후면전극 및 이를 포함하는 CIS계 태양전지
    102.
    发明授权
    후면전극 및 이를 포함하는 CIS계 태양전지 有权
    返回接触和基于CIS的太阳能电池,包括它

    公开(公告)号:KR101315311B1

    公开(公告)日:2013-10-04

    申请号:KR1020120076570

    申请日:2012-07-13

    Abstract: PURPOSE: A back electrode and a CuInSe2 (CIS) solar cell including the same are provided to improve the efficiency of the CIS solar cell by using a first electrode layer and a second electrode layer. CONSTITUTION: A back electrode is formed between a substrate and a CIS light absorbing layer. The CIS light absorbing layer includes CuInxGa1-xSe2 (CIGS). The back electrode includes a first electrode layer and a second electrode layer. The first electrode layer is formed on the substrate. The first electrode layer is made of a metal material. The second electrode layer is formed on the first electrode layer. The second electrode layer is made of a metal material in which Na is not included. The thickness ratio of the first electrode layer and the second electrode layer is from 10:3 to 10:1. The amount of Na contained in the first electrode layer is less than 15 wt%.

    Abstract translation: 目的:提供包括其的背面电极和CuInSe2(CIS)太阳能电池,以通过使用第一电极层和第二电极层来提高CIS太阳能电池的效率。 构成:在基板和CIS光吸收层之间形成背面电极。 CIS光吸收层包括CuInxGa1-xSe2(CIGS)。 背面电极包括第一电极层和第二电极层。 第一电极层形成在基板上。 第一电极层由金属材料制成。 第二电极层形成在第一电极层上。 第二电极层由不包括Na的金属材料制成。 第一电极层和第二电极层的厚度比为10:3〜10:1。 第一电极层中含有的Na的量小于15重量%。

    Na 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지
    105.
    发明公开
    Na 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지 无效
    使用无磷基材和其制备的太阳能电池制备基于CIGS的薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020130105325A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:KR1020130009174

    申请日:2013-01-28

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing a CIGS-based thin film solar cell using a Na-free substrate and a solar cell prepared by the same are provided to improve the efficiency of the solar cell by forming a thin film solar cell module. CONSTITUTION: A molybdenum electrode is formed on a Na-free substrate (S1). An Na source thin film is formed on a part of the surface of the substrate including the molybdenum electrode (S2). A CIGS-based precursor thin film is formed on the substrate including the Na source thin film (S3). The Na of an Na source is diffused into the CIGS-based thin film (S4) by a thermal selenization process. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a molybdenum electrode on the surface of an Na-free substrate; (CC) S1 step; (DD) Form an Na source thin film on a part of the surface of the substrate including the molybdenum electrode; (EE) S2 step; (FF) Form a CIGS-based precursor thin film; (GG) S3 step; (HH) Diffuse Na of an Na source into the CIGS-based thin film through selenide heat treating; (II) S4 step; (JJ) End

    Abstract translation: 目的:提供一种使用无Na基材和由其制备的太阳能电池制备CIGS基薄膜太阳能电池的方法,以通过形成薄膜太阳能电池模块来提高太阳能电池的效率。 构成:在无Na衬底上形成钼电极(S1)。 在包括钼电极的基板的表面的一部分上形成Na源薄膜(S2)。 在包括Na源薄膜的基板上形成基于CIGS的前体薄膜(S3)。 Na源的Na通过热硒化过程扩散到CIGS基薄膜(S4)中。 (附图标记)(AA)开始; (BB)在无Na基材的表面上形成钼电极; (CC)S1步; (DD)在包括钼电极的基板的表面的一部分上形成Na源薄膜; (EE)S2步骤; (FF)形成基于CIGS的前体薄膜; (GG)S3步骤; (HH)通过硒化物热处理将Na源扩散到CIGS基薄膜中; (二)S4步骤; (JJ)结束

    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법
    106.
    发明授权
    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법 有权
    具有背面TCO层的CIS / CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101230973B1

    公开(公告)日:2013-02-07

    申请号:KR1020110122499

    申请日:2011-11-22

    Abstract: PURPOSE: A CIS/CIGS based solar cell including a rear TCO(Transparent Conducting Oxide) layer is provided to maximize the amount of incident light by removing a disturbance to reduce the amount of incident light. CONSTITUTION: A first molybdenum electrode and a second molybdenum electrode are separated on a substrate with a preset space. The first molybdenum electrode and the second molybdenum electrode are arranged on the substrate in parallel. A TCO layer(30) is arranged on the upper side and the lateral side of the second molybdenum electrode. A buffer layer(40) is arranged on the upper side and the lateral side of the TCO layer. A light absorption layer(50) is arranged on the buffer layer and the first molybdenum electrode.

    Abstract translation: 目的:提供包括后TCO(透明导电氧化物)层的基于CIS / CIGS的太阳能电池,以通过去除干扰来最大化入射光的量以减少入射光的量。 构成:第一钼电极和第二钼电极在基板上以预设空间分开。 第一钼电极和第二钼电极平行布置在基板上。 TCO层(30)设置在第二钼电极的上侧和外侧。 缓冲层(40)设置在TCO层的上侧和外侧。 在缓冲层和第一钼电极上设置有光吸收层(50)。

    Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 화합물 반도체 박막의 제조장치 및 이를 이용한 제조방법
    107.
    发明授权
    Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 화합물 반도체 박막의 제조장치 및 이를 이용한 제조방법 有权
    α-α-β2复合半导体薄膜的制造装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101094315B1

    公开(公告)日:2011-12-19

    申请号:KR1020090084397

    申请日:2009-09-08

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 셀렌화 또는 황화 방식으로 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ
    2 화합물 반도체 박막을 제조할 때 사용되는 장치에 관한 것이다.
    본 발명의 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ
    2 화합물 반도체 박막의 제조장치는, 기판이 놓이는 홀더가 내부에 형성되고 상부가 개방된 챔버; 상기 챔버 상부에 결합되고 히팅 램프를 포함하는 상부 램프부; 및 상기 챔버의 하부에 결합되고 히팅 램프를 포함하는 하부 램프부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    이에 따라, 원하는 공정에 맞춰 다양한 램프를 용이하게 교체하여 사용할 수 있다. 특히 적외선 램프를 사용함으로써, 깊이 방향으로 균일도가 향상된 박막을 형성할 수 있다.
    Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 화합물 반도체 박막, CIS, CIGS, 셀렌화, 셀레늄화, 태양전지

    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치
    108.
    发明公开
    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치 有权
    用于太阳能电池吸收层的基于CIS的复合薄膜的沉积装置

    公开(公告)号:KR1020100088321A

    公开(公告)日:2010-08-09

    申请号:KR1020090007470

    申请日:2009-01-30

    CPC classification number: Y02E10/52 Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A CIS system compound thin film manufacturing device is provided to form a uniform thin film by preventing the heat loss and the damage of a substrate due to contact. CONSTITUTION: A vacuum chamber(20) includes a boat containing elements such as Cu, In, Ga. A heating part(30) comprises a body, a tray and a heating source. A pyrometer(40) measures the temperature of the substrate placed in the tray. A controller receives a signal which is measured from the pyrometer. The pyrometer is installed inside the body of the heating part and measures the temperature of the back side of the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供CIS系统复合薄膜制造装置,通过防止由于接触导致的热损失和基板的损坏而形成均匀的薄膜。 构成:真空室(20)包括容纳诸如Cu,In,Ga的元件的舟皿。加热部件(30)包括主体,托盘和加热源。 高温计(40)测量放置在托盘中的基板的温度。 控制器接收从高温计测量的信号。 高温计安装在加热部件的主体内,并测量基板背面的温度。

    연속난방식 온돌난방 주택의 다인자 온도제어장치
    109.
    发明授权
    연속난방식 온돌난방 주택의 다인자 온도제어장치 失效
    用于连续加热加热面板的多参数温度控制装置

    公开(公告)号:KR100161229B1

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR1019960032941

    申请日:1996-08-08

    Abstract: 본 발명은 주택의 연속난방 시스템에 있어서, 각 가장에 공급되는 난방 온수를 공급 또는 차단해 주는 온수 공급밸브의 개폐를 제어하여 공급온수의 유량을 조절하는 제어장치에 관한 것으로, 두 개의 센서 입력점에서 실내 공기의 온도값과 방 바닥표면의 온도값을 입력받아 실내공기와 바닥표면 온도를 순차적으로 제어대상으로 하여 각 온도가 설정된 온도값에 못 미칠 때에는 제어시간 만큼 온수 공급밸브를 열어 가열하고 가열에 의해 실내온도 및 바닥표면온도 설정치값보다 올라가면 온수 공급밸브가 닫히게 하는 개폐동작을 반복되게 하여서 설정된 온도값 내에서 바닥온도 표면도와 실내온도를 동시에 유지할 수 있게 하고, 적정온도 유지에 따른 난방열 에너지의 손실을 최소화함과 동시에 난방 효율을 크게 향상시킬 수 있으며, 항상 쾌적한 실내 온도 상에서 생활을 할 수 있게 구성한 것이다.

    프레임을 이용한 진공창 제조방법
    110.
    发明公开
    프레임을 이용한 진공창 제조방법 失效
    真空窗框架的制造方法

    公开(公告)号:KR1019980014108A

    公开(公告)日:1998-05-15

    申请号:KR1019960032938

    申请日:1996-08-08

    Abstract: 본 발명은 실내 난방열이 창문을 통해 손실되는 것을 최소화 할 수 있는 진공창의 모서리 씰링을 고무나 실리콘으로된 개스킷이 내설되고 아크릴이나 Pe, PP, 알류미늄 등으로 제작된 프레임을 유리의 모서리에 부착하여 공기를 뽑을때 프레임의 개스킷이 유리에 밀착되면서 진공이 가능하게 함으로써, 종래와 같이 별도의 진공챔버 없이도 진공창의 제작이 가능하고, 작업 공정의 단순화에 따른 작업인력 손실을 줄일 수 있으며, 제품의 생산성 향상 및 생산원가를 절감할 수 있는 프레임을 이용한 진공창 제조방법에 관한 것으로, 지지대에 의해 소정의 간격을 이룬 유리의 모서리에 개스킷이 내설되고, 중앙에 유리 사이의 공간부로 끼워지케 돌출형성된 간격유지부와 양측으로 절곡형성된 측벽에 의해 형성되어진 유리삽입부로 이루어진 프레임을 부� �하여 진공튜브를 통해 공기를 뽑음으로 해서 유리 모서리에 개스킷이 밀착되어지게 한 것이다.

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