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公开(公告)号：CN103154309B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180048804.3
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 一种离子束系统（100），包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件（300），用于使包括多个子束的离子束（108）转向以便产生离子束（108），其中所述离子束（108）的横截面的离子流密度剖面（700、900、1100、1200）是非椭圆的。所述离子流密度剖面（700、900、1100、1200）可以具有关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地，所述单峰可以关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中，所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束（108）引导于转动的目标工件（104）上在与所述目标工件（104）的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
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公开(公告)号：CN103154310A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048809.6
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 与离子束源（102）的放电室耦接的栅格组件（114，300）配置成使从所述放电室发出的离子子束以圆形非对称地确定的转向角转向。所述栅格组件（114、300）包括具有基本上圆形孔图案的至少第一和第二栅格（302、304），其中每个栅格（302、304）包括彼此相邻定位的孔。所述第二栅格（304）的多个孔相对于所述第一栅格（302）中的相应孔偏置定位。由于所述第二栅格（304）中的孔偏置，因此通过偏置孔的离子被朝向下游偏置孔的最接近圆周部分静电吸引。由此，改变通过偏置孔的离子的轨迹。所述子束转向预定非对称角。所述预定转向角取决于孔偏置、施加给栅格（302、304）的电压及栅格（302、304）之间的距离。
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公开(公告)号：CN107112177B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680005175.9
申请日：2016-01-06
Applicant: 迈尔博尔格(德国)股份公司
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/0653 , H01J2237/0656 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。
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公开(公告)号：CN103154310B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180048809.6
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 与离子束源（102）的放电室耦接的栅格组件（114，300）配置成使从所述放电室发出的离子子束以圆形非对称地确定的转向角转向。所述栅格组件（114、300）包括具有基本上圆形孔图案的至少第一和第二栅格（302、304），其中每个栅格（302、304）包括彼此相邻定位的孔。所述第二栅格（304）的多个孔相对于所述第一栅格（302）中的相应孔偏置定位。由于所述第二栅格（304）中的孔偏置，因此通过偏置孔的离子被朝向下游偏置孔的最接近圆周部分静电吸引。由此，改变通过偏置孔的离子的轨迹。所述子束转向预定非对称角。所述预定转向角取决于孔偏置、施加给栅格（302、304）的电压及栅格（302、304）之间的距离。
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公开(公告)号：CN101681781A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880013320.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 威科仪器有限公司
CPC classification number: H01J37/302 , H01J27/18 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/32082 , H01J2237/0656 , H01J2237/24542
Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103154309A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048804.3
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 一种离子束系统（100），包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件（300），用于使包括多个子束的离子束（108）转向以便产生离子束（108），其中所述离子束（108）的横截面的离子流密度剖面（700、900、1100、1200）是非椭圆的。所述离子流密度剖面（700、900、1100、1200）可以具有关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地，所述单峰可以关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中，所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束（108）引导于转动的目标工件（104）上在与所述目标工件（104）的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
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公开(公告)号：CN101681781B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200880013320.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 威科仪器有限公司
CPC classification number: H01J37/302 , H01J27/18 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/32082 , H01J2237/0656 , H01J2237/24542
Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。
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公开(公告)号：CN102414774A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018886.2
申请日：2010-04-29
Applicant: ATTI国际服务公司
Inventor： 阿尔图什·A·阿布加良 , 伊莱·莱维
IPC: H01J29/58
CPC classification number: H01J29/62 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J3/18 , H01J35/14 , H01J37/063 , H01J37/065 , H01J37/3174 , H01J2237/0492 , H01J2237/0656 , H01J2237/28
Abstract: 一种系统，在静电区域中将电子束聚焦为电子层流，该电子层流具有电流密度的均匀分布和显著缩小倍率，该系统包括：本体(11)，其限定电场的边界；静电部分中的场形成阴极电极系统(1，2，3，4)、聚焦电极系统(5，6，7，12)和至少一个阳极电极系统(8，9，10)；和第二无电场部分，其包括布置在本体(11)内部的可调屏幕系统(16)。场形成近阴极电极系统(1，2，3，4)包括电连接到平面部分(2)的阴极(1)和电连接到柱形部分(4)的曲线部分(3)。阳极电极系统(8，9，10)包括开口部分、电连接到平面部分(8)的阳极、和电连接到柱形部分(10)的曲线部分(9)，其与阴极电极系统相似或相同，并且与阴极电极系统对称。根据CGMR概念方法计算和创建系统参数。
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公开(公告)号：CN107112177A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005175.9
申请日：2016-01-06
Applicant: 迈尔博尔格(德国)股份公司
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/0653 , H01J2237/0656 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。
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公开(公告)号：CN104871297B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380043981.1
申请日：2013-09-25
Applicant: SPP科技股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/32568 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/0656 , H01J2237/15 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明有关一种基板蚀刻装置，其可提高所生成等离子平面内密度的均匀性，并对基板表面整体均匀地进行蚀刻。该基板蚀刻装置具备有腔室2，其设定有等离子生成空间3及处理空间4；线圈30，其配设于上腔体部6外侧；基台40，其配设于处理空间4，用以载置基板K；蚀刻气体供应机构25，其将蚀刻气体供应至等离子生成空间3；线圈电力供应机构35，其将高频率电力供应至线圈30；及基台电力供应机构45，其将高频率电力供应至基台40。再者，锥状的等离子密度调整构件20固设于等离子生成空间3与基台40间的腔室2的内壁上，而且于腔室20的上部，朝向下方地延设有圆筒状的芯构件10，该芯构件10形成有朝向下端部直径变小的锥形部。
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