公开(公告)号：CN101034661A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086067.1

申请日：2007-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横内健 ,  八木文子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/31443 ,  G05B2219/32096 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  Y02P90/20

Abstract: 本发明提供一种在基板处理条件的研究中不耗费时间的基板处理装置。在基板处理装置(10)中，当在对一批量晶片(W)实施RIE处理期间进行方案的研究时，系统控制器的EC(89)作为对一批量晶片(W)实施的RIE处理的方案设定方案A，且使第一处理单元(25)的方案缓冲功能成为无效(步骤S801)，对晶片(W)实施根据方案A的RIE处理(步骤S803)，在方案A作为RIE处理的方案成为合适的情况下(步骤S805中“否”)，根据方案A的修正输入修正方案A，在第一处理单元(25)中展开该所修正的方案A(步骤S808)，对下批晶片(W)实施根据所修正的方案A的RIE处理(步骤S811)。

公开(公告)号：CN101013654A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610142497.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  菊地贵伦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三处理单元(36)包括框体状的处理室容器(腔室)(50)、氧气供给系统(192)和天线装置(191)，氧气供给系统(192)通过氧气供给环(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)内供给氧气，天线装置(191)向供给有氧气的腔室(50)内导入微波。

公开(公告)号：CN1943009A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011533.9

申请日：2005-04-18

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·费拉拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/139

Abstract: 一种传输系统，可用于在低压或真空条件下进行工件加工的装置，如对硅晶片注入的离子注入机。封闭体形成了低压区，工件可在低压区的工件加工台进行加工。两层的多工件的隔离加载锁定件将来自高压区的工件传输到低压区进行加工，在所述加工完成后返回所述高压区。第一机器人将低压区内的工件从加载锁定件传输到低压区的加工台。位于低压区外的多个其他机器人，加工前从所述工件源传输工件到两层工件隔离加载锁定件，加工后从两层工件隔离加载锁定件传输工件到工件目的位置。

公开(公告)号：CN1918321A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004527.0

申请日：2005-02-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松元孝文 ,  三上瞬 ,  半泽幸一 ,  守屋峰晴 ,  小田木秀幸 ,  岛田铁也 ,  久保昌司 ,  池田进

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68707 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/505 ,  C23C14/568 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供用简单的构造、可容易地将基板相对于筒式基板座的外周面安装、取下的薄膜形成装置。筒式基板座(5)以水平方向的旋转轴为旋转中心，以水平状态可旋转地支承在成膜室内。用臂把固定保持着基板(12)的基板固定夹具(13)水平地运送到筒式基板座(5)的外周面上。这样，可以用设在筒式基板座(5)外周面角部(5a)上的固定装置(14)，将基板固定夹具(13)的端部(13b)固定。

公开(公告)号：CN1841652A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610065956.5

申请日：2006-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩渕胜彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种能够恰当地加热或冷却基板的负载锁定装置、具有该负载锁定装置的处理系统及使用该负载锁定装置的处理方法。包括相对于处理部(3)设置在搬入搬出基板(G)的搬入搬出部(2)一侧的搬入口(63)、在处理部(3)一侧设置的搬出口(64)和支撑基板的支撑部件(78)的负载锁定装置(21)，其中，还包括加热由支撑部件(78)支撑的基板(G)的第一加热用平板(71)以及第二加热用平板(72)，所述第一加热用平板(71)以及第二加热用平板(72)的一方配置在基板(G)的表面一侧，另一方配置在基板(G)的背面一侧。

公开(公告)号：CN1554112A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02817680.4

申请日：2002-07-12

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： D·金纳 ,  D·理查森

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B25J9/042 ,  B25J9/0093 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  Y10S414/139

Abstract: 一种负载锁定室组件，包括负载锁定室、可拆卸地固定到该负载锁定室上的子室以及在子室内的具有初级枢轴的第一自动臂，其中第一自动臂可将衬底从大致负载锁定室中心的位置移动到负载锁定室外部的位置。

公开(公告)号：CN1517769A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000522.8

申请日：2004-01-12

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 张根夏 ,  刘致旭

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 一种双重结构的丛集设备，包含：一基板容器，容纳多个基板，且该基板容器具有一用以搬运该基板的常压中操作的机械手臂；一第一丛集，此第一丛集还包含：一第一转送室；具有一真空中操作的机械手臂；多个第一处理室，皆连接至该第一转送室；及一第一加载互锁室，连接至该基板容器与该第一转送室两者；及一第二丛集，此第二丛集还包含：一第二转送室，位在该第一转送室之下方；多个第二处理室，皆连接至该第二转送室，且各第二处理室位于每两个第一处理室之间；及一第二加载互锁室，连接至该基板容器与该第二转送室。

公开(公告)号：CN1386105A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802285.5

申请日：2001-07-02

Applicant: 安德鲁·克拉克

Inventor： 安德鲁·克拉克

IPC: B65G49/07 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C14/564 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201

Abstract: 一种处理晶片的组合装置(10),包括一个金属体(12),金属体中有一个位于至少两个装卸锁定室(18)之间中央的高真空室(20),装卸锁定室与高真空室(20)保持流体连通,至少两个对应槽阀(22)分别隔绝每一个装卸锁定室(18)与高真空室(20)。每一个装卸锁定室(18)还包括一个用于冷却放在其中的晶片的制冷压板(82)和一个在其中照射晶片、对晶片脱气的加热灯组件(120)。一台高真空泵(78)与高真空室(20)连接,一台水泵(64)也与高真空室(20)连通。有选择地按定序操作槽阀(22)、压板(82)、加热灯组件(120)、高真空泵(78)和水泵(64)可使每一个装卸锁定室(18)既可用作冷却室又可用作脱气室。

公开(公告)号：CN1348552A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN00806652.3

申请日：2000-03-21

Applicant: 硅谷集团热系统责任有限公司

Inventor： 理查德·N·萨维齐 ,  弗兰克·S·米纳 ,  赫尔德·R·卡维尔海拉 ,  菲利普·A·特罗安尼 ,  丹·L·考森蒂尼 ,  埃里克·R·沃恩 ,  布鲁斯·E·梅尔

IPC: G03D5/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/68707 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67751 ,  Y10S414/141

Abstract: 一个半导体晶片处理系统包括一个有诸垂直堆叠的半导体晶片处理室和一个专用于每个半导体晶片处理室的装载锁定室。每个处理室包括一个用于当处理晶片时保持一个晶片的卡盘。可以将诸多室舱定位在一个线性排列中。该系统进一步包括一个有一个双晶片单轴传送臂的设备,该传送臂包括一个枢轴地安装在所述的装载锁定室内围绕单个枢轴转动的作为一个整体的臂。该设备用于同时在装载锁定室和处理室之间携带两块晶片,一块未处理晶片和一块已处理晶片。本发明也提供一个利用该公布系统的方法。

公开(公告)号：CN108695207A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810292181.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂田一成

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67769

Abstract: 本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。