致发射显示器的薄膜晶体管器件。 解决方案：该器件形成有图案化的第一栅极金属层，位于第一栅极金属层下方的第一栅极绝缘层，图案化的第二栅极金属层和位于第二栅极金属层下方的第二栅极绝缘层 。 当栅极绝缘层的厚度大于第一栅极绝缘层的厚度，并且第一和第二金属层的电压高于阈值电压时，器件形成为使得多晶硅层沟道的绝对电压 位于第一栅极金属层下方的区域低于位于第二栅极金属层下方的多晶硅层沟道区域的区域。 因此，该装置可以符合高压操作并且可以受到良好的保护。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：WO2007066920A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：PCT/KR2006/005009

申请日：2006-11-27

Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  SONG, Yoon Ho ,  KIM, Dae Jun ,  JEONG, Jin Woo ,  LEE, Jin Ho ,  KANG, Kwang Yong

Inventor： SONG, Yoon Ho ,  KIM, Dae Jun ,  JEONG, Jin Woo ,  LEE, Jin Ho ,  KANG, Kwang Yong

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2320/0238 ,  G09G2330/021 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: Provided is a field emission display (FED) capable of driving on the basis of current and preventing leakage current caused by thin film transistors (TFTs). The FED includes: a plurality of unit pixels including an emission element in which cathode luminescence of a phosphor occurs and a TFT for driving the emission element; a current source for applying a scan signal to each unit pixel; and a voltage source for applying a data signal to each unit pixel. Here, the on- current of the current source is high enough to take care of the load resistance and capacitance of a scan row within a given writing time, and the off-current of the current source is so low that the electron emission of each pixel can be ignored. In addition, the pulse amplitude or pulse width of the data signal applied from the voltage source is changed, and thereby the gray scale of the display is represented.

Abstract translation: 提供了能够基于电流驱动并防止由薄膜晶体管（TFT）引起的漏电流的场致发射显示器（FED）。 FED包括：包括其中发生荧光体的阴极发光的发射元件和用于驱动发光元件的TFT的多个单位像素; 用于向每个单位像素施加扫描信号的电流源; 以及用于将数据信号施加到每个单位像素的电压源。 这里，电流源的导通电流足够高，以便在给定的写入时间内照顾扫描行的负载电阻和电容，并且电流源的截止电流非常低以致每个电流源的电子发射 像素可以忽略。 此外，改变从电压源施加的数据信号的脉冲幅度或脉冲宽度，从而表示显示器的灰度级。