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公开(公告)号：CN114914153A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210078435.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , B23K26/00
Abstract: 本发明提供剥离装置，其能够抑制装置尺寸的庞大化，并且能够从形成有剥离层的锭有效地剥离晶片。剥离装置包含：锭保持单元，其使要制造的晶片朝上而对SiC锭(1)进行保持；超声波振荡单元，其按照与锭保持单元所保持的SiC锭面对的方式配设，并振荡出超声波；以及液体提供单元，其向要制造的晶片与超声波振荡单元之间提供液体。超声波振荡单元包含超声波振子和壳体部件，该壳体部件具有底面，该底面形成为具有与希望赋予超声波的面积同等或更大的面积。
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公开(公告)号：CN107301974B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710235534.6
申请日：2017-04-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/66 , B23K26/38 , B23K26/073 , B23K26/067 , B23K26/064
Abstract: 提供晶片的加工方法，从晶片的背面侧准确地检测分割预定线而将晶片分割成各个器件。晶片的加工方法将在基板的正面上在由互相交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，该基板由具有双折射性的晶体构造构成，晶片的加工方法包含如下工序：检测工序，从晶片的背面利用拍摄构件对形成于正面的分割预定线进行检测；分割起点形成工序，从与检测到的分割预定线对应的背面照射激光光线而形成分割的起点；和分割工序，对晶片施加外力而分割成各个器件芯片，在检测工序中，拍摄构件所具有的配设在将拍摄元件和成像透镜连结起来的光轴上的偏光件对在基板内发生双折射而出现的异常光进行遮蔽，并且将正常光引导至拍摄元件。
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公开(公告)号：CN104339090B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410381467.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/064 , H01L33/00 , H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/2686 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法。沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件，在对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，实施发光层除去工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近并分割预定线从单晶基板的背面侧进行照射，沿着分割预定线除去发光层，然后实施盾构隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近并沿着分割预定线从光器件晶片的单晶基板的背面侧进行照射，从单晶基板的正面到背面使细孔和遮蔽该细孔的非晶质生长并形成盾构隧道。
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公开(公告)号：CN105097679A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510255893.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。
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公开(公告)号：CN101890578B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010185018.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/402 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，照射的脉冲激光束的脉宽为2ns以下，峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037123A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410074894.9
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔。该晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。
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公开(公告)号：CN103033130A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367278.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L2221/00
Abstract: 一种激光加工装置的聚光光斑位置检测方法，包括：通过聚光器会聚的激光束的聚光光斑的设计值和板状物的厚度设定聚光器在Z轴方向的基准位置的基准位置设定步骤；设定对聚光器进行定位的检测位置的从起点到终点的多个Z轴方向位置的检测位置设定步骤；依次将聚光器定位于从起点到终点的检测位置，每当变更聚光器的检测位置时启动分度进给构件，以规定间隔分度进给，在聚光器的各检测位置在板状物分别形成规定长度的激光加工槽的激光加工槽形成步骤；通过摄像构件对在板状物形成的激光加工槽进行摄像的激光加工槽摄像步骤；以及使激光加工槽摄像步骤摄像的激光加工槽对应于该检测位置的从起点到终点的各检测位置显示于一条直线的激光加工槽显示步骤。
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公开(公告)号：CN101890579A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010185045.2
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/67092 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种器件加工方法，其能够提高器件的抗弯强度。该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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公开(公告)号：CN114101918A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110967359.6
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明提供板状物的制造方法和板状物，在硬质的板状物中兼具强度和弯曲性。提供板状物的制造方法，通过对由硬质材料形成的板状的被加工物利用具有透过被加工物的波长的脉冲状的激光束进行加工而制造能够通过外力而弯曲的板状物，板状物的制造方法具有在被加工物上形成多个盾构隧道的盾构隧道形成步骤和利用蚀刻剂对盾构隧道进行蚀刻的蚀刻步骤，在盾构隧道形成步骤中，在沿着设定于被加工物的一个面的线状的第1加工预定区域具有第1长度的第1盾构隧道区域中形成多个盾构隧道，在沿着在一个面上与第1加工预定区域的延长线上不同且与第1加工预定区域相邻的线状的第2加工预定区域具有第2长度的第2盾构隧道区域中形成多个盾构隧道。
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公开(公告)号：CN111599713A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010098584.6
申请日：2020-02-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 提供制造多个芯片的方法，与通过仅对被加工物施加拉伸应力或基于负荷的应力而进行被加工物的分割的情况相比，降低产生加工不良的可能性。该制造多个芯片的方法具有如下的步骤：粘贴步骤，在被加工物上粘贴具有扩展性的带；盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束，从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体向该被加工物施加超声波并进行该带的扩展，从而沿着多条分割预定线将被加工物分割。
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