Abstract:
본 발명은 항-동맥경화 물질 탐색 방법에 있어서, 혈관내피세포 (vascular endothelium)를 배양하는 1단계; 상기 배양물에 항-동맥경화 후보물질을 처리하는 2단계; 상기 처리 배양물에 단핵구 (monocyte)를 추가하여 배양하는 3단계; 상기 혈관내피세포에 결합되지 않은 단핵구를 세척에 의해 제거하는 4단계; 및 상기 혈관내피세포와 단핵구의 결합을 MTT 분석법을 이용하여 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 항-동맥경화 물질 탐색 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 본 발명의 항-동맥경화 물질 탐색 방법은 육안으로 직접 개수판별하거나 동위원소를 사용하지 않고 혈관내피세포에 부착된 단핵구의 세포수를 정량화 하는 방법을 이용하여 저렴하고 간편하게 항-동맥경화 물질을 스크리닝 할 수 있다. 항-동맥경화 물질, 비색분석법, 지질다당류, TNF-α, MTT 분석, 혈관내피세포
Abstract:
본발명은투명전극및 투명전극형성방법을공개한다. 본발명의바람직한실시예에따른투명전극형성방법은일정한간격으로서로이격되도록, 저항변화물질로저항변화돌출부를형성하고, 각저항변화돌출부마다일일이포밍공정을수행하여그 내부에전도성필라멘트를형성하여저항상태를고저항상태에서저저항상태로변화시킴으로써, 반도체기판전체에균일하게전도성필라멘트가형성된투명전극을형성할수 있다. 따라서, 반도체기판과양호한오믹접촉을형성하면서반도체기판전체에균일하게전류를주입할수 있어전류확산효율을향상시킬수 있다.
Abstract:
본발명은투명전극을구비하는유기발광소자및 그제조방법을공개한다. 본발명은자외선영역의빛에대한투과도가높고, 물질에고유한임계전압을초과하는전압이인가되면, 내부에전류가흐를수 있는전도성필라멘트가형성되어, 물질의저항상태가고저항상태에서저저항상태로변화되는저항변화물질로유기발광소자의투명전극을형성함으로써, 유기발광소자에서발생하는가시광선영역의빛뿐만아니라자외선영역의빛에대해서도높은광투과율을나타낼뿐만아니라, 유기반도체층을구성하는유기물층과오믹컨택이이루어져전기전도도가양호한투명전극을얻을수 있다. 또한, 본발명은기판위에도전막을형성하고, 도전막의일부영역에저항변화물질로투명전극을형성한후, 도전막과투명전극사이에전압을인가함으로써, 투명전극에보다신속하게균일한투명전극을형성할수 있다. 또한, 본발명은도전성기판위에저항변화물질로투명전극을형성한후, 도전성기판과투명전극사이에전압을인가함으로써, 투명전극에보다신속하게균일한투명전극을형성할수 있다. 또한, 본발명은전도성필라멘트가형성된투명전극과접촉하도록, 전도성나노물질로전류분산층을형성함으로써, 유기물층에보다균일한전류주입이가능하다.
Abstract:
본발명은투명전극을구비하는유기발광소자및 그제조방법을공개한다. 본발명은자외선영역의빛에대한투과도가높고, 물질에고유한임계전압을초과하는전압이인가되면, 내부에전류가흐를수 있는전도성필라멘트가형성되어, 물질의저항상태가고저항상태에서저저항상태로변화되는저항변화물질로유기발광소자의투명전극을형성함으로써, 유기발광소자에서발생하는가시광선영역의빛뿐만아니라자외선영역의빛에대해서도높은광투과율을나타낼뿐만아니라, 유기반도체층을구성하는유기물층과오믹컨택이이루어져전기전도도가양호한투명전극을얻을수 있다. 또한, 본발명은기판위에도전막을형성하고, 도전막의일부영역에저항변화물질로투명전극을형성한후, 도전막과투명전극사이에전압을인가함으로써, 투명전극에보다신속하게균일한투명전극을형성할수 있다. 또한, 본발명은도전성기판위에저항변화물질로투명전극을형성한후, 도전성기판과투명전극사이에전압을인가함으로써, 투명전극에보다신속하게균일한투명전극을형성할수 있다. 또한, 본발명은전도성필라멘트가형성된투명전극과접촉하도록, 전도성나노물질로전류분산층을형성함으로써, 유기물층에보다균일한전류주입이가능하다.