多層配線基板及其製造方法
    103.
    发明专利
    多層配線基板及其製造方法 审中-公开
    多层配线基板及其制造方法

    公开(公告)号:TW201352090A

    公开(公告)日:2013-12-16

    申请号:TW102109031

    申请日:2013-03-14

    Abstract: [課題]以提供一種特性阻抗之調整為容易並且亦能夠與窄節距化相對應之多層配線基板及其製造方法以及探針卡一事,作為課題。[解決手段]提供一種多層配線基板及其製造方法以及探針卡,以解決上述課題,該多層配線基板,係為在基板上將複數之配線層包夾著絕緣層地作層積之多層配線基板,其特徵為:被形成於前述配線層處之配線,係為由第1層和第2層所成之2層構造的配線,前述第1層,係藉由第1導電性材料所構成,前述第2層,係藉由比導磁率為較前述第1導電性材料更大之第2導電性材料所構成,藉由設為前述2層構造,相較於將與前述2層構造之配線相同之厚度的配線僅藉由前述第1導電性材料來構成的情況,將前述配線之特性組抗調整為更接近50歐姆之值。

    Abstract in simplified Chinese: [课题]以提供一种特性阻抗之调整为容易并且亦能够与窄节距化相对应之多层配线基板及其制造方法以及探针卡一事,作为课题。[解决手段]提供一种多层配线基板及其制造方法以及探针卡,以解决上述课题,该多层配线基板,系为在基板上将复数之配线层包夹着绝缘层地作层积之多层配线基板,其特征为:被形成于前述配线层处之配线,系为由第1层和第2层所成之2层构造的配线,前述第1层,系借由第1导电性材料所构成,前述第2层,系借由比导磁率为较前述第1导电性材料更大之第2导电性材料所构成,借由设为前述2层构造,相较于将与前述2层构造之配线相同之厚度的配线仅借由前述第1导电性材料来构成的情况,将前述配线之特性组抗调整为更接近50欧姆之值。

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