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公开(公告)号：CN117917297A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311324103.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/36
Abstract: 本发明提供激光加工装置和激光加工方法，能够同时进行用于在被加工物上形成槽的脉冲激光光线的照射和用于抑制熔融碎屑的产生的脉冲激光光线的照射。激光加工装置的激光光线照射单元包含射出脉冲激光光线的激光振荡机构。激光振荡机构具有：组设定部，其将按照比通过向被加工物的脉冲激光光线的照射而产生熔融碎屑的时间短的时间间隔照射脉冲激光光线作为条件，设定在熔融碎屑固化的时间之前照射的脉冲激光光线的数量而作为一组；以及时间间隔设定部，其将通过一组的脉冲激光光线的照射而产生的热冷却为止的时间作为一组与相邻的一组的时间间隔，并且设定构成一组的脉冲激光光线的时间间隔，该激光振荡机构将一组作为一个单位而设定重复频率。
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公开(公告)号：CN109202277B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810714566.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/06 , B23K26/0622
Abstract: 提供激光加工装置，能够对所照射的激光光线的脉冲宽度进行调整而不使设备费用变高。一种激光加工装置，其中，该激光加工装置包含：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；激光光线照射单元，其对卡盘工作台所保持的被加工物照射具有规定的线宽的脉冲激光光线；以及加工进给单元，其将卡盘工作台和激光光线照射单元相对地进行加工进给。激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出脉冲激光光线；聚光器，其对激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线进行会聚；以及脉冲宽度调整单元，其配设在激光振荡器与聚光器之间，在该规定的线宽的脉冲激光光线的波段中产生时间差而对脉冲进行调整。
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公开(公告)号：CN112139684A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010584816.9
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/70 , B23K26/352
Abstract: 提供激光加工装置，其在照射激光光线而实施激光加工时能够以适当的光斑间隔进行加工。激光加工装置包含：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；激光光线照射单元，其将脉冲激光光线的光斑定位于该卡盘工作台所保持的被加工物，照射脉冲激光光线而对被加工物实施加工；以及控制单元，其对该激光光线照射单元的动作进行控制。该激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出脉冲激光并射出脉冲激光光线；间疏部，其对脉冲激光光线进行间疏，调整重复频率；扫描器，其以规定的间隔扫描脉冲激光光线的光斑；以及fθ透镜，其对脉冲激光光线进行会聚。
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公开(公告)号：CN110039204A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910018345.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 提供被加工物的激光加工方法，即使是较厚的被加工物也能够保证良好的分割性并且能够高效地进行分割。该方法包含如下步骤：第1盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质构成的多个盾构隧道；聚光区域位置变更步骤，在该被加工物的厚度方向上变更向该被加工物照射的脉冲激光束的聚光区域的位置；以及第2盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该脉冲激光束的入射方向以与该第1盾构隧道并排的方式形成第2盾构隧道。
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公开(公告)号：CN105006431B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510188618.X
申请日：2015-04-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种单晶基板的加工方法，能够对单晶基板的上表面进行研磨从而高效地形成为所期望的厚度、或者高效地在单晶基板的表面上散布地形成多个凹部。单晶基板的加工方法包括：数值孔径设定工序，将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜的数值孔径(NA)对应于单晶基板设定为规定的值；遮护隧洞形成工序，将脉冲激光光线的聚光点从单晶基板的上表面定位于所期望的位置并照射脉冲激光光线，从单晶基板的上表面开始生长细孔和遮护该细孔的非晶质从而形成遮护隧洞；和非晶质去除工序，用研磨件对在单晶基板上形成的遮护隧洞进行研磨来去除非晶质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795345B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510031095.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供分离装置，其能够将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。分离装置具备：支承基座，其具备以水平状态支承复合基板的支承面；侧面支承构件，其配设于该支承基座以支承复合基板的外周侧面；剥离构件，其插入第1基板和第2基板的边界部而将它们板剥离，剥离构件包括：剥离部件，其以与支承面平行的状态配设于面对侧面支承构件的位置，具备用于插入边界部的楔部，并具有在楔部的末端开口的气体喷出孔；气体供给构件，其向气体喷出孔供给气体；剥离部件定位构件，其使剥离部件沿与支承基座的支承面垂直的方向移动，将楔部定位于边界部；和剥离部件进退构件，其使楔部相对于边界部前进或后退。
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公开(公告)号：CN103681267B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201310426431.X
申请日：2013-09-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供吸气层形成方法，能够在不降低半导体器件的抗折强度的情况下再现性良好地形成吸气层。在表面形成有器件的半导体晶片的背面形成捕获金属离子的吸气层的吸气层形成方法中，将具有使得热扩散长度为10nm～230nm的脉宽的脉冲激光光线照射到半导体晶片的背面来形成吸气层。
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公开(公告)号：CN108231658A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711336976.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司 , 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 服部奈绪
CPC classification number: B23K26/043 , B23K26/0006 , B23K26/0093 , B23K26/032 , B23K26/042 , B23K26/046 , B23K26/0613 , B23K26/0624 , B23K26/0648 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2101/40 , B23K2103/52 , B23K2103/54 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/78 , H01L31/20 , H01L31/202 , H01L33/00 , H01L33/007
Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
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公开(公告)号：CN107039341A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611079386.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446
Abstract: 本发明的课题在于提供晶片的加工方法，其用于使器件更薄且小型化。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：一体化工序，使支承基板与晶片的正面相对并借助结合材料而粘贴成一体；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄；切断工序，从晶片的背面沿着分割预定线将晶片按照每个器件进行切断；保护部件配设工序，在晶片的背面上配设保护部件；结合材料破坏工序，将对于支承基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于结合材料而进行照射从而将结合材料破坏；以及支承基板剥离工序，将支承基板从器件剥离而分离成每个器件。
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公开(公告)号：CN103378228B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310139488.1
申请日：2013-04-22
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供剥离方法，能均匀破坏缓冲层，可靠地剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板正面隔着由Ga化合物构成的缓冲层而层叠了光器件层的光器件晶片的光器件层转移到转移基板，包括：转移基板接合工序，在光器件层的表面接合转移基板；缓冲层破坏工序，从外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，破坏缓冲层；光器件层转移工序，从光器件层剥离外延基板而将光器件层转移到转移基板，缓冲层破坏工序包括：Ga层形成工序，照射具有第1输出的脉冲激光光线而使Ga从Ga化合物析出，在外延基板与缓冲层的边界面形成Ga层；气体层形成工序，照射具有比第1输出高的第2输出的脉冲激光光线来破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层。
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