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公开(公告)号：CN103270571B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180058047.8
申请日：2011-11-29
Applicant: SN显示器有限公司
CPC classification number: H01J9/18 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/46 , Y10S977/952
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制造方法，其中下板包括：形成在基体上的阴极电极；形成在阴极电极上的扩散阻断层；形成在扩散阻断层上的金属籽晶层；碳纳米管，其在金属籽晶层的晶粒上生长成单晶体；栅绝缘层，其形成在具有阴极电极、扩散阻断层以及金属籽晶层的基体上，以覆盖碳纳米管；以及形成在栅绝缘层上的栅电极。
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公开(公告)号：CN103730305B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210381738.8
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环；切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN104769698A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280070914.4
申请日：2012-12-27
Applicant: 埃尔瓦有限公司
CPC classification number: H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01J3/021
Abstract: 一种场发射装置被配置成热机，并且使所述装置的性能优化。
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公开(公告)号：CN104319217A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410558790.5
申请日：2014-10-20
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低能量电子枪，其包括：发射电子的电子发射装置；加速引导上述电子，用于控制电子的数量和速度的栅极装置；对上述电子形成的电子束进行形状约束的聚焦装置；将上述装置容纳于其腔体内的电子枪壳；以及将上述电子发射装置、栅极装置以及聚焦装置固定于上述电子枪壳腔体内，起固定支撑作用的支撑装置；所述聚焦装置由三个相互配合的环形电极构成；其中一个环形电极为正电位电极，其前端通过绝缘球与其余两个环形电极绝缘隔开，其后端同样通过绝缘球与栅极装置绝缘隔开；其余两个环形电极相互配合构成一电极结构，且该电极结构处于零电位。本发明提供的电子枪具有低能量、电子数量和能量等级可调、结构紧凑和使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN103270571A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180058047.8
申请日：2011-11-29
Applicant: SN显示器有限公司
CPC classification number: H01J9/18 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/46 , Y10S977/952
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制造方法，其中下板包括：形成在基体上的阴极电极；形成在阴极电极上的扩散阻断层；形成在扩散阻断层上的金属籽晶层；碳纳米管，其在金属籽晶层的晶粒上生长成单晶体；栅绝缘层，其形成在具有阴极电极、扩散阻断层以及金属籽晶层的基体上，以覆盖碳纳米管；以及形成在栅绝缘层上的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254762B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010178218.8
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一栅极电极，该栅极电极与阴极电极绝缘设置，且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
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公开(公告)号：CN103035461A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110296578.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J2329/463
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，包括一阴极及一栅极，所述栅极与所述阴极间隔设置并与所述阴极电绝缘，其特征在于，所述栅极为一碳纳米管复合层，该碳纳米管复合层包括一碳纳米管层以及一介质层包覆于该碳纳米管层的整个表面。本发明进一步提供一种采用上述电子发射装置的显示装置。
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公开(公告)号：CN102074440B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010589777.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J2329/4652 , H01J2329/4682
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极装置，包括：一阴极基板；一栅极电极设置于该阴极基板的表面；一第一绝缘层设置于所述栅极电极的表面；一阴极电极通过所述第一绝缘层与所述栅极电极间隔设置；以及一阴极发射层设置于所述阴极电极表面，其中：所述第一绝缘层设置有一第一开孔，所述阴极电极设置有一第二开孔，所述第一开孔与第二开孔对应设置且相互连通，使所述栅极电极对应该开孔位置的表面暴露，所述阴极发射层仅设置在所述阴极电极靠近所述第二开孔位置的表面。进一步，本发明提供一种采用上述场发射阴极装置的显示器。
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公开(公告)号：CN102254765A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010178171.5
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。
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公开(公告)号：CN102254762A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010178218.8
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一栅极电极，该栅极电极与阴极电极绝缘设置，且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
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