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公开(公告)号：KR101774491B1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020110105205
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/42 , H01L27/30 , H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/424 , H04N5/3698 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 유기픽셀이개시된다. 상기유기픽셀은픽셀회로를포함하는반도체기판위에형성되고제1컨택과제1전극을포함하는인터커넥션층과상기인터커넥션층의위에형성된유기포토다이오드를포함한다. 상기유기포토다이오드는상기제1전극위에형성된절연층과, 제2전극과, 전자공여유기물질과전자수용유기물질을포함하며, 상기제1컨택, 상기절연층, 및상기제2전극사이에형성된광전변환영역을포함한다. 상기유기포토다이오드는상기제1컨택에전기적으로접속된제2컨택을더 포함하며, 상기제2컨택과상기절연층은일정한갭을갖는다.
Abstract translation: 公开了有机像素。 其中，在形成包括形成在互连层和包括所述第一电极的第一触点分配的互连层上形成像素电路的半导体衬底上，其包含有机光电二极管的有机像素。 有机光电二极管形成在电极上的第一绝缘层，和第二电极之间形成的，包括供电子性有机材料和受电子性有机材料，其中，所述第一接触，绝缘层，和第二电极 还有一个光电转换区。 有机光电二极管还包括电连接到第一触点的第二触点，并且第二触点和绝缘层具有恒定的间隙。
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公开(公告)号：KR1020170057788A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020150161397
申请日：2015-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/14647 , H01L27/14692
Abstract: 제1 가시광을감지하는제1 광감지소자와제2 가시광을감지하는제2 광감지소자가집적되어있는반도체기판, 그리고상기반도체기판의일면에위치하고상기제1 가시광및 상기제2 가시광보다장파장영역인제3 가시광을선택적으로감지하는제3 광감지소자를포함하고, 상기제1 광감지소자와상기제2 광감지소자는상기반도체기판의두께방향으로중첩하게배치되어있는이미지센서에관한것이다.
Abstract translation: 第一光敏器件和所述第二光敏器件，在半导体基板上形成为一体，并且位于具有所述第一可见光和比所述第二可见光长波长区域中的半导体基板的一个表面，以检测第二可见光来检测可见光 以及用于选择性地感测第三可见光的第三光敏器件，其中第一光敏器件和第二光敏器件在半导体衬底的厚度方向上以重叠的方式设置。
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103.发明授权산화물 반도체 형성용 조성물, 이를 이용한 잉크젯 프린팅 공정 및 상기 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자 소자 有权用于形成使用该氧化物半导体喷墨印刷工艺的组合物和包括氧化物半导体薄膜的电子器件
公开(公告)号：KR101652794B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020100139354
申请日：2010-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B5/14 , H01L29/786
Abstract: 금속산화물전구체; 졸안정화제; 및용매;를포함하며, 상기금속산화물전구체 1몰당졸 안정화제를 2몰이상포함하는산화물반도체형성용조성물은점도가증가하여잉크젯프린팅이가능며, 균일한산화물반도체박막을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160062708A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020150164599
申请日：2015-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D345/00 , C07D421/12 , C07C391/00 , C07C395/00 , C09K11/06 , H01L51/42 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/006 , C07D333/36 , C07D333/48 , C07D345/00 , C07D421/06 , C07F7/0818 , C09B23/04 , C09B57/008 , H01L27/307 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/42 , H01L51/447 , Y02E10/549
Abstract: 하기화학식 1의유기광전소자용화합물및 이를포함하는유기광전소자, 이미지센서및 전자장치를제공한다: [화학식 1]상기화학식 1에서, 각치환기의정의는명세서에기재된바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的有机光电装置用化合物，涉及包含该化合物的有机光电装置，图像传感器和电子装置。 在化学式1中，每个取代基与说明书中所述相同。 此外，有机光电装置用化合物可以选择性地吸收绿色波长区域的光。
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公开(公告)号：KR101475411B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020080068664
申请日：2008-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78624 , H01L29/66765
Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101472798B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080019304
申请日：2008-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.
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公开(公告)号：KR1020140106767A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130019421
申请日：2013-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/00 , H01L31/04 , H01L31/08 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/442 , H01L27/307 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: The present invention relates to a photoelectric device which comprises: a first electrode; a second electrode facing the first electrode; an active layer between the first electrode and the second electrode; and an auxiliary layer between the first electrode and the active layer. The auxiliary layer includes a first auxiliary layer including a metal oxide and a metal; and a second auxiliary layer including a first organic material having a HOMO energy level greater than or equal to 6.0 eV.
Abstract translation: 本发明涉及一种光电器件，其包括：第一电极; 面对所述第一电极的第二电极; 在第一电极和第二电极之间的有源层; 以及在第一电极和有源层之间的辅助层。 辅助层包括包含金属氧化物和金属的第一辅助层; 以及包括HOMO能级大于或等于6.0eV的第一有机材料的第二辅助层。
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公开(公告)号：KR101375831B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020070124382
申请日：2007-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2203/01
Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 적어도 하나의 스토리지 캐퍼시터;를 구비하고, 상기 스토리지 캐퍼시터는, 투명한 산화물 반도체로 이루어진 스토리지 전극과, 이 스토리지 전극과 일정 간격으로 두고 대향되게 배치되는 화소 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140034693A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020130106751
申请日：2013-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/442 , H01L51/0021 , H01L51/5203 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , Y02E10/549
Abstract: The present invention relates to a transmissive electrode, a photoelectronic device and an image sensor. More particularly, the present invention relates to a transmissive electrode with improved properties for improving photoelectric conversion efficiency, a photoelectronic device and an image sensor. According to the embodiment of the present invention, the transmissive electrode with improved properties for improving photoelectric conversion efficiency, the photoelectronic device and the image sensor comprises a transmissive electrode which includes a transmissive layer which includes metal and metal oxide.
Abstract translation: 本发明涉及透射电极，光电子器件和图像传感器。 更具体地说，本发明涉及具有改善光电转换效率的特性的透射电极，光电器件和图像传感器。 根据本发明的实施例，具有改善光电转换效率的特性的透射电极，光电子器件和图像传感器包括透射电极，其包括包括金属和金属氧化物的透射层。
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公开(公告)号：KR101345376B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070052226
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.
Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。
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