公开(公告)号：CN107966464B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201710946654.7

申请日：2017-10-12

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： J.米特彻斯 ,  T.韦伊斯塔维 ,  M.卡福雷克

IPC: G01N23/2202 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/261 ,  G01N1/42 ,  H01J37/18 ,  H01J37/185 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/317

Abstract: 一种使用带电粒子显微镜执行低温试样的表面改性的方法，其包括：真空室；试样保持器；粒子‑光柱，该方法包括以下步骤：将试样引入真空室中，将其提供在试样保持器上并将其保持在低温温度；采用至少一个真空泵以将真空室抽空；激活所述束并将其引导到所述试样的一部分上以便对其表面进行改性，另外包括以下步骤：在真空室中提供薄膜监测器，并且至少将其检测表面保持在低温温度；使用所述监测器来测量所述室中的冷冻冷凝物的沉淀速率值，并且使用该值作为触发器来执行以下动作中的至少一个：当所述值下降到第一预定阈值以下时，启动所述表面改性；如果所述值上升到第二预定阈值以上，则中断表面改性。

公开(公告)号：CN105190825B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480013428.8

申请日：2014-03-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 亚瑟·P·瑞福

IPC: H01J37/317

CPC classification number: F16C11/04 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/2001 ,  Y10T403/25

Abstract: 本发明提供一种用于半导体制程应用的旋转接头及旋转平台装置。旋转接头连接于基座与平台之间。旋转接头包括用来传递低温流体至平台以在离子植入的步骤中冷却平台的挠曲管部分。挠曲管部分具有与平台的非旋转位置有关的第一配置结构，以及与平台旋转位置有关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲管部分具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲管部分具有第二弯曲半径，其小于第一弯曲半径。旋转接头还包括具有围墙的基座，其在挠曲管部分于第一配置结构与第二配置结构之间旋转时，限制挠曲管部分的移动。本发明的旋转接头适合在低温下长时间并且多次数的循环使用。

公开(公告)号：CN102543639B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110349835.4

申请日：2011-11-08

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： L.诺瓦克 ,  M.昂科夫斯基 ,  M.托思 ,  M.卡富列克 ,  W.帕克 ,  M.斯特劳 ,  M.埃默森

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/18 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2003 ,  H01J2237/2445

Abstract: 本发明涉及用于带电粒子束系统的环境单元。一种用于带电粒子束系统的环境单元允许安装在X-Y镜台上的单元与聚焦镜筒的光轴之间的相对运动，从而消除了对单元内的子镜台的需要。诸如可缩回盖的柔性单元配置允许多种过程，包括束致和热致过程。在带电粒子束系统中且使用光电子的气体级联放大执行的光子产额光谱术允许分析单元中的材料并监视单元中的处理。还可以使用可缩回反射镜来执行发光分析。

公开(公告)号：CN105264632A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032691.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 金子朝子 ,  高须久幸 ,  武藤宏史 ,  岩谷彻 ,  许斐麻美

IPC: H01J37/20 ,  G01N1/28 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01K1/14 ,  G01N1/32 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20271 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/317

Abstract: 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。

公开(公告)号：CN105190825A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480013428.8

申请日：2014-03-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 亚瑟·P·瑞福

IPC: H01J37/317

CPC classification number: F16C11/04 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/2001 ,  Y10T403/25

Abstract: 揭示一种用于半导体制程应用的旋转接头。旋转接头包括用来传递低温流体至平台以在离子植入的步骤中冷却平台的挠曲弹性管件。挠曲弹性管件具有与平台的非旋转位置有关的第一配置结构，以及与平台旋转位置有关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲弹性管件具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲弹性管件具有第二弯曲半径，其小于第一弯曲半径。旋转接头还包括具有围墙的基座，其在挠曲弹性管件于第一与第二配置结构之间旋转时，限制挠曲弹性管件的移动。

公开(公告)号：CN102804328B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN102308381B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201080007908.5

申请日：2010-02-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·克尔梅尔 ,  N·O·妙

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的实施例提供用于在处理期间支撑、定位和/或旋转半导体基板的设备及方法。本发明的一实施例提供一种用于处理基板的方法，该方法包含：将基板定位于载座的基板接收表面上；以及藉由输送来自一个或多个旋转口的流体流以旋转该载座和该基板。

公开(公告)号：CN102187742B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200980141419.6

申请日：2009-10-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张春雷 ,  理查德·弗威尔 ,  伊兹拉·罗伯特·高德 ,  阿吉特·巴拉克利斯纳 ,  詹姆斯·P·克鲁斯

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05B7/18 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供了等离子体处理装置中的快速响应热控制的方法和设备。这里提供了用于调节等离子体增强型制程腔室中的部件的温度的方法及设备。在一些实施例中，一种用于处理衬底的设备包括制程腔室以及用以提供RF能量以在该制程腔室中形成等离子体的RF源。部件设置于该制程腔室中以在形成该等离子体时由该等离子体加热。加热器被构造为加热该部件并且热交换器被构造为从该部件移除热量。冷却器经由具有设置于其中的打开/关闭流量控制阀的第一流动管道以及用来绕过该流量控制阀的旁路回路而耦接到该热交换器，其中该旁路回路具有设置于其中的流量比阀。

公开(公告)号：CN103594330A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310357603.2

申请日：2013-08-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.皮尔希

IPC: H01L21/00 ,  C03C15/00

CPC classification number: C03C15/00 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明公开了蚀刻设备和方法。向工件供给蚀刻剂。此外，利用经空间调制的光来照射工件，以在供给蚀刻剂的同时调节所述工件的温度分布。

公开(公告)号：CN103348439A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180067087.9

申请日：2011-11-02

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 细谷幸太郎 ,  大野正臣 ,  波多野治彦

IPC: H01J37/20

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2003

Abstract: 不是环境控制式电子线装置，即使通常的电子线装置也能实现试样附近的局部低真空化与试样冷却，并且不对装置进行改造且不追加气缸等设备而只利用试样支架实现试样附近的局部低真空化与试样冷却。在能将成为气体源的物质收纳在内部的容器与在该容器的试样台下部具备贯通孔的试样支架上载置被观察试样，通过上述贯通孔将从上述容器蒸发或挥发的气体供给到上述被观察试样，在上述被观察试样的载置位置或试样附近形成局部的低真空状态。并且，利用在挥发时的气化热也能进行试样冷却。