公开(公告)号：TW201727692A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135198

申请日：2016-10-31

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 譚忠魁 ,  TAN, ZHONGKUI ,  符 謙 ,  FU, QIAN ,  吳 垠 ,  WU, YING ,  許 青 ,  XU, QING

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 針對第一時期，施加較高的射頻功率，俾產生電漿以暴露到基板，同時施加低偏壓至基板位準。針對第二時期，施加較低的射頻功率，俾產生電漿，同時施加高偏壓至基板位準。以交替且接續的方式重複執行第一時期與第二時期，達在基板上產生期望效果所必需的總時期。在一些實施例中，第一時期比第二時期短，使得在時間平均的基礎上，電漿具有比自由基密度大的離子密度。在一些實施例中，第一時期比第二時期長，使得在時間平均的基礎上，電漿具有比自由基密度小的離子密度。

Abstract in simplified Chinese: 针对第一时期，施加较高的射频功率，俾产生等离子以暴露到基板，同时施加低偏压至基板位准。针对第二时期，施加较低的射频功率，俾产生等离子，同时施加高偏压至基板位准。以交替且接续的方式重复运行第一时期与第二时期，达在基板上产生期望效果所必需的总时期。在一些实施例中，第一时期比第二时期短，使得在时间平均的基础上，等离子具有比自由基密度大的离子密度。在一些实施例中，第一时期比第二时期长，使得在时间平均的基础上，等离子具有比自由基密度小的离子密度。