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公开(公告)号：CN101593765B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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公开(公告)号：CN101504949B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810202824.1
申请日：2008-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C16/02 , G11C11/56
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。
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公开(公告)号：CN101299453B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810038906.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。
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公开(公告)号：CN101882617A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010199669.X
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/08 , H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/762
Abstract: 本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽实现；所述第一浅沟槽深于第二浅沟槽。本发明采用新型结构的肖特基二极管，可通过简单的工艺制造出存储器装置，实现存储器器件成本的大幅降低。
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公开(公告)号：CN101770165A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044950.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种廉价的压印模板，属于微纳制造领域。其特征在于：在硬质基底表面覆盖图形化材料层，先将图形化材料层图形化，然后对图形化表面修饰处理，之后直接用作压印模板。这种压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752312A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810203942.4
申请日：2008-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。
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公开(公告)号：CN101339921B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200810041516.5
申请日：2008-08-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/768 , H01L21/76
Abstract: 本发明涉及双浅沟道隔离(dual-STI)的双极型晶体管阵列的制造方法，其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制造形成较深的STI，在STI的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类型原子材料；去除沉积在STI槽口附近的含有易扩散的第二导电类型原子材料；退火使上述材料中的第二导电类型原子扩散到位线中，形成对位线的第二导电类型重掺杂；随后通过刻蚀将因第二导电类型原子扩散而相互连接的位线分隔开，使位线之间电学不导通；通过离子注入和光刻在上述独立位线上方形成独立的双极型晶体管，同一位线上的晶体管并用较浅的STI分隔开。本发明还包含基于上述双浅沟道隔离双极型晶体管选通的相变存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101593765A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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公开(公告)号：CN101582485A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910053119.4
申请日：2009-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100－xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100－xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100－xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN100508235C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410015743.2
申请日：2004-01-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于，首先在衬底材料上沉积底电极材料，再沉积电介质材料，然后通过机械方法，用三棱锥，圆锥等多种形状和钻石，金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔，使小孔穿透电介质层，尖头部和底电极材料接触。接着，沉积薄薄一层相变材料，表面抛光。接着使用剥离技术，即涂上光刻胶，曝光显影使小孔露出来，然后沉积上电极材料，去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小，可达几百纳米，所以很小的电流就可以产生很大的热量，使相变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有较小的功耗，很短的响应时间，对于器件的性能有很大的提高。
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