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公开(公告)号:KR1020050032825A
公开(公告)日:2005-04-08
申请号:KR1020030068799
申请日:2003-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67772 , H01L21/6735 , H01L21/67769
Abstract: Equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a native oxide layer from being formed on a wafer in a FOUP(front open unified pod) by transferring and storing the FOUP while the FOUP is filled with inactive gas. A plurality of semiconductor substrates are received in equipment for fabricating a semiconductor device by using a container having a hole in its one surface. A predetermined process is performed on the semiconductor substrate in a process chamber. A gas injecting part injects gas to the inside of the container having the plurality of semiconductor substrate having undergone the process. A sealing member stops up the hole formed in the container to seal the container into which the gas is injected.
Abstract translation: 提供用于制造半导体器件的设备,以通过在FOUP填充有惰性气体的同时传送和存储FOUP来防止在FOUP(前开合的统一盒)中的晶片上形成自然氧化物层。 多个半导体基板通过使用在其一个表面上具有孔的容器而被接收在用于制造半导体器件的设备中。 在处理室中的半导体衬底上执行预定处理。 气体注入部分将气体注入到已经经历过多个半导体衬底的容器的内部。 密封构件阻止形成在容器中的孔以密封注入气体的容器。
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公开(公告)号:KR1020040012177A
公开(公告)日:2004-02-11
申请号:KR1020020045611
申请日:2002-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67034 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer drying apparatus using an IPA(IsoPropyl Alcohol) vapor drying process is provided to be capable of stably fixing semiconductor wafers for securing a predetermined interval between neighboring semiconductor wafers. CONSTITUTION: A semiconductor wafer drying apparatus includes a plurality of semiconductor wafer support parts(230). Each semiconductor wafer support part includes the first to third guide(231,233), and the first and second protecting part(410,420). At this time, the first and second guide include the first and second guide groove for inserting the lower side of a semiconductor wafer(100). At the time, the third guide has the third guide groove for inserting the bottom side of the semiconductor wafer. Preferably, the first and second guide groove are formed into a 'V' shaped structure. Preferably, the third guide groove is formed into an 'Y' shaped structure.
Abstract translation: 目的:提供使用IPA(异丙醇)蒸气干燥工艺的半导体晶片干燥装置,其能够稳定地固定半导体晶片,以确保相邻半导体晶片之间的预定间隔。 构成:半导体晶片干燥装置包括多个半导体晶片支撑部(230)。 每个半导体晶片支撑部分包括第一至第三引导件(231,233)以及第一和第二保护部件(410,420)。 此时,第一和第二引导件包括用于插入半导体晶片(100)的下侧的第一和第二引导槽。 此时,第三引导件具有用于插入半导体晶片的底侧的第三引导槽。 优选地,第一和第二引导槽形成为“V”形结构。 优选地,第三引导槽形成为“Y”形结构。
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公开(公告)号:KR100626363B1
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:KR1020030039851
申请日:2003-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체기판의 건조 장치를 제공한다. 이 장치는 상기 세정조 내부로 불활성 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 구비한다. 이 가스 공급부는 밸브가 설치된 그리고 가스 공급원에 연결되는 제1가스공급라인과 제1가스공급라인에 밸브를 우회하도록 연결되는 바이패스라인 그리고 바이패스라인과 제1가스공급라인에 설치되어 불활성 가스의 유량을 조절하기 위한 유량 조절계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020060089527A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:KR1020050010797
申请日:2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 웨이퍼를 지지하고, 회전시키기 위한 회전척; 세정액 공급 배관으로부터 공급된 세정액에 초음파 진동을 인가하기 위한 초음파 진동부를 구비하고, 상기 초음파 진동이 인가된 세정액을 상기 웨이퍼에 분사하기 위한 적어도 두 개 이상의 노즐부를 구비한 세정액 분사 수단; 상기 세정액 분사 수단을 상기 웨이퍼 상부의 수평면상에서 좌우로 원호운동시키기 위한 회전 구동부를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 적어도 두 개 이상의 노즐부를 통해 단시간 내에 웨이퍼에 초음파 진동이 인가된 세정액을 분사함으로써 웨이퍼에 분사되는 세정액의 분사 범위를 보다 넓게 할 수 있고, 이를 통해 웨이퍼 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
웨이퍼, 세정, 초음파, 노즐-
公开(公告)号:KR100486258B1
公开(公告)日:2005-05-03
申请号:KR1020020053925
申请日:2002-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 본 발명의 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스와, 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내의 내부 공간으로 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인과, 챔버 내의 증기를 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인과, 배스 내의 탈이온수를 배스 밖으로 배출시키기 위하여 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인과, 배스 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 반도체 웨이퍼 지지대, 및 반도체 웨이퍼 지지대의 양 옆에서 반도체 웨이퍼로부터 분리되는 제1 위치 및 반도체 웨이퍼의 측면 가장자리와 접촉되어 반도체 웨이퍼의 움직임을 방지하는 제2 위치로의 수직 이동이 가능한 피치 가이드를 구비한다.
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公开(公告)号:KR100269291B1
公开(公告)日:2000-10-16
申请号:KR1019970005566
申请日:1997-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a wafer is provided, which can remove a film formation solution coated on a front surface and a back surface edge part of the wafer while forming a ferroelectric using a Sol-Gel method. CONSTITUTION: According to the method, a PZT(PbZrTiO3) solution coated on a front surface edge part of the wafer(11) is removed with a DI(Deionized) water, and a PZT solution coated on a back surface edge part is removed with an IPA(IsoProphyl Alcohol). Thus, particles can be prevented which are generated during a high temperature annealing process and following processes. The method includes a step of coating a solution containing a component of a film to be formed as a dielectric film on the wafer(11), and a step of rinsing the wafer(11) coated with the solution containing a ferroelectric.
Abstract translation: 目的:提供一种用于清洁晶片的方法,其可以使用Sol-Gel方法除去涂覆在晶片的前表面和后表面边缘部分上的成膜溶液,同时形成铁电体。 构成:根据该方法,用DI(去离子水)除去涂布在晶片(11)的前表面边缘部分上的PZT(PbZrTiO 3)溶液,并且将涂覆在背面边缘部分上的PZT溶液用 IPA(异丙醇)。 因此,可以防止在高温退火工艺和后续工艺中产生的颗粒。 该方法包括在晶片(11)上涂布含有要作为电介质膜形成的膜的成分的溶液的步骤,以及对含有铁电体的溶液进行了涂覆的晶片(11)的步骤。
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公开(公告)号:KR100480606B1
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:KR1020020045611
申请日:2002-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67034 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명의 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스와, 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인과, 챔버 내의 아이피에이 증기를 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인과, 배스 내의 탈이온수를 배스 밖으로 배출시키기 위하여 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인, 및 반도체 웨이퍼들 사이에 배치되어 건조 공정을 진행하는 과정에서 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020040110508A
公开(公告)日:2004-12-31
申请号:KR1020030039851
申请日:2003-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A substrate drying apparatus is provided to improve a drying efficiency by adjusting amounts of gas, such as N2+IPA(IsoPropyle Alcohol) and high temperature nitrogen, independently of respective processes. CONSTITUTION: A substrate drying apparatus includes a cleaning tub(110), a solvent supply member, and a gas supply member. The cleaning tub contains a cleaning agent. The solvent supply member supplies a solvent vapor to the cleaning tub. The gas supply member supplies an inertia gas to the cleaning tub. The gas supply member includes a gas supply source, a first gas supply line(152), a heater(154), a second gas supply line(156a,156b,156c), a bypass line(158), and a flowmeter(172,174). The first gas supply line includes a valve and is coupled with the gas supply source. The heater heats the gas from the first gas supply line. The second gas supply line supplies the heated gas to the cleaning tub. The bypass line bypasses the valve. The flowmeter is implemented on the bypass line and the first gas supply line to adjust an amount of the inertia gas.
Abstract translation: 目的:提供一种基板干燥装置,以独立于各自的工艺,通过调节N 2 + IPA(异丙醇)和高温氮气等气体的量来提高干燥效率。 构成:基材干燥装置包括清洗桶(110),溶剂供给部件和供气部件。 清洁桶含有清洁剂。 溶剂供应构件向清洗桶供应溶剂蒸汽。 气体供给构件向清洗槽供给惯性气体。 气体供给构件包括气体供给源,第一气体供给管线(152),加热器(154),第二气体供给管线(156a,156b,156c),旁通管线(158)和流量计(172,174 )。 第一气体供应管线包括阀,并与气体供应源联接。 加热器加热来自第一气体供应管线的气体。 第二气体供应管线将加热的气体供应到清洁桶。 旁路管路绕过阀门。 流量计实现在旁路管路和第一气体供应管线上,以调节惰性气体的量。
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公开(公告)号:KR100572321B1
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:KR1020030068799
申请日:2003-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67772 , H01L21/6735 , H01L21/67769
Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제조하는 설비에 관한 것으로, 상기 설비는 웨이퍼 에 소정 공정을 수행하는 처리실과 공정이 완료된 웨이퍼들을 수납하는 FOUP이 보관되는 스토커를 가진다. FOUP은 내부가 질소가스로 채워진 상태로 스토커에 보관되며, 상기 스토커 내에 FOUP이 놓여지는 받침대 상에는 FOUP에 형성된 홀을 막는 밀봉부재가 고정 설치된다.
FOUP, 스토커, 자연산화막, 밀봉부재Abstract translation: 本发明涉及一种设备制造半导体器件,该设备具有一个储料器,其用于容纳所述晶片处理腔室中的FOUP是在晶片上执行预定处理的步骤是完整的存储。 FOUP的内部保持在储料器中充满氮气,用密封部件防止形成在其上的FOUP形成在基体的孔中的状态被放置在FOUP存货被牢固地固定。
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公开(公告)号:KR1020050076264A
公开(公告)日:2005-07-26
申请号:KR1020040004178
申请日:2004-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057
Abstract: 세정액이 수용되는 세정조에는 반도체 기판들을 세정조에 투입 및 반출하기 위하여 승강 및 이동하는 캐리어 부재가 설치되고, 세정조의 내부에는 반도체 기판들을 수직방향으로 지지하기 위한 가이드 랙이 배치된다. 캐리어 부재에는 무게 감지 센서가 장착되어 세정조에 반도체 기판들을 투입하기 직전에 캐리어 부재에 부가되는 반도체 기판들의 무게와 세정조로부터 반도체 기판들을 반출한 후 캐리어 부재에 부가되는 반도체 기판의 무게를 측정한다. 제어부는 상기 무게들을 비교하여 기 설정된 오차범위를 초과 시 해당 공정을 중지한다. 세정공정 중에 반도체 기판이 파손되어 세정조 내부에 파손된 반도체 기판의 일부가 잔류하면 무게 감지 센서는 파손된 반도체 기판의 일부 무게만큼 캐리어 부재에 부가되는 반도체 기판의 무게가 감소한 것을 감지하고 공정 에러가 발생한 것을 예측한다. 따라서 세정조 내부에 반도체 기판이 잔류하여 발생되는 대형 공정 사고를 예방할 수 있을 뿐만 아니라 생산 수율까지 향상되어 경제적, 시간적으로 큰 효과를 얻을 수 있다.
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