公开(公告)号：CN102224572A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146889.1

申请日：2009-09-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  罗伯特·J·米歇尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本揭示案的液体输送机制提供一种供单一运动轴中使用的解决方案，其允许在较宽温度范围内将一或多个流体流动路径连接至真空环境中。所述机制不使用尤其在非常低的温度下容易疲劳的可挠性管道。在一实施例中，管在经密封活塞内轴向移动以允许液体输送。在第二实施例中，使用波纹管来提供所需功能性。在另一实施例中，有可能藉由利用两个或两个以上经适当组态的机制来达成两个或两个以上运动轴中的移动。

公开(公告)号：CN101736326B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200810203405.X

申请日：2008-11-26

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 尹志尧 ,  陈金元 ,  倪图强

IPC: C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  B08B7/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明公开一种电容耦合型等离子体处理反应器，其提供改进的化学气相沉积性能、蚀刻性能和反应腔清洁性能，包括在低温度条件下进行工艺处理，能够实现交替的沉积和刻蚀步骤，并实现对反应腔的原位清洁，而无需使用远程等离子体源。所述反应器包括至少两个射频频率与基座相连接，并使阳极接地。其中，高频率射频源用于控制等离子体密度，而低频率射频源用于控制种类对基片的轰击，从而控制被沉积薄膜的特性。此外，所述至少两个射频源是可以控制的，加上可以选择性地向反应腔输入不同的反应气体，使反应腔工作在或者沉积模式、或者部分刻蚀模式、或者刻蚀模式、或者清洁模式。

公开(公告)号：CN101067993B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200710102334.X

申请日：2007-04-30

Applicant: FEI公司

Inventor： G·J·范德沃特 ,  P·M·霍克斯

IPC: H01J37/20

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明涉及一种用于粒子光学设备的热控开关，在例如低温透射电子显微镜中，被置于样品保持器(7)的末端(20)处的样品(34)可被保持处于例如液氮温度。需要的是在不将整个显微镜从低温温度加热至室温的情况下以简单的方式在例如室温下能够对样品进行检测。通过使用热控开关(40)，实现上述需求变为可能。为此，所述热控开关改变所述设备中的冷源(22)与所述样品保持器(7)的所述末端(20)之间的热路径，由此，在一个位置如位置(46a)处，建立了从所述末端(20)到所述冷源(22)的连接，且在另一位置如位置(46b)处，与设备保持处于室温的部分(44)建立起连接。

公开(公告)号：CN102113093A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129797.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗傑·B·费许 ,  萨缪尔·M·巴思凯 ,  史考特·C·后登 ,  亚瑟·P·瑞福 ,  史蒂芬·M·恩尔拉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/26593

Abstract: 揭示一种用于改变平台温度的技术。在一个特定示例实施例中，此技术可以被实现为用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。

公开(公告)号：CN102112650A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980104726.7

申请日：2009-02-10

Applicant: 株式会社iMott

Inventor： 大竹尚登 ,  松尾诚 ,  岩本喜直

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/042 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明涉及类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法。本发明的使用等离子化学真空蒸镀法的类金刚石碳膜成膜装置，具有用于向由导电性的掩膜材料(3)包围的基体(2)所构成的部件(4)与类金刚石碳膜成膜装置的腔室(5)的侧壁之间施加电压的直流单脉冲电源(6)、叠加用直流电源(26)与/或高频率电源(7)，选择以直流单脉冲电源(6)和上述叠加用直流电源(26)向上述部件(4)施加负的单脉冲电压，或选择向上述部件(4)施加高频率电源(7)的高频率电压，在以掩膜材料(3)包围的上述基体(2)上形成片段结构的类金刚石碳膜。

公开(公告)号：CN101548365B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880000850.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 宫原弘臣 ,  西宫立享

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/182 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。

公开(公告)号：CN101241844B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810082565.3

申请日：2005-02-25

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： C-T·高 ,  J-P·周 ,  C·赖 ,  S·阿姆托艾 ,  J·休斯顿 ,  S·郑 ,  M·张 ,  X·袁 ,  Y·张 ,  X·陆 ,  W·W·王 ,  S-E·潘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于前段工艺制造的原地干洗腔。本发明进一步提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表面的盖装置。该盖装置包括在其间限定了等离子空腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适合连接地加热衬底。

公开(公告)号：CN101802980A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107324.8

申请日：2008-09-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  由里·艾洛克海 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。

公开(公告)号：CN101730921A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880017948.0

申请日：2008-05-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·瑞克 ,  W·W·王

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/02

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  Y10T29/49826

Abstract: 一种基板清洁腔室包含多种部件，例如，一消耗性陶瓷衬垫、基板加热底座、以及工艺套组。该消耗性陶瓷衬垫是经提供以连接一远程气体激发器的出气道至一基板清洁腔室的进气道。该基板加热底座包含一环状板，该环状板具有一基板承接表面，且该基板承接表面具有设置在一凹槽数组内的数个陶瓷球。一工艺套组包含一顶板、顶部衬垫、配气板、底部衬垫、集中环。

公开(公告)号：CN101147244B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680009019.6

申请日：2006-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。