三维测量装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109425296A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201810970279.4

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 本发明提供能避免挡板的切换动作并能确保相对广的测量范围的三维测量装置。三维测量装置(1)具备:光源部(31),射出测距光(35);投光光学部(33),向测距光轴(32)上照射测距光(35);扫描镜(7),在相对于旋转轴(6)的轴心倾斜的状态下设置成以旋转轴(6)为中心能够旋转,在与旋转轴(6)交叉的面内旋转照射测距光(35);受光光学部(41),接收反射测距光(37);参照光光学部(24),设置在照射范围中测量范围以外的范围中,将在扫描镜(7)反射的测距光(35)作为内部参照光(36)接收并反射,能改变反射的内部参照光(36)的光量;受光元件(42),接收反射测距光(37)和从参照光光学部(24)引导的内部参照光(36)。

    氧化物半导体薄膜的评价装置

    公开(公告)号:CN105518843A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201480050138.0

    申请日:2014-09-10

    Inventor: 林和志 岸智弥

    Abstract: 提供一种以非接触型、正确且使用同一装置简便地测定氧化物半导体薄膜的迁移率和应力耐性来能够进行预测·估计的评价装置。本发明的评价装置具备:对样品的测定部位照射第一激发光而生成电子-空穴对的第一激发光照射单元;对电磁波进行照射的电磁波照射单元;对反射电磁波强度进行检测的反射电磁波强度检测单元;对所述样品照射第二激发光而生成光致发光光的第二激发光照射单元;对所述光致发光光的发光强度进行测定的发光强度测定单元;以及评价迁移率和应力耐性的评价单元,并且,所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元。

    激光加工装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101439443A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810182338.8

    申请日:2008-11-21

    Abstract: 本发明提供一种不会在焊盘上开孔而能在晶片基板上形成到达焊盘的贯通孔的激光加工装置。该激光加工装置具有:保持晶片的卡盘工作台;以及向由卡盘工作台保持的晶片照射脉冲激光光线的激光光线照射单元,该激光加工装置具有等离子体检测单元和控制单元,该等离子体检测单元具有:等离子体受光单元,其接收通过从激光光线照射单元向被加工物照射激光光线而产生的等离子体;以及光谱分析单元,其分析由等离子体受光单元所接收的等离子体的光谱,该控制单元根据来自等离子体检测单元的光谱分析单元的光谱分析信号来判定被加工物的材质,并控制激光光线照射单元。

    激光扫描型观察装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104220919B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201380019934.3

    申请日:2013-02-14

    Abstract: 提供如下的激光扫描型观察装置:针对不同观察条件,不用进行烦杂的调整,就能够在最适于图像构成的定时对检测信号进行采样,能够使检测信号的对比度最大化,能够降低暗噪声并提高画质。激光扫描型观察装置具有对被检体(30)进行照射的脉冲激光振荡单元(11)、接收来自被检体的光并输出检测信号的检测部(12)、检测脉冲激光的振荡并输出同步信号的单元(13)、使同步信号延迟任意时间并输出触发信号的电路部(14)、与触发信号同步地对检测信号进行采样的单元(15)、蓄积所采样的检测信号的存储器部(16)、能够将延迟时间在同步信号的1个周期以内设定为2个以上的阶段的设定部(17)、使用各延迟阶段的检测信号的强度数据判定最适于图像构成的延迟阶段的判定部(18),设定部将与判定部判定出的延迟阶段对应的时间固定为电路部(14)延迟的延迟时间。

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