公开(公告)号：CN105161437A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510598724.5

申请日：2015-09-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭广生 ,  王思雨 ,  蒲巧生 ,  汪夏燕

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B81C1/00928 ,  B81C3/001 ,  B81C3/002 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  H01L21/68 ,  H01L21/682 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L2221/67

Abstract: 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下：完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。

公开(公告)号：CN102285632B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110175536.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: B81C1/00 ,  G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

公开(公告)号：CN102742012B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180005860.9

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1,5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79,80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘凹部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79,80)延伸至边缘凹部中。

公开(公告)号：CN102030307B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010510987.3

申请日：2010-10-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： S·魏斯 ,  A·赫希斯特

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0792 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084

Abstract: 本发明涉及用于制造微机械构件的制造方法，包括：以第一绝缘层(14)至少部分地覆盖衬底的第一侧面(11)，由至少一个第一导电材料构成至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，以第二绝缘层(36)覆盖至少所述至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，由至少一个第二导电材料构成至少一个定子接触接头(16)，在衬底中构成至少一个第一沟道(38)来形成可移动质量(10)和保持结构的一框架(30)，其中，在第一方向上蚀刻，和去除第二绝缘层(36)的至少一个位于至少一个致动器板电极(12)与至少一个定子板电极(16)之间的部分质量，其中，在第二方向上蚀刻。本发明还涉及微机械构件。

公开(公告)号：CN104345106A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375754.5

申请日：2014-08-01

Applicant: 克洛纳测量技术有限公司

Inventor： W.奎佩尔斯

IPC: G01N30/68

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00341 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/626 ,  G01N30/6095 ,  G01N30/68 ,  G01N2030/8881

Abstract: 本发明涉及用于制造功能单元的方法和相应的功能单元，具体而言描述且示出了用于制造带有气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)的功能单元的方法。本发明的目的在于，提出一种用于制造功能单元的方法，该方法在现有技术的扩展方面提供了改进。该目的在讨论的方法方面以如下方式来实现，即使得气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)一起在多层陶瓷(6)中制造。本发明此外涉及利用该方法制造的功能单元。

公开(公告)号：CN104045048A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410093116.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/00 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN103449352A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310206782.X

申请日：2013-05-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前田佳男

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P15/125

CPC classification number: H02N1/008 ,  B81B7/0074 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  G01C19/5719 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H05K13/00 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子装置及其制造方法、以及电子设备，所述电子装置更有助于小型化和节约空间化。本发明所涉及的电子装置包括：第一基体；第二基体；第三基体，其被所述第一基体和所述第二基体夹持；第一功能元件，其被设置在被所述第一基体和所述第三基体所包围的第一腔室内；第二功能元件，其被设置在被所述第二基体和所述第三基体所包围的第二腔室内。

公开(公告)号：CN102046909B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980120550.4

申请日：2009-03-30

Applicant: 瑞士材料试验研究所

Inventor： 马赛厄斯·科布尔 ,  海因里希·曼兹

IPC: E06B3/663 ,  E06B3/673

CPC classification number: E06B3/66342 ,  B23K35/262 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  C03C27/08 ,  C04B37/006 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/708 ,  E06B3/67334 ,  H01L31/0488 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/1317 ,  Y10T428/24744

Abstract: 本发明涉及一种复合材料，其包括由在升高温度下离子导电的氧化材料构成的两个组件(2a，2b)，这两个组件在位于其间的结合区域(6)中通过焊接搭接片(4)以介质密封的方式互相结合。为了形成可靠的结合，按照本发明，所述焊接搭接片由低熔点锡合金形成，该低熔点锡合金具有重量份额至少为65％w的锡和最高为350℃的熔点，并包含至少一种活泼金属作为合金成分。

公开(公告)号：CN101573287B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200780041825.6

申请日：2007-11-01

Applicant: 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司

Inventor： P·马迈 ,  J·-L·赫尔弗 ,  T·科努斯

IPC: B81C5/00

CPC classification number: B81C99/0095 ,  B81B2201/035 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/051 ,  G04B31/004 ,  G04D3/0069 ,  Y10T29/49579

Abstract: 本方法包括以下步骤：a)在第一硅片(1)中加工出第一元件(3)或多个所述第一元件(3)并通过材料桥(5)保持所述元件(3)连接在一起；b)用第二硅片(2)重复步骤a)以便加工出与第一元件(3)的形状不同的第二元件(4)，或者加工出多个所述第二元件(4)；c)借助定位装置(6、7)将第一和第二元件(3、4)或第一和第二硅片(1、2)面对面叠放；d)对形成于步骤c)的组合件进行氧化；以及e)从硅片(1、2)分离出零件(10)。通过本方法获得了钟表微机械零件。

公开(公告)号：CN101458260B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200810209884.6

申请日：2008-09-28

Applicant: 原子能委员会

Inventor： 阿格尼丝·方弗恩 ,  让·迪乔恩 ,  弗洛伦斯·里库尔 ,  伊曼纽尔·鲁维尔

IPC: G01N35/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00206 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00824 ,  B01J2219/00831 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00862 ,  B01J2219/00869 ,  B01J2219/00873 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/12 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/038

Abstract: 本发明涉及制造微流控元件(1)的方法，微流控元包括至少一个填充纳米结构(13a，13b，13c)的封闭的微通道(2)。通过预先在基片(7)的表面内形成开口，构成微通道的底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)，制造出微通道。填充微通道的纳米结构(13a，13b，13c)通过原位生长形成，以构成沉积在侧壁(4，5)和底壁(3)上的金属催化剂层。在纳米结构形成之前，通过将保护顶盖(11)密封在基片(7)的表面上微通道(2)被封闭。通过在顶盖(11)的材料和用于原位生长纳米结构(13a，13b，13c)及沉积在设计用来接触顶盖(11)的基片(7)的表面上的催化剂的金属之间形成低共熔混合物，从而获得密封。