氣体之紅外光譜分析方法及被用於此方法之裝置
    101.
    发明专利
    氣体之紅外光譜分析方法及被用於此方法之裝置 失效
    气体之红外光谱分析方法及被用于此方法之设备

    公开(公告)号:TW315410B

    公开(公告)日:1997-09-11

    申请号:TW084102960

    申请日:1995-03-27

    IPC: G01N

    Abstract: 本發明係關於,利用以半導體雷射作為光源之紅外光譜分析,分析被測定氣體中所含有的微量成分之方法,及使用此方法之紅外光譜分析裝置。主要係為了以高感度及高精度進行分析,使被測定氣體流入樣品單元 (5) ,以排氣泵 (16) 使成為減壓狀態,在此減壓狀態下進行分析者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于,利用以半导体激光作为光源之红外光谱分析,分析被测定气体中所含有的微量成分之方法,及使用此方法之红外光谱分析设备。主要系为了以高感度及高精度进行分析,使被测定气体流入样品单元 (5) ,以排气泵 (16) 使成为减压状态,在此减压状态下进行分析者。

    光ヘテロダイン測定システムの掃引制御

    公开(公告)号:JP2018530932A

    公开(公告)日:2018-10-18

    申请号:JP2018503654

    申请日:2016-07-25

    CPC classification number: G01J3/433 G01J3/10 G01J9/04

    Abstract: 光ヘテロダイン測定システム(1)を制御するシステムおよび方法が開示される。測定システム(1)は、局所発振器信号を発生させるための波長可変レーザ(9)と、入力光信号を受信するための光入力部(5)と、出力光測定信号を発生させるために、局所発振器信号を入力光信号と混合するための混合モジュール(13)とを有する。一実施形態は、a)スペクトル線幅およびピーク中心周波数を有するレーザ出力を発生するために、波長可変レーザ(9)を駆動するべく入力電気駆動信号を受信するステップと、b)スペクトル線幅を選択的に広げるために、入力電気駆動信号を電気的な線幅制御信号と重ね合わせるステップと、c)測定期間の間、予め設定された周波数スペクトルにわたって、段階的方式で、予め定義された調律増分でレーザの中心周波数を選択的に調律するステップと含む方法を提供する。

    Wavelength variable semiconductor laser and gas detection device
    110.
    发明专利
    Wavelength variable semiconductor laser and gas detection device 审中-公开
    波长可变半导体激光和气体检测装置

    公开(公告)号:JP2005229011A

    公开(公告)日:2005-08-25

    申请号:JP2004037801

    申请日:2004-02-16

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To output laser beam with high modulation characteristics.
    SOLUTION: The wavelength variable type semiconductor laser 27 has an n-type semiconductor substrate 11, an active layer 17 which is arranged above the n-type semiconductor substrate and produces light, a p-type clad layer 22 arranged above the active layer, and a diffraction grating (15) which selectively oscillates a specific wavelength alone among light produced by the active layer. In the laser 27, an element length L which shows the length in the propagation direction of light produced in the active layer is set at 200 to 500 μm. The p-type clad layer 22 comprises a low concentration clad layer 19 with low impurity concentration, and a high concentration clad layer 20 with high impurity concentration which are arranged one by one from the active layer side.
    COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题:输出具有高调制特性的激光束。 解决方案:波长可变型半导体激光器27具有n型半导体衬底11,布置在n型半导体衬底上方并产生光的有源层17,布置在有源层上方的p型覆盖层22 层和衍射光栅(15),其在由有源层产生的光中单独选择性地振荡特定波长。 在激光器27中,表示在有源层中产生的光的传播方向上的长度的元件长度L设定为200〜500μm。 p型覆盖层22包括杂质浓度低的低浓度覆盖层19以及从有源层侧逐个排列的杂质浓度高的高浓度覆盖层20。 版权所有(C)2005,JPO&NCIPI

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