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公开(公告)号:CN101472814A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200780000429.9
申请日:2007-06-01
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: B65G49/07
CPC classification number: H01L21/67201 , C23C14/566 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67751 , Y10S414/139
Abstract: 本发明实施例包括一负载锁定室、一具有一负载锁定室的处理系统以及在大气及真空环境间传递基板的方法。在一实施例中,该方法包含在一室本体中的传递空腔内部保持一已处理的基板达两个通气周期。在另一实施例中,该方法包含由一传递空腔传递一基板至一位于室本体中的加热空腔,并在加热空腔中加热基板。在另一实施例中,一负载锁定室包含一室本体,该室本体具有设置于一传递空腔中的基板支架。基板支架可在一第一高度及一第二高度间移动。多个凹槽形成于传递空腔的天花板或地板至少其中一个内,且该等凹槽是配置用以当基板支架位于第二高度时,容纳至少一部分的基板支架。
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公开(公告)号:CN101369526A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810210473.9
申请日:2008-08-15
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/67748
Abstract: 本发明的实施方式提供了用于退火半导体衬底的方法和装置。本发明的一个实施方式提供了包括设置成用于支撑衬底的第一衬底支架、设置成用于支撑衬底的第二衬底支架、连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭,其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。
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公开(公告)号:CN100463104C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200610065966.9
申请日:2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67276
Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置,其包括多个用于处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部,包括输送历史记录部、处理历史记录部以及报警历史记录部。输送历史记录部将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联,并记录该历史信息作为第一历史信息。处理历史记录部将关于多个处理室中的每一个内的基板的处理状态的历史信息与每一被处理的基板目标相关联,并记录该历史信息作为第二历史信息。报警历史记录部将关于在输送部和处理室至少一个之内发生的报警的历史信息与每一基板相关联,并记录该历史信息作为第三历史信息。
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公开(公告)号:CN101355018A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810144215.5
申请日:2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 守屋刚
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/677 , C23C16/54
CPC classification number: H01L21/67201
Abstract: 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法,能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34),在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36),在晶片(W)的主面的正上方,通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路,该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。
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公开(公告)号:CN101341574A
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200680048123.6
申请日:2006-12-20
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor: M·R·赖斯
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 于第一实施方式中,本发明提供用于半导体组件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁,可界定适于容设机械臂的中心传送区;(2)数个面,形成于该侧壁上,各适于耦接至处理室;以及(3)延伸面,形成于该侧壁上,可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室,同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。
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公开(公告)号:CN101335187A
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200810125036.7
申请日:2008-06-27
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/67178 , B05B14/43 , B05B14/44 , B05C13/00 , B05C13/02 , B05D3/0486 , G03F7/26 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67225 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , Y10S414/135 , H01L2924/00
Abstract: 一种基板处理装置,其具有设置在上下方向上的多列基板处理列。各基板处理列具有排列在横向上的多个主搬运机构和对应于每个主搬运机构设置并用于处理基板的多个处理单元,各主搬运机构向对应的处理单元搬运基板的同时,与在横向相邻的其他的主搬运机构交接基板,而对基板进行一系列的处理。因为各基板处理列同时对基板进行处理,所以能够使基板处理装置的处理能力增强。
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公开(公告)号:CN101246813A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810005676.4
申请日:2008-02-15
Applicant: 大日本网目版制造株式会社
Inventor: 光吉一郎
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/00 , G03F1/00 , G02F1/1333 , G11B7/26
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67201 , H01L21/67754 , H01L21/67766 , H01L21/67781
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。在处理区设置有多个背面清洗单元及主机械手。主机械手设置在配设在处理区一侧的侧面的背面清洗单元与配设在处理区另一侧的侧面的背面清洗单元之间。在分度器区与处理区之间,上下邻接的方式设置有使基板翻转的翻转单元、及在分度器机械手与主机械手交接基板的基板装载部。主机械手在多个背面清洗单元、基板装载部及翻转单元之间搬运基板。
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公开(公告)号:CN101150051A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200710192971.0
申请日:2007-09-19
Applicant: 因特瓦克公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67745
Abstract: 本发明涉及一种用于传输和加工衬底包括晶片的装置和方法,以与现在使用的系统相比,在合理的成本的情况下有效地提高生产能力。关键因素是使用了沿着加工室侧面的传输室,用于通过装载锁将衬底供给到受控气氛中,然后使衬底沿着作为到达加工室的路径的传输室行进,然后在加工室中加工之后将衬底转移出受控气氛。
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公开(公告)号:CN100343950C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200410085160.7
申请日:2004-08-27
Applicant: 安内华株式会社
Inventor: 石原雅仁
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67201 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本申请公开了一种衬底加热装置,包括将装料锁定室的内部分成两个区域的隔板。在将该衬底从大气外部输入和将该衬底输出到大气外部时,所述输送阀打开所述输送开口,所述第二区域处于大气压力,并且同时所述内部开口由该隔离阀关闭;在所述衬底被输送到保持器中之后并且在所述输送开口由输送阀关闭之后,抽气管道开始将该第二区域抽空,同时所述隔离阀保持关闭;在第二区域中的压力成为抽空所需的真空压力之后,打开隔离阀之后,载体穿过内部开口传送衬底到达第二区域,从而将衬底接触到设置在第一区域中的加热体上,以在真空压力下加热所述衬底。本申请同样公开了一种多室衬底处理系统,包括输送室和都位于输送室周围的装料锁定室和处理室。
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公开(公告)号:CN100342518C
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200410031053.6
申请日:2004-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/00 , C23C16/00 , H01J3/00 , H01J19/00 , H01J37/00
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/54 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67201
Abstract: 本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到处理系统并具有将被处理物体送进和送出每个处理系统的传送机构。至少一个处理系统是真空处理系统,负载锁定系统设置在适当的位置以与处理系统形成一线。
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