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公开(公告)号:CN101026074A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710084952.6
申请日:2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置,其包括基板,形成在所述基板上的第一电极,电连接到所述第一电极的电子发射区域,以及位于所述第一电极之上的第二电极,使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件:D2/D1≤0.579(1),以及D2≥1μm(2),其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度,D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号:CN102254762B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201010178218.8
申请日:2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
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公开(公告)号:CN102254762A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201010178218.8
申请日:2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
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公开(公告)号:CN100585780C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200710084952.6
申请日:2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置,其包括基板,形成在所述基板上的第一电极,电连接到所述第一电极的电子发射区域,以及位于所述第一电极之上的第二电极,使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件:D2/D1≤0.579(1),以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度,D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号:CN101569529A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200910139337.X
申请日:2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列,以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256),各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260),它与多个发射体元件和多个引出栅格连接,使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中,电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号:CN109390196A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201710690592.8
申请日:2017-08-02
Applicant: 孙海伦
Inventor: 孙海伦
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/027 , H01J2203/0204
Abstract: 该发明属于可集成电真空辐射源器件配套用冷阴极电子枪,包括:电子枪壳体及其底座,上、下电极板及设有与冷阴极的个数相同通孔的微波输入层,微波输入层中各通孔分别与上、下电极板一并组成相应个数的互作用腔,各冷阴极分别嵌于相应互作用腔底部的下电极板上,在正对每个互作用腔的上电极板区域内均开设了一组各孔尺寸都小于微波波长的阵列式电子注输出孔。该发明具有注波互作用空间小,可按要求馈入不同频率的微波来调制多个冷阴极发射电流、以产生不同调制频率及强度的多个电子注,而且每个电子注微波调制相位可控,可为集成微型电真空辐射源器件提供多个电子注源,且输出功率大,有效扩大了应用范围等特点。
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公开(公告)号:CN103107054B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201310031010.7
申请日:2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一阳极电极,该阳极电极与阴极电极间隔设置,且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
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公开(公告)号:CN103107054A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201310031010.7
申请日:2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一阳极电极,该阳极电极与阴极电极间隔设置,且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
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公开(公告)号:CN101569529B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200910139337.X
申请日:2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列,以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256),各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260),它与多个发射体元件和多个引出栅格连接,使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中,电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号:US20140270087A1
公开(公告)日:2014-09-18
申请号:US14207216
申请日:2014-03-12
Applicant: SRI INTERNATIONAL , Samsung Electronics Co., Ltd.
Inventor: Shang-hyeun PARK , Paul R. SCHWOEBEL , Il-hwan KIM , Do-yoon KIM , Yong-chul KIM , Chang-soo LEE , Tae-won JEONG
IPC: H01J35/06
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/40 , A61B6/4064 , A61B6/4488 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J1/90 , H01J3/021 , H01J3/38 , H01J19/24 , H01J19/42 , H01J19/44 , H01J35/045 , H01J35/06 , H01J2201/304 , H01J2201/30469 , H01J2201/3195 , H01J2203/0204 , H01J2203/0208 , H01J2203/0212 , H01J2203/0216 , H01J2203/0236 , H01J2235/06 , H01J2235/1212 , H01J2235/1291 , H01J2235/1295 , Y10S977/742 , Y10S977/939 , Y10S977/95
Abstract: An x-ray generator includes a housing, a cathode block that is arranged in the housing and emits electrons via a field emission scheme, an anode block that is arranged in the housing and generates x-rays in response to the electrons emitted from the cathode block and collide with the anode block, and a heat sink block that contacts the cathode block and dissipates heat generated therein to an outside of the housing.
Abstract translation: X射线发生器包括壳体,阴极块,其布置在壳体中并经由场致发射方案发射电子;阳极块,布置在壳体中并响应于从阴极发射的电子产生X射线 阻挡并与阳极块碰撞,以及散热块,其接触阴极块并将其中产生的热量散发到壳体的外部。
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