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公开(公告)号：CN101140879A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149167.4
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/302 , H01L21/60 , B23K26/36
CPC classification number: H01L21/76898 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/0853 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种通孔加工方法，其能够不熔融焊盘而在晶片基板上形成到达焊盘的通孔。在上述通孔加工方法中，从基板背面侧对晶片照射脉冲激光光线而形成到达焊盘的通孔，上述晶片在基板表面上形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，其中，将脉冲激光光线的每1脉冲的能量密度设定为如下的值，即，能对基板进行飞溅加工而不能对焊盘进行飞溅加工的值，将脉冲激光光线的脉冲的时间间隔设定为150微秒以上。
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公开(公告)号：CN108335974B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810038835.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司 , 服部奈绪 , 卡尔·海因茨·普利瓦西尔
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
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公开(公告)号：CN117497648A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310885822.1
申请日：2023-07-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供浮脱方法，即使在未能将缓冲层充分破坏的情况下，也能够将外延基板顺利地剥离。浮脱方法包含如下的步骤：移设基板接合步骤，在光器件晶片的光器件层的正面上借助接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏步骤，从光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光束，将缓冲层破坏；以及光器件层移设步骤，将外延基板从光器件层剥离而将光器件层移设至移设基板。在光器件层移设步骤中，在对复合基板的包含中央部的区域进行保持的状态下对复合基板的包含外周部的区域重复赋予弯曲力矩。
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公开(公告)号：CN117206664A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310660283.1
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
Abstract: 本发明提供激光加工装置，其解决每当加工不同厚度的被加工物时计算参数而不胜其烦的问题。该装置的控制器具有加工轨迹存储部、厚度存储部、极限加工深度存储部、通行数存储部、重叠率存储部和选择部，加工宽度计算部对厚度存储部中存储的厚度除以极限加工深度存储部中存储的极限值而得的值乘以光斑直径来计算加工宽度，通行数计算部对厚度除以极限值(R)而得的值乘以通行数，并且乘以根据脉冲激光光线的光斑直径、光斑的重叠率以及加工宽度而求出的光斑数来计算应向加工宽度处的截面照射的脉冲激光光线的通行数。控制器按照基于加工轨迹存储部中存储的X坐标Y坐标对选择部所选择的非产品区域以计算出的通行数照射脉冲激光光线的方式进行控制。
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公开(公告)号：CN114505603A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111349903.7
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/70
Abstract: 本发明提供卡盘工作台和激光加工装置，能够简单且廉价地更换对被加工物进行保持的保持面。卡盘工作台对被加工物进行吸引保持，该卡盘工作台具有：基座工作台，其具有与吸引源连接的吸引路；支承部件，其安装于该基座工作台，对被加工物进行支承；以及保护板，其以覆盖该支承部件的上表面的方式配置，对该支承部件进行保护，该保护板具有将来自该吸引源的吸引力向该被加工物传递的多个贯通孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109202309B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201810738589.3
申请日：2018-07-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供激光加工装置和激光加工方法，该激光加工装置和该激光加工方法能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道。一种激光加工方法，其中，该激光加工方法包含如下的步骤：单晶硅晶片选择工序，选择单晶硅晶片来作为被加工物；激光光线选定工序，在对于单晶硅晶片具有透过性的范围内选定波长为1950nm以上的激光光线；以及盾构隧道形成工序，将激光光线的聚光点定位在单晶硅晶片的内部而对单晶硅晶片照射激光光线，形成由从照射面到相反面的细孔(70)和围绕细孔(70)的非晶质(72)构成的多个盾构隧道(74)。
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公开(公告)号：CN107121433B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201710098265.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: G01N21/88
Abstract: 提供检查装置和激光加工装置，该检查装置能够以简单的结构对存在于由透明材料形成的被检查部件的裂纹进行检测。检查装置(14)包含：照明单元(16)，其配置在透明材料制部件的周缘，从侧面对透明材料制部件进行照明；拍摄单元(18)，其与透明材料制部件相对地配置，对照明单元(16)所照明的透明材料制部件进行拍摄；以及显示单元(20)，其对拍摄单元(18)所拍摄的图像进行显示。
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公开(公告)号：CN112296526A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010673821.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供比较方法和激光加工装置，缩短作业时间，排除每个作业者的测量方向的基准差异而对加工痕的形状相对于规定的形状的偏移进行定量地比较。比较方法具有：加工痕形成步骤，使聚光器沿着Z轴方向移动而将聚光器定位于基准高度和多个高度，根据各高度而对一个面的不同的位置照射激光束，在被加工物的一个面上形成多个加工痕；计算步骤，利用图像解析部对多个加工痕的图像进行解析而对多个加工痕分别计算一个面上的加工痕的预先设定的多个方向的宽度的平均值以及多个加工痕各自相对于规定的直径的圆的面积比中的至少任意一个；和比较步骤，根据计算步骤所计算的平均值和面积比中的至少任意一个对多个加工痕相对于规定的形状的偏移进行定量地比较。
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公开(公告)号：CN107026073B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710057486.6
申请日：2017-01-26
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
Abstract: 处理基板的方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，第一表面具有器件区域(20)，其中，器件区域(20)中形成有多个器件(21)。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面(2b)的多个位置中从第二表面(2b)侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从第二表面(2b)朝向第一表面(2a)延伸。每个孔区域(23)由改性区域(232)和改性区域(232)中向第二表面(2b)开放的空间(231)组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板(2)的其中已经形成多个孔区域(23)的第二表面(2b)，以调节基板厚度。
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公开(公告)号：CN106363824B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610569364.0
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的薄化方法。对在SiC基板的第一面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片进行薄化，具有：环状槽形成步骤，在第二面的对应于器件区域与外周剩余区域的边界部处残存出相当于晶片完工厚度的厚度而形成环状槽；分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在相当于晶片完工厚度的位置并使聚光点与SiC基板相对地移动而对第二面照射激光束，在相当于晶片完工厚度的位置处形成改质层和裂痕而作为分离起点；和晶片薄化步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离，而将具有第一面的晶片薄化。
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