公开(公告)号：WO2015076441A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/KR2013/010729

申请日：2013-11-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 장보윤 ,  김준수 ,  이정철 ,  송희은

IPC: B01J19/12 ,  C01B33/04 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C01B33/029 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1203 ,  C01B33/021 ,  C01P2004/64

Abstract: 본 발명은 플라즈마 반응부에 근접하여 제1가스 주입관를 위치시키되, 제2가스 주입관은 플라즈마 반응부로부터 멀리 위치시키고, 주입가스 별로 주입관을 교차배열시킴으로서, 제1가스 간에 혼합이 충분히 이루어질 뿐 아니라, 플라즈마 반응영역에서도 제1가스와 제2가스 간의 균일한 플라즈마 반응이 가능하며, 짧은 체류시간 동안 플라즈마 밀도를 높임으로서 플라즈마 퍼짐현상도 최소화되고, 보다 입도제어가 용이하고, 생성입자 간의 입자응집 형성을 억제하고자 한다.

Abstract translation: 根据本发明，第一气体注入管位于等离子体反应单元附近，第二气体注入管远离等离子体反应单元，并且注射管被布置成相对于每个注入的气体相交，使得 不仅发生第一气体之间的充分混合，而且等离子体反应区域中的第一和第二气体之间的均匀等离子体反应也是可能的，并且等离子体密度在短暂停留时间内增加，从而使等离子体的扩散最小化，从而使粒度控制 更容易，并且抑制生成的颗粒之间的颗粒聚集的形成。

公开(公告)号：WO2012036346A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/KR2010/008208

申请日：2010-11-19

Applicant: 한국에너지기술연구원 ,  이정철 ,  송진수 ,  조준식 ,  박상현 ,  구혜영 ,  김성범

Inventor： 이정철 ,  송진수 ,  조준식 ,  박상현 ,  구혜영 ,  김성범

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치가 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 박막 증착방법은 실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및 상기 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 증착 방법 및 장치는, 합성된 실리콘계 나노입자를 또 다른 공정에서 전처리하지 않고, 합성과 동시에 기판에 증착시키므로, 나노입자 오염에 따른 전지효율 저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 단일 시스템에서 합성과 증착이 진행되므로 경제성이 우수하며, 더 나아가, 나노입자의 속도 및 기판 높이를 조절함으로써 대면적 기판에서 원하는 형태의 나노입자 박막의 증착이 가능하다.

Abstract translation: 提供了硅基纳米颗粒薄膜，硅基纳米颗粒薄膜和硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积装置的气相沉积方法。 根据本发明，硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积方法包括：制备硅基纳米颗粒的制备步骤; 以及首先将硅基纳米颗粒气相沉积在基底上的气相沉积步骤。 根据本发明，硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积方法和装置制备硅基纳米颗粒，同时将制备的硅基纳米颗粒气相沉积在基底上，而不用在另一方法中预处理制备的硅基纳米颗粒， 因此可以防止由于纳米颗粒的污染引起的电池效率的劣化。 另外，由于制备和气相沉积发生在单个系统中，所以经济效率极好。 此外，通过调整纳米颗粒的速度和基板的高度，可以在大面积的基板上将所需形状的纳米颗粒薄膜蒸镀。

公开(公告)号：KR1020140026714A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020120092119

申请日：2012-08-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 김성범 ,  이정철

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42

Abstract: The present invention provides a device for coating a substrate using a rotator comprising a rotator (100) which contains a substrate (B, B1) in the internal peripheral surface to be rotated; and a solution spray means which is arranged in the rotator (100) to spray a coating solution (S) toward the substrate when the rotator (100) is rotated, wherein the solution (S) is uniformly coated on the surface of the substrate by gravity and centrifugal force. With the above constitutions, the present invention has the advantages of coating the solution on the surface of the substrate in a uniform thickness using the rotation centrifugal force and the gravity of the rotator and variably adjusting the rotation speed of the rotator according to the density and viscosity of the solution (S). Furthermore, due to the gravity and the centrifugal force which presses the solution to be uniformly spread, the present invention may be also applied to the substrate having textures. [Reference numerals] (30) Driving source

Abstract translation: 本发明提供一种用于使用旋转体涂覆基板的装置，该转子包括在要旋转的内周面中包含基板（B，B1）的旋转体（100） 以及溶液喷射装置，其设置在所述旋转体（100）中，以在所述旋转体（100）旋转时向所述基板喷射所述涂布溶液（S），其中所述溶液（S）被均匀地涂覆在所述基板的表面上 重力和离心力。 利用上述结构，本发明的优点是利用旋转离心力和旋转体的重力以均匀的厚度将溶液涂覆在基板的表面上，并根据密度可变地调节旋转体的转速， 溶液（S）的粘度。 此外，由于重力和离心力使溶液均匀地扩散，本发明也可以应用于具有纹理的基底。 （附图标记）（30）驱动源

公开(公告)号：KR1020140016446A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020120081217

申请日：2012-07-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 송희은 ,  강민구 ,  이정철 ,  강기환

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a silicon solar cell, more particularly, the present invention comprises a step of (a) forming patterns by using a masking paste which makes an opening on a front surface of a silicon substrate which is doped by a first conductivity type impurity in the position corresponding to the location of an electrode of the silicon solar cell, a step of (b) drying out the printed doping paste which includes a second conductivity type impurity in a first are of the surface of the silicon substrate that is exposed by the opening, a step of (c) removing the patterns, a step of (d) forming a first emitter layer by applying a first heat treatment to the silicon substrate, and to diffuse the second conductivity type impurity including the doping paste through the first area to inside of the silicon substrate, and a step of (e) forming a second emitter layer by applying a second heat treatment to the silicon substrate in order to dope the second conductivity type impurity. By these steps of the present invention, it may prevent the phenomenon of the deposited doping paste to be widely spreaded by using the patterns so that it can further maintain and reduce the contact resistance caused between the electrode of the surface and the emitter payer.

Abstract translation: 硅太阳能电池的制造方法技术领域本发明涉及一种硅太阳能电池的制造方法，更具体地，本发明包括以下步骤：（a）通过使用掩模膏形成图案，该掩模膏在硅衬底的前表面上形成开口， 在对应于硅太阳能电池的电极的位置的位置的第一导电型杂质，（b）将包含第一导电型杂质的印刷掺杂浆料干燥出来的步骤是在硅的表面上 由开口曝光的衬底，（c）去除图案的步骤，（d）通过对硅衬底进行第一热处理形成第一发射极层并扩散包括第二导电类型杂质的步骤 通过所述第一区域掺杂到所述硅衬底的内部，以及（e）通过对所述硅衬底施加第二热处理以形成所述第二发射极层以便掺杂所述第二发射极层的步骤 nd电导型杂质。 通过本发明的这些步骤，可以通过使用图案来防止沉积的掺杂浆料的现象得到广泛的扩展，从而可以进一步保持并降低在表面电极和发射体支付器之间产生的接触电阻。

公开(公告)号：KR1020140007093A

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020120072040

申请日：2012-07-03

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이정철 ,  김성범 ,  이재희 ,  송희은 ,  송진수

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention is to provide a method for manufacturing a heterojunction solar cell. The method for manufacturing a heterojunction solar cell includes a step for spraying a first nanoink layer including intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; a step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the firs nanoink layer; a step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; and a step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate. [Reference numerals] (AA) Step for spraying a first nanoink layer ncluding intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; (BB) Step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the first nanoink layer; (CC) Step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; (DD) Step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate

Abstract translation: 本发明提供一种异质结太阳能电池的制造方法。 异质结太阳能电池的制造方法包括：在基板的两面上喷涂包含本征硅纳米粒子的第一纳米层; 通过对第一纳米金属层进行热处理来在基板的两个表面上层压本征硅层的步骤; 在层叠在基板的两面的本征硅层之间的一层层叠第一类型的硅层的工序; 以及在基板的本征硅层的两个表面之间的另一层上层压第二类型的硅层的步骤。 （附图标记）（AA）在衬底的两个表面上喷射包括本征硅纳米颗粒的第一纳米层的步骤; （BB）通过在第一纳米金属层上进行热处理来在基板的两个表面上层压本征硅层的步骤; （CC）在层叠在基板的两面的本征硅层之间的一层层叠第一类型硅层的工序; （DD）在衬底的本征硅层的两个表面之间的另一层上层叠第二类型硅层的步骤

公开(公告)号：KR101199045B1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：KR1020110016546

申请日：2011-02-24

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이정철 ,  송진수 ,  구혜영 ,  오경석

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법, 장치 및 이에 의하여 텍스쳐링된 박막 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따른 액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법은 텍스쳐링 용액 액적을 형성하는 단계; 박막 태양전지가 내부에 적치되며, 플라즈마가 형성된 플라즈마 반응기에 텍스쳐링 용액 액적을 주입하는 단계; 및 상기 박막 태양전지를 텍스쳐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 텍스쳐링 방법, 장치는 별도의 챔버에서 다단계로 진행되는 종래의 텍스쳐링 공정과 달리, 하나의 챔버에서 모든 텍스쳐링 공정이 진행된다. 따라서, 공정 경제성이 우수하고, 습식 식각액을 사용하는 종래 기술에 비하여, 공정 제어가 용이한 플라즈마 반응기를 이용하므로, 보다 환경 친화적이다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR101145180B1

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020100074576

申请日：2010-08-02

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박상현 ,  이정철 ,  조준식 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  안세진

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히 태양 전지에서 생산되는 전기 중 일부로 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 태양 전지는, 제 1 태양 전지; 제 2 태양 전지; 및 상기 제 2 태양 전지와 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하는 발열층을 포함한다. 또한, 이에 따라 본 발명은 태양 전지의 일부 태양 전지 셀 라인에서 자체 생산되는 전기로 발열층을 가열하여 태양 전지 후면의 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고, 열화에 따른 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120028051A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020100090012

申请日：2010-09-14

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이정철 ,  송진수 ,  조준식 ,  박상현 ,  구혜영 ,  김성범

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for depositing a silicon-series nano particle thin film, a silicon-series nano particle thin film, and a device for depositing a nano particle thin film are provided to combine and deposit silicon-series nano particles in one system, thereby preventing contamination of nano particles from the outside. CONSTITUTION: Silicon-series nano particles are combined. The combined silicon-series nano particles are transferred by pressure. The silicon-series nano particles are deposited by a reaction gas. The inputted reaction gas is dissolved so that a silicon-series thin film is deposited on a substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积硅系纳米颗粒薄膜，硅系纳米颗粒薄膜和沉积纳米颗粒薄膜的装置的方法，在一个系统中组合并沉积硅系纳米颗粒，从而 防止从外部污染纳米颗粒。 构成：将硅系纳米颗粒组合。 组合的硅系纳米颗粒通过压力转移。 硅系纳米颗粒通过反应气体沉积。 溶解所输入的反应气体，使得在基板上沉积硅系薄膜。

公开(公告)号：KR101062486B1

公开(公告)日：2011-09-05

申请号：KR1020100074579

申请日：2010-08-02

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박상현 ,  이정철 ,  조준식 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  조아라 ,  안승규

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445

Abstract: 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히, 태양 전지의 후면에 구비된 발열층을 가열하는 발열체를 이용하여 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지는, 상기 태양 전지의 일면에 구비된 발열층; 및 상기 발열층에 열을 전달하는 발열체를 포함하여 이루어진다. 또한, 이에 따라, 본 발명은 태양광을 집광하여 발열하는 발열체와 발열체에서 열을 전달받아 태양 전지의 후면 온도를 일정하게 상승 및 유지시켜 태양 전지의 열화를 방지하는 발열층을 구비하여 열화에 따른 태양 전지의 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 발열체를 이용하여 추가적인 전력 소모 없이 태양 전지 후면의 온도를 일정하게 상승 및 유지시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100091554A

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：KR1020090010797

申请日：2009-02-10

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 장보윤 ,  고창현 ,  이정철 ,  김준수 ,  박주석

IPC: C08L101/10 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0894 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/027 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T428/2982

Abstract: PURPOSE: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP(inductive coupled plasma) is provided to minimize the spreading phenomenon of the plasma by controlling a plasma domain formed by an ICP coil. CONSTITUTION: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP comprises the following: a gas feeding unit(210) including a tube(130) in the inside, to supply first gas for forming a silicon nanoparticle, and second gas for surface reacting the silicon nanoparticle; a reactor unit(220) in which an ICP coil is winded on the outer wall; a dispersing unit(230) dispersing the silicon nanoparticle; and a collecting unit(240) collecting the silicon nanoparticle.

Abstract translation: 目的：提供使用ICP（感应耦合等离子体）的硅纳米颗粒制造装置，通过控制由ICP线圈形成的等离子体域来最小化等离子体的扩散现象。 构成：使用ICP的硅纳米颗粒制造装置包括：包括内部的管（130）的供气单元（210），用于供应用于形成硅纳米颗粒的第一气体和用于使硅纳米颗粒表面反应的第二气体; 其中ICP线圈缠绕在外壁上的电抗器单元（220） 分散所述硅纳米颗粒的分散单元（230） 和收集硅纳米颗粒的收集单元（240）。