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公开(公告)号：CN104637867B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310572277.7
申请日：2013-11-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。
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公开(公告)号：CN103715049B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210378282.X
申请日：2012-09-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域，所述边缘电极连接有第二射频电源，移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。本发明能够有效地补偿边缘效应，并且，避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。
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公开(公告)号：CN103531429B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310533284.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法，等离子体刻蚀装置，包括：处理腔室；第一电极，位于处理腔室内，第一电极上具有放置晶圆的平台，第一电极与至少一个射频电源电连接；第二电极，位于处理腔室内，且与第一电极正对，第二电极与直流电源电连接，第二电极和直流电源之间具有第一开关；第一气体供应端，向处理腔室中通入第一气体，第一气体供应端与处理腔室之间具有第二开关；第二气体供应端，向处理腔室中通入第二气体，第二气体供应端与处理腔室之间具有第三开关；脉冲控制单元，同步产生分布控制第一开关、第二开关和第三开关的第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号。本发明的等离子刻蚀装置在刻蚀时防止了待刻蚀材料中电荷的积聚。
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公开(公告)号：CN102899635B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210364956.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01J37/32862
Abstract: 本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
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公开(公告)号：CN104637867A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310572277.7
申请日：2013-11-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , B81C1/00087 , B81C2201/0112 , H01L21/32133
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531429A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533284.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法，等离子体刻蚀装置，包括：处理腔室；第一电极，位于处理腔室内，第一电极上具有放置晶圆的平台，第一电极与至少一个射频电源电连接；第二电极，位于处理腔室内，且与第一电极正对，第二电极与直流电源电连接，第二电极和直流电源之间具有第一开关；第一气体供应端，向处理腔室中通入第一气体，第一气体供应端与处理腔室之间具有第二开关；第二气体供应端，向处理腔室中通入第二气体，第二气体供应端与处理腔室之间具有第三开关；脉冲控制单元，同步产生分布控制第一开关、第二开关和第三开关的第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号。本发明的等离子刻蚀装置在刻蚀时防止了待刻蚀材料中电荷的积聚。
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公开(公告)号：CN101896034A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010230012.5
申请日：2007-04-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种应用于等离子体反应腔室上的射频功率源，采用频率合成或射频信号振荡器方式产生N个射频信号，并通过宽带功率放大器将该N个射频信号功率加以放大，随后分离该经过放大的信号。于是射频系统的输出是具有多种频率的射频功率。可选地，这些频率是可以切换的，这样使用者就可以选择射频功率源系统所输出的频率。本发明进一步公开了一种使用该射频功率源的等离子体反应腔室。
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公开(公告)号：CN101736326A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810203405.X
申请日：2008-11-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/513 , C23F4/00 , B08B7/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/4405 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J2237/2001 , H01L21/68771
Abstract: 本发明公开一种电容耦合型等离子体处理反应器，其提供改进的化学气相沉积性能、蚀刻性能和反应腔清洁性能，包括在低温度条件下进行工艺处理，能够实现交替的沉积和刻蚀步骤，并实现对反应腔的原位清洁，而无需使用远程等离子体源。所述反应器包括至少两个射频频率与基座相连接，并使阳极接地。其中，高频率射频源用于控制等离子体密度，而低频率射频源用于控制种类对基片的轰击，从而控制被沉积薄膜的特性。此外，所述至少两个射频源是可以控制的，加上可以选择性地向反应腔输入不同的反应气体，使反应腔工作在或者沉积模式、或者部分刻蚀模式、或者刻蚀模式、或者清洁模式。
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公开(公告)号：CN105088187B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510488320.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。
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公开(公告)号：CN105088186B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510488112.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。
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