Abstract:
본 발명은 플라즈마 반응부에 근접하여 제1가스 주입관를 위치시키되, 제2가스 주입관은 플라즈마 반응부로부터 멀리 위치시키고, 주입가스 별로 주입관을 교차배열시킴으로서, 제1가스 간에 혼합이 충분히 이루어질 뿐 아니라, 플라즈마 반응영역에서도 제1가스와 제2가스 간의 균일한 플라즈마 반응이 가능하며, 짧은 체류시간 동안 플라즈마 밀도를 높임으로서 플라즈마 퍼짐현상도 최소화되고, 보다 입도제어가 용이하고, 생성입자 간의 입자응집 형성을 억제하고자 한다.
Abstract:
실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치가 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 박막 증착방법은 실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및 상기 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 증착 방법 및 장치는, 합성된 실리콘계 나노입자를 또 다른 공정에서 전처리하지 않고, 합성과 동시에 기판에 증착시키므로, 나노입자 오염에 따른 전지효율 저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 단일 시스템에서 합성과 증착이 진행되므로 경제성이 우수하며, 더 나아가, 나노입자의 속도 및 기판 높이를 조절함으로써 대면적 기판에서 원하는 형태의 나노입자 박막의 증착이 가능하다.
Abstract:
The present invention provides a device for coating a substrate using a rotator comprising a rotator (100) which contains a substrate (B, B1) in the internal peripheral surface to be rotated; and a solution spray means which is arranged in the rotator (100) to spray a coating solution (S) toward the substrate when the rotator (100) is rotated, wherein the solution (S) is uniformly coated on the surface of the substrate by gravity and centrifugal force. With the above constitutions, the present invention has the advantages of coating the solution on the surface of the substrate in a uniform thickness using the rotation centrifugal force and the gravity of the rotator and variably adjusting the rotation speed of the rotator according to the density and viscosity of the solution (S). Furthermore, due to the gravity and the centrifugal force which presses the solution to be uniformly spread, the present invention may be also applied to the substrate having textures. [Reference numerals] (30) Driving source
Abstract:
The present invention relates to a manufacturing method for a silicon solar cell, more particularly, the present invention comprises a step of (a) forming patterns by using a masking paste which makes an opening on a front surface of a silicon substrate which is doped by a first conductivity type impurity in the position corresponding to the location of an electrode of the silicon solar cell, a step of (b) drying out the printed doping paste which includes a second conductivity type impurity in a first are of the surface of the silicon substrate that is exposed by the opening, a step of (c) removing the patterns, a step of (d) forming a first emitter layer by applying a first heat treatment to the silicon substrate, and to diffuse the second conductivity type impurity including the doping paste through the first area to inside of the silicon substrate, and a step of (e) forming a second emitter layer by applying a second heat treatment to the silicon substrate in order to dope the second conductivity type impurity. By these steps of the present invention, it may prevent the phenomenon of the deposited doping paste to be widely spreaded by using the patterns so that it can further maintain and reduce the contact resistance caused between the electrode of the surface and the emitter payer.
Abstract:
The present invention is to provide a method for manufacturing a heterojunction solar cell. The method for manufacturing a heterojunction solar cell includes a step for spraying a first nanoink layer including intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; a step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the firs nanoink layer; a step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; and a step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate. [Reference numerals] (AA) Step for spraying a first nanoink layer ncluding intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; (BB) Step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the first nanoink layer; (CC) Step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; (DD) Step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate
Abstract:
액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법, 장치 및 이에 의하여 텍스쳐링된 박막 태양전지가 제공된다. 본 발명에 따른 액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법은 텍스쳐링 용액 액적을 형성하는 단계; 박막 태양전지가 내부에 적치되며, 플라즈마가 형성된 플라즈마 반응기에 텍스쳐링 용액 액적을 주입하는 단계; 및 상기 박막 태양전지를 텍스쳐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 텍스쳐링 방법, 장치는 별도의 챔버에서 다단계로 진행되는 종래의 텍스쳐링 공정과 달리, 하나의 챔버에서 모든 텍스쳐링 공정이 진행된다. 따라서, 공정 경제성이 우수하고, 습식 식각액을 사용하는 종래 기술에 비하여, 공정 제어가 용이한 플라즈마 반응기를 이용하므로, 보다 환경 친화적이다는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히 태양 전지에서 생산되는 전기 중 일부로 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 태양 전지는, 제 1 태양 전지; 제 2 태양 전지; 및 상기 제 2 태양 전지와 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하는 발열층을 포함한다. 또한, 이에 따라 본 발명은 태양 전지의 일부 태양 전지 셀 라인에서 자체 생산되는 전기로 발열층을 가열하여 태양 전지 후면의 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고, 열화에 따른 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for depositing a silicon-series nano particle thin film, a silicon-series nano particle thin film, and a device for depositing a nano particle thin film are provided to combine and deposit silicon-series nano particles in one system, thereby preventing contamination of nano particles from the outside. CONSTITUTION: Silicon-series nano particles are combined. The combined silicon-series nano particles are transferred by pressure. The silicon-series nano particles are deposited by a reaction gas. The inputted reaction gas is dissolved so that a silicon-series thin film is deposited on a substrate.
Abstract:
본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히, 태양 전지의 후면에 구비된 발열층을 가열하는 발열체를 이용하여 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지는, 상기 태양 전지의 일면에 구비된 발열층; 및 상기 발열층에 열을 전달하는 발열체를 포함하여 이루어진다. 또한, 이에 따라, 본 발명은 태양광을 집광하여 발열하는 발열체와 발열체에서 열을 전달받아 태양 전지의 후면 온도를 일정하게 상승 및 유지시켜 태양 전지의 열화를 방지하는 발열층을 구비하여 열화에 따른 태양 전지의 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 발열체를 이용하여 추가적인 전력 소모 없이 태양 전지 후면의 온도를 일정하게 상승 및 유지시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP(inductive coupled plasma) is provided to minimize the spreading phenomenon of the plasma by controlling a plasma domain formed by an ICP coil. CONSTITUTION: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP comprises the following: a gas feeding unit(210) including a tube(130) in the inside, to supply first gas for forming a silicon nanoparticle, and second gas for surface reacting the silicon nanoparticle; a reactor unit(220) in which an ICP coil is winded on the outer wall; a dispersing unit(230) dispersing the silicon nanoparticle; and a collecting unit(240) collecting the silicon nanoparticle.