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公开(公告)号:TWI554164B
公开(公告)日:2016-10-11
申请号:TW102103507
申请日:2013-01-30
Applicant: 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD. , 國立大學法人群馬大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION GUNMA UNIVERSITY
Inventor: 土田徹勇起 , TSUCHIDA, TETSUYUKI , 大久保利一 , OKUBO, TOSHIKAZU , 莊司郁夫 , SHOHJI, IKUO , 狩野貴宏 , KANO, TAKAHIRO
CPC classification number: H05K1/09 , C23C18/1651 , C23C18/36 , C23C18/44 , C23C18/50 , H05K3/243 , H05K3/244 , H05K2201/032 , H05K2201/0776 , H05K2203/072
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公开(公告)号:TW201405579A
公开(公告)日:2014-02-01
申请号:TW102120190
申请日:2013-06-06
Applicant: 日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
Inventor: 尾原大輔 , KAJIHARA, DAISUKE , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 拜師基希 , HAISHI, MOTOKI
CPC classification number: H05K1/0213 , C23C14/086 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K2201/0145 , H05K2201/0158 , H05K2201/0326 , H05K2201/0776 , H05K2203/1194 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938
Abstract: 本發明提供一種透射率較高、且比電阻較小之透明導電性膜。本實施形態之透明導電性膜1具備:膜基材2、及形成於該膜基材上之銦錫氧化物之多晶層3。該多晶層3之厚度為10 nm~30 nm,結晶粒徑之平均值為180 nm~270 nm,且載子密度超過6×1020個/cm3且為9×1020個/cm3以下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种透射率较高、且比电阻较小之透明导电性膜。本实施形态之透明导电性膜1具备:膜基材2、及形成于该膜基材上之铟锡氧化物之多晶层3。该多晶层3之厚度为10 nm~30 nm,结晶粒径之平均值为180 nm~270 nm,且载子密度超过6×1020个/cm3且为9×1020个/cm3以下。
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公开(公告)号:TW201352090A
公开(公告)日:2013-12-16
申请号:TW102109031
申请日:2013-03-14
Applicant: 日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
Inventor: 井上龍雄 , INOUE, TATSUO , 菅井孝安 , SUGAI, TAKAYASU , 工藤俊之 , KUDO, TOSHIYUKI , 大森利則 , OMORI, TOSHINORI
CPC classification number: H05K1/0298 , H05K1/0233 , H05K1/0242 , H05K1/025 , H05K1/09 , H05K3/46 , H05K2201/0154 , H05K2201/0338 , H05K2201/0391 , H05K2201/0776 , H05K2201/0792 , H05K2201/083 , Y10T29/49155
Abstract: [課題]以提供一種特性阻抗之調整為容易並且亦能夠與窄節距化相對應之多層配線基板及其製造方法以及探針卡一事,作為課題。[解決手段]提供一種多層配線基板及其製造方法以及探針卡,以解決上述課題,該多層配線基板,係為在基板上將複數之配線層包夾著絕緣層地作層積之多層配線基板,其特徵為:被形成於前述配線層處之配線,係為由第1層和第2層所成之2層構造的配線,前述第1層,係藉由第1導電性材料所構成,前述第2層,係藉由比導磁率為較前述第1導電性材料更大之第2導電性材料所構成,藉由設為前述2層構造,相較於將與前述2層構造之配線相同之厚度的配線僅藉由前述第1導電性材料來構成的情況,將前述配線之特性組抗調整為更接近50歐姆之值。
Abstract in simplified Chinese: [课题]以提供一种特性阻抗之调整为容易并且亦能够与窄节距化相对应之多层配线基板及其制造方法以及探针卡一事,作为课题。[解决手段]提供一种多层配线基板及其制造方法以及探针卡,以解决上述课题,该多层配线基板,系为在基板上将复数之配线层包夹着绝缘层地作层积之多层配线基板,其特征为:被形成于前述配线层处之配线,系为由第1层和第2层所成之2层构造的配线,前述第1层,系借由第1导电性材料所构成,前述第2层,系借由比导磁率为较前述第1导电性材料更大之第2导电性材料所构成,借由设为前述2层构造,相较于将与前述2层构造之配线相同之厚度的配线仅借由前述第1导电性材料来构成的情况,将前述配线之特性组抗调整为更接近50欧姆之值。
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