公开(公告)号：KR1019980068784A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005566

申请日：1997-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍배 ,  유차영 ,  신명환 ,  배재현

IPC: H01L21/302

Abstract: 강유전체막 형성방법 및 이에 사용되는 세정방법을 개시하고 있다. 이는, 스토리지 전극이 형성된 웨이퍼 앞면 전면에 강유전체를 함유하는 용액을 스핀-코팅(Spin-Coating)하는 단계와, 웨이퍼 앞면 에지부는 순수(DeIonized Water)로 세정하고, 웨이퍼 뒷면은 이소프로필 알콜(Iso Prophyl Alchohol)로 세정하여, 웨이퍼 앞면 에지부 및 웨이퍼 뒷면에 코팅된 강유전체를 함유하는 용액을 제거하는 단계와 어닐링 공정을 통해 스핀 코팅된 층을 고체화시켜 강유전체막을 형성하는 단계를 구비한다. 따라서, 강유전체 막 형성시 웨이퍼 앞면 에지부에 코팅된 PZT 용액을 순수로 제거하고 뒷면 에지부에 코팅된 PZT 용액을 IPA로 완전히 제거할 수 있기 때문에, 고온 열처리 공정 및 차후 공정 진행시 이로 인한 파티클 원인을 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980026824A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045389

申请日：1996-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병희 ,  박인선 ,  이상민 ,  박홍배

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 커패시터 제조방법에 관해 개시한다. 커패시터를 형성하는 과정, 특히 강유전체막을 형성하는 과정에서 기판의 원하는 영역이외의 영역 예컨대, 단차가 있는 영역에서 필요없는 강유전체막과 전극물질을 제거하기 위해 원하는 곳에서 상부전극까지 정상적으로 형성된 커패시터를 특정물질층과 포토레지스트막을 사용하여 마스킹한 후 주위의 불필요한 유전물질과 전극물질을 제거한다.
이렇게 할 경우 커패시터 기판의 커패시터가 형성되지 않은 영역에서 전극물질등을 제거하여 콘택형성등 다른 공정에 악영향을 주지 않게 할 수 있을 뿐만 아니라 불필요한 부분에 형성된 유전체 또는 전극물질의 제거를 위한 과도식각이 불필요하여 커패시터가 형성된 영역주위에 단차가 형성되는 것을 막을 수 있다.