公开(公告)号：KR101475411B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020080068664

申请日：2008-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  권장연 ,  유병욱 ,  김태상 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78624 ,  H01L29/66765

Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.

公开(公告)号：KR101472798B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080019304

申请日：2008-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  이상윤 ,  이제훈 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.

公开(公告)号：KR1020140106767A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020130019421

申请日：2013-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동석 ,  김규식 ,  박경배 ,  이광희 ,  임선정

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/442 ,  H01L27/307 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/4273 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a photoelectric device which comprises: a first electrode; a second electrode facing the first electrode; an active layer between the first electrode and the second electrode; and an auxiliary layer between the first electrode and the active layer. The auxiliary layer includes a first auxiliary layer including a metal oxide and a metal; and a second auxiliary layer including a first organic material having a HOMO energy level greater than or equal to 6.0 eV.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电器件，其包括：第一电极; 面对所述第一电极的第二电极; 在第一电极和第二电极之间的有源层; 以及在第一电极和有源层之间的辅助层。 辅助层包括包含金属氧化物和金属的第一辅助层; 以及包括HOMO能级大于或等于6.0eV的第一有机材料的第二辅助层。

公开(公告)号：KR101375831B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020070124382

申请日：2007-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2203/01

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 적어도 하나의 스토리지 캐퍼시터;를 구비하고, 상기 스토리지 캐퍼시터는, 투명한 산화물 반도체로 이루어진 스토리지 전극과, 이 스토리지 전극과 일정 간격으로 두고 대향되게 배치되는 화소 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140034693A

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：KR1020130106751

申请日：2013-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동석 ,  김규식 ,  김정우 ,  박경배 ,  이광희 ,  임선정

IPC: H01B5/14 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L51/442 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

Abstract: The present invention relates to a transmissive electrode, a photoelectronic device and an image sensor. More particularly, the present invention relates to a transmissive electrode with improved properties for improving photoelectric conversion efficiency, a photoelectronic device and an image sensor. According to the embodiment of the present invention, the transmissive electrode with improved properties for improving photoelectric conversion efficiency, the photoelectronic device and the image sensor comprises a transmissive electrode which includes a transmissive layer which includes metal and metal oxide.

Abstract translation: 本发明涉及透射电极，光电子器件和图像传感器。 更具体地说，本发明涉及具有改善光电转换效率的特性的透射电极，光电器件和图像传感器。 根据本发明的实施例，具有改善光电转换效率的特性的透射电极，光电子器件和图像传感器包括透射电极，其包括包括金属和金属氧化物的透射层。

公开(公告)号：KR101345376B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070052226

申请日：2007-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。

公开(公告)号：KR101334182B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070051560

申请日：2007-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법에 관해 개시된다. ZnO 계 박막 트랜지스터는 채널 층의 산소함량에 매우 민감한 특성 변화를 보인다. 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터의 제조에서 불가피한 채널 층의 손상과 이에 따른 깊은 음의 문턱 전압을 보상시키기 위하여 불안정한 상태의 산소를 다량 함유하는 저온 패시베이션 층이나 식각 저지층 등의 산화물 층을 이용하여 열처리(annealing)시 산화물 층과 채널 층과의 계면 반응에 의해 캐리어의 농도를 감소시킨다.

公开(公告)号：KR101270168B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020060090467

申请日：2006-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

Abstract: 디스플레이는 OLED를구동하는드라이빙트랜지스터와상기드라이빙트랜지스터의동작을제어하는스위칭트랜지스터를구비하고, 상기드라이빙트랜지스터및스위칭트랜지스터는서로다른결정립크기를가지도록실리사이드에의한차등적결정화과정을거쳐얻어진다. 유기전자발광디스플레이를설계함에있어서스위칭트랜지스터와드라이빙트랜지스터의요구조건에부응할수 있으므로저이동도의스위칭트랜지스터와고이동도드라이빙트랜지스터를효율적으로제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130050082A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：KR1020110115236

申请日：2011-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  김규식 ,  박경배 ,  임동석 ,  임선정

IPC: H01L51/46 ,  C07D471/04 ,  C07D409/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/0072 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/4253 ,  Y10S428/917

Abstract: PURPOSE: An organic photoelectric device and an image sensor are provided to implement a high integration by efficiently absorbing light of a green wavelength range. CONSTITUTION: An anode faces a cathode. An active layer is located between the anode and the cathode. The active layer includes a quinacridone derivative and a thiophene derivative. The thiophene derivative includes a cyanovinyl group.

Abstract translation: 目的：提供有机光电装置和图像传感器，以通过有效吸收绿色波长范围的光来实现高集成度。 构成：阳极面向阴极。 有源层位于阳极和阴极之间。 活性层包括喹吖啶酮衍生物和噻吩衍生物。 噻吩衍生物包括氰基乙烯基。

公开(公告)号：KR1020130040439A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020110105205

申请日：2011-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추교진 ,  히로시게고토 ,  김규식 ,  서진호 ,  설상철 ,  이광희 ,  박경배 ,  이경호 ,  김윤경

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/30 ,  H04N5/378 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/424 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378

Abstract: PURPOSE: An organic pixel including organic photodiode, a manufacturing method thereof, and an apparatuses including the same are provided to respectively operate charge accumulation and charge transmission according to the voltage of a transmission control signal. CONSTITUTION: An interconnection layer(30) is formed on a semiconductor substrate(20). The interconnection layer includes a first contact(31a), a first electrode(35), and a metal line(37). The first electrode receives a transmission control signal(TG) through the metal line. An organic photodiode(40) is formed on the interconnection layer. The organic photodiode includes an insulating layer(41), a second electrode(49), and a photoelectric conversion region(43). The photoelectric conversion region includes an electron donation organic material and an electron acceptation organic material.

Abstract translation: 目的：提供包括有机光电二极管的有机像素及其制造方法以及包括该有机光电二极管的制造方法的装置，以分别根据传输控制信号的电压来进行电荷累积和电荷传输。 构成：在半导体衬底（20）上形成互连层（30）。 互连层包括第一接触（31a），第一电极（35）和金属线（37）。 第一电极通过金属线接收传输控制信号（TG）。 在互连层上形成有机光电二极管（40）。 有机光电二极管包括绝缘层（41），第二电极（49）和光电转换区域（43）。 光电转换区域包括给电子有机材料和电子接受有机材料。