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公开(公告)号:KR100544235B1
公开(公告)日:2006-01-23
申请号:KR1020030028681
申请日:2003-05-06
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: 본 발명은 활성화된 SOI(Silicon On Insulator,이하 SOI) 웨이퍼부에 형성된 채널; 상기의 채널을 감싸고 있는 게이트 절연막; 상기 채널의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트; 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스와 드레인; 및 상기 게이트와 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층을 포함하여 이루어진 SOI MOSFET(Metal-Oxide Semicondutor Field Effect Transistor, 이하 MOSFET)를 기본 구조로 하여, 나노 사이즈의 채널을 형성하는 구조 및 게이트와 채널의 중성영역인 바디가 전기적으로 연결된 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터에 관한 것이다.
본 발명의 포토디텍터는 플로우팅 게이트와 중성영역인 바디가 전기적으로 연결된 MOSFET형 구조를 가지는 동시에 나노 사이즈 레벨의 채널폭을 가짐으로써 기존의 구조에 비해 단위 면적당 광에 대한 감도가 매우 뛰어나고, 또한 SOI 구조의 기판위에 형성된 나노 사이즈의 채널을 통해 국부적인 전위방벽에 의한 암전류를 현저히 감소시키며 다이나믹 레인지가 넓어지는 장점이 있다.
따라서, 본 발명의 고감도 나노 포토디텍터는 입사하는 광량에 매우 민감하게 반응하는 고감도 포토디텍터를 제조 할 수 있는 장점이 있다.
고감도, 나노, 포토디텍터, SOI, MOSFET, 양자채널-
公开(公告)号:KR1020050067650A
公开(公告)日:2005-07-05
申请号:KR1020030098648
申请日:2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: 본 발명은 차동형 이종접합 포토트랜지스터에 관한 것으로, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 적어도 둘 이상 어레이하고 일부의 이종접합 포토트랜지스터에 차광막을 형성하여 차동형 이종접합 포토트랜지스터를 제작함으로써, 암전류가 낮은 값을 가지는 이상적인 수광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 고용하여, 종래의 PIN 광검출기에 비하여, 높은 감도와 넓은 동적 범위(Dynamic range) 특성을 가지므로, 매우 미약한 근적외 광신호를 감지할 수 있어 인체 감지와 같은 의료용, 환경용, 군사용 등에 응용할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR200367729Y1
公开(公告)日:2004-11-15
申请号:KR2020040024408
申请日:2004-08-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/80
Abstract: 본 고안은 pH 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액의 광학적 특성으로 pH를 측정하는 pH 센서에 관한 것이다.
본 고안의 상기 목적은 시료 용액과 지시약 용액이 각각 주입되는 주입부; 상기 주입부와 연결되며 시료 용액과 지시약 용액이 접촉하며 층흐름으로 흘러가는 미세 통로; 및 상기 시료 용액과 지시약 용액이 배출되는 배출부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 칩을 이용한 pH 센서에 의해 달성된다.
따라서, 본 고안에 의한 마이크로 칩을 이용한 pH 센서는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액만으로 pH를 측정하고 층흐름(laminar flow)을 이용하여 pH 측정 후 시료 용액을 회수할 수 있는 특징이 있다.
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