公开(公告)号：KR101638978B1

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：KR1020090067826

申请日：2009-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 손경석 ,  권장연 ,  김형섭 ,  이후정 ,  문미란 ,  박경

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는게이트; 게이트절연막; 제1산화물반도체층및 제2산화물반도체층을포함하는채널층; 상기채널층의양측에각각접촉형성된소스및 드레인;을포함하며, 상기제1산화물반도체층의결정립크기는상기제2산화물반도체층의결정립크기에비해상대적으로크다.

公开(公告)号：KR101186292B1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：KR1020060002687

申请日：2006-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심 ,  임혁

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용하는 유기발광디스플레이에 관해 개시된다. 개시된 트랜지스터는 상호 나란하게 배치되어 각 양단에 도핑된 고전도 영역과 양 고전도 영역 사이의 채널 영역을 각각 가지는 두 개의 다결정 실리콘층; 두 다결정 실리콘층을 공히 가로지르는 방향으로 연장되는 게이트; 그리고 상기 게이트와 상기 다결정 실리콘층들의 사이에 개재되는 게이트 절연층;을 구비하고, 상기 게이트의 일측 가장자리에 인접하여 마련되는 것으로 다결정 실리콘의 채널 영역과 고전도 영역 사이에는 상호 마주 보는 저전도영역이 형성되어 있는 구조를 갖는다. 구조적으로 길이가 연장된 채널을 가지며 그리고 마스크 없이 형성가능한 오프셋구조 또는 저도핑영역을 갖는다.
OLED, 다결정,TFT, LDD

公开(公告)号：KR100988084B1

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020030036603

申请日：2003-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터 제조방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터 제조방법은, 가요성 기판 상에 a-Si 박막을 형성하는 단계; a-Si 박막 중 소정 부위만을 결정화시켜 a-Si 박막에 국부적으로 결정화된 poly-Si 박막을 형성하는 단계; poly-Si 박막 상에 박막 트랜지스터의 채널 영역이 되는 활성층을 형성하는 단계; 활성층의 중앙 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 활성층의 양측에 각각 연결되는 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090056590A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020070123809

申请日：2007-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태상 ,  이상윤 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02233

Abstract: A fabrication method of an oxide semiconductor thin film transistor is provided to control excess on the surface of a channel easily by process the surface of the channel with a wet oxidizer. An oxide semiconductor channel(22a), a source electrode(23a) and a drain electrode(23b) connected to the both sides of channel layer are formed on a substrate(10). The surface of a channel is oxidized by contacting an oxide material on the channel surface. The oxide material is one of a liquid oxidizer and SAM(Self Assembled Monolayer) on the channel surface.

Abstract translation: 提供氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，通过用湿氧化剂处理通道的表面，容易地控制通道表面上的过量。 在基板（10）上形成氧化物半导体沟道（22a），连接到沟道层两侧的源电极（23a）和漏电极（23b）。 通道的表面通过在通道表面上接触氧化物材料而被氧化。 氧化物材料是通道表面上的液体氧化剂和SAM（自组装单层）之一。

公开(公告)号：KR1020080104860A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070052226

申请日：2007-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: A ZnO system thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the electrical characteristic by suppressing the damage caused by the plasma effectively. A ZnO system thin film transistor comprises the substrate(10), the channel layer(22), the gate(20), the gate isolation layer(21), the source and drain electrodes(23a, 23b), and the passivation layer(24). The channel layer is formed on substrate. The channel layer comprises the multi laminated ZnO system unit semiconductor layer. The gate is built between the substrate and the channel layer. The gate isolation layer is prepared between the channel layer and the gate. The source and drain electrodes are prepared at both sides of the channel layer. The passivation layer covers the channel layer, source and drain electrodes. The upper most layer of the channel layer contains the ZnO with the concentration lower than the layer which is under the upper most layer.

Abstract translation: 提供一种ZnO系薄膜晶体管及其制造方法，能够有效地抑制等离子体的损伤来提高电气特性。 ZnO系薄膜晶体管包括衬底（10），沟道层（22），栅极（20），栅极隔离层（21），源极和漏极（23a，23b）和钝化层 24）。 沟道层形成在衬底上。 沟道层包括多层叠ZnO系单位半导体层。 栅极构建在衬底和沟道层之间。 在沟道层和栅极之间制备栅极隔离层。 源极和漏极准备在沟道层的两侧。 钝化层覆盖沟道层，源极和漏极。 沟道层的最上层含有浓度低于最上层的ZnO的ZnO。

公开(公告)号：KR1020080073142A

公开(公告)日：2008-08-08

申请号：KR1020070011794

申请日：2007-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  홍완식 ,  이상윤 ,  권장연 ,  정지심 ,  이성현 ,  조철래

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

Abstract: A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to improve throughput of a semiconductor device by forming a large sized polycrystalline silicon thin film on a thermally fragile substrate. A polycrystalline silicon thin film is formed on a substrate(10) by using a vapor deposition process at a vapor atmosphere of a silane source(12) containing silane radicals(14). At a first deposition atmosphere(100), a pressure is at between 22 mT and 100 mT and a silane source amount is adjusted to be 5 sccm and 30 sccm. Silane radicals are guided to collide with each other, such that silicon seed particles(20) are formed on the substrate. At a second deposition atmosphere, a pressure is at between 1 mT and 15 mT and a silane source amount is adjusted to be 1 sccm and 13 sccm. The silicon seed particles are grown on the substrate to form the polycrystalline silicon thin film.

Abstract translation: 提供一种制造多晶硅薄膜的方法，以通过在热脆性基板上形成大尺寸多晶硅薄膜来提高半导体器件的生产能力。 通过在含有硅烷自由基（14）的硅烷源（12）的蒸气气氛下进行气相沉积工艺，在基板（10）上形成多晶硅薄膜。 在第一沉积气氛（100）下，压力在22mT至100mT之间，硅烷源量调整为5sccm和30sccm。 引导硅烷基彼此碰撞，使得硅基颗粒（20）形成在基底上。 在第二沉积气氛下，压力在1mT至15mT之间，硅烷源量调节为1sccm和13sccm。 硅基颗粒在衬底上生长以形成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：KR1020080046508A

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：KR1020060116057

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  이상윤 ,  정지심

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display and a method for manufacturing the same are provided to improve reliability and production yield by forming each channel of a switching transistor and a driving transistor in one process simultaneously. A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display includes a switching transistor(101) and a driving transistor(102) which are coupled to each other. The switching transistor has a first dual channel layer(27a), a first gate electrode(20). The first dual channel has a first amorphous silicon layer(24a) and a first poly-crystal silicon layer(26a) which are sequentially stacked. The first gate electrode is formed on a lower part of the first dual channel layer, and is a counter part of the first amorphous silicon layer. The driving transistor has a second dual channel layer(27b), a second gate electrode(60). The second dual channel has a second amorphous silicon layer(24b) and a second poly-crystal silicon layer(26b) which are sequentially stacked. The second gate electrode is formed on a lower part of the second dual channel layer, and is a counter part of the second amorphous silicon layer.

Abstract translation: 提供有机发光显示器的单位像素的驱动装置及其制造方法，以通过同时在一个处理中形成开关晶体管和驱动晶体管的每个沟道来提高可靠性和生产率。 有机发光显示器的单位像素的驱动装置包括彼此耦合的开关晶体管（101）和驱动晶体管（102）。 开关晶体管具有第一双沟道层（27a），第一栅电极（20）。 第一双通道具有依次层叠的第一非晶硅层（24a）和第一多晶硅层（26a）。 第一栅电极形成在第一双沟道层的下部，并且是第一非晶硅层的对置部分。 驱动晶体管具有第二双沟道层（27b），第二栅电极（60）。 第二双通道具有依次层叠的第二非晶硅层（24b）和第二多晶硅层（26b）。 第二栅电极形成在第二双沟道层的下部，并且是第二非晶硅层的对置部分。

公开(公告)号：KR1020070110683A

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：KR1020060043463

申请日：2006-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667

Abstract: A degassing method of a thin layer and a manufacturing method of a silicon thin film using the same are provided to improve reliability by reducing effectively the amount of impurities within the silicon thin film. A degassing method includes a process for removing residual impurity gas from a thin film(3) formed with a predetermined material by applying microwaves of a predetermined frequency for inducing resonance of gas particles to the thin film, in order to remove the impurity gas from the thin film. The thin film is formed with a silicon thin film. A wavelength of the microwaves has a value of a range of 1mm to 1m. The frequency of the microwave corresponds to a natural frequency of the gas particles. A manufacturing method of the silicon thin film includes a process for forming the silicon thin film on a substrate(1) and a process for removing the residual gas from the silicon thin film by applying the microwaves to the silicon thin film.

Abstract translation: 提供薄层的脱气方法和使用其的硅薄膜的制造方法，以通过有效地减少硅薄膜内的杂质的量来提高可靠性。 脱气方法包括通过施加预定频率的微波来引起气体颗粒与薄膜的共振来从由预定材料形成的薄膜（3）中除去残余杂质气体的方法，以便从 薄膜。 该薄膜由硅薄膜形成。 微波的波长的值为1mm〜1μm的范围。 微波的频率对应于气体颗粒的固有频率。 硅薄膜的制造方法包括在基板（1）上形成硅薄膜的工艺以及通过向硅薄膜施加微波来从硅薄膜除去残留气体的工艺。

公开(公告)号：KR100707197B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020050052724

申请日：2005-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영수 ,  김정우 ,  권장연 ,  유인경

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H04M1/72527 ,  H04M1/0266

Abstract: 이동통신 단말기를 이용한 디스플레이 시스템이 개시된다. 이 시스템은 외부기기와 연결이 가능한 삽입부를 구비한 이동통신 단말기 및 이동통신 단말기의 삽입부에 삽입이 가능한 슬롯 형태의 연결부를 구비한 휴대용 디스플레이 디바이스를 구비하고, 상기 이동통신 단말기는 연속 및 불연속 데이터 전송방식 중 어느 한 방식에 의해, 화상 데이터를 상기 휴대용 디스플레이 디바이스로 전송하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 이동통신 단말기의 디스플레이 화면의 한계를 극복하여 화상을 보다 커다란 화면을 통해 디스플레이할 수 있도록 하며, 이동통신 단말기와 휴대용 디스플에이 디바이스의 연결단자를 최소화함으로써, 노이즈의 취약성을 극복하여 고해상도의 화상을 디스플레이 할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR1020060112451A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034915

申请日：2005-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김인선 ,  황희남 ,  타카시노구치 ,  권장연 ,  박영수

IPC: C08J5/00 ,  C08J3/20

CPC classification number: G02F1/133305 ,  B82Y30/00 ,  C08F222/1006 ,  C08K3/36 ,  C08K2201/011 ,  H01J5/02 ,  H01J9/241 ,  H01J2217/49264 ,  H01J2329/8615

Abstract: Provided are a plastic substrate for a display panel which is flexible, transparent and optically isotropic and is reduced in thermal deformation, its preparation method, and a resin composition for the plastic substrate. The plastic substrate comprises a thermosetting resin oligomer, an inorganic nanoparticle and 1,6-hexanediol diacrylate in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 by weight. Preferably the thermosetting resin oligomer is an acrylate or epoxy resin or a urethane-based acrylate resin; and the inorganic nanoparticle is a silica nanoparticle. The resin composition comprises a urethane-based acrylate oligomer; an inorganic nanoparticle; 1,6-hexanediol diacrylate; and a photoinitiator, in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 : 0.05-0.25 by weight.

Abstract translation: 提供一种用于显示面板的塑料基板，其具有柔性，透明和光学各向同性并且减少热变形，其制备方法和用于塑料基板的树脂组合物。 塑料基材包含按重量比为1:0.8-1.2:0.8-1.2的热固性树脂低聚物，无机纳米颗粒和1,6-己二醇二丙烯酸酯。 优选地，热固性树脂低聚物是丙烯酸酯或环氧树脂或氨基甲酸酯基丙烯酸酯树脂; 无机纳米粒子是二氧化硅纳米粒子。 树脂组合物包含氨基甲酸酯基丙烯酸酯低聚物; 无机纳米颗粒; 1,6-己二醇二丙烯酸酯; 和光引发剂，其比例为1:0.8-1.2:0.8-1.2:0.05-0.25重量比。