-
公开(公告)号：CN102323040A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110142266.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01J1/4257 , B82Y20/00 , H01S3/0014 , H01S5/0014 , H01S5/3402
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；太赫兹量子级联激光器发出的太赫兹光通过该测量装置抵达太赫兹量子阱探测器，接收并产生相应的电流信号；信号处理电路将该电流信号提取为电压信号并放大，输入示波器中读取和显示，根据太赫兹量子阱探测器在激光器激射频率处的响应率，通过计算完成对脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。本发明避免了采用热探测器测量脉冲工作模式下太赫兹量子级联激光器输出功率时的积分估算，可直接根据探测器响应脉冲信号的幅度得到激光器输出的脉冲功率值。
-
公开(公告)号：CN101834227B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010159044.0
申请日：2010-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布，同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域，从而提高器件的性能，优化其响应率，对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN101713687B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910198912.3
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法，其包括：发射端(第一冷头、太赫兹量子级联激光器及第一聚乙烯窗片)、光路部分(两个离轴抛物镜和大气)和接收端(第二冷头、太赫兹量子阱探测器及第二聚乙烯窗片)。本发明的优点在于：选择了目前尚未分配使用的电磁波频段进行电磁波的发射接收，且大气对所选频点电磁波的吸收相对较弱，从而减小了太赫兹波传播过程中的衰减损耗；发射端采用了能量转换效率高、体积小、易集成且可长期工作和大规模生产的半导体量子级联激光器；接收端采用了体积小、稳定可靠且可大规模生产的半导体量子阱探测器；所采用的半导体激光器和探测器均具有高频工作特性，适于未来的太赫兹通信应用。
-
公开(公告)号：CN101713687A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910198912.3
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法，其包括：发射端(第一冷头、太赫兹量子级联激光器及第一聚乙烯窗片)、光路部分(两个离轴抛物镜和大气)和接收端(第二冷头、太赫兹量子阱探测器及第二聚乙烯窗片)。本发明的优点在于：选择了目前尚未分配使用的电磁波频段进行电磁波的发射接收，且大气对所选频点电磁波的吸收相对较弱，从而减小了太赫兹波传播过程中的衰减损耗；发射端采用了能量转换效率高、体积小、易集成且可长期工作和大规模生产的半导体量子级联激光器；接收端采用了体积小、稳定可靠且可大规模生产的半导体量子阱探测器；所采用的半导体激光器和探测器均具有高频工作特性，适于未来的太赫兹通信应用。
-
公开(公告)号：CN101582680A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910052699.5
申请日：2009-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可调谐超晶格振荡器的实现方法，其特征在于(1)利用外加磁场和电场调控超晶格振荡器中电流振荡模式和振荡频率，所述的超晶格振荡器是基于载流子的共振隧穿机制的弱耦合超晶格；(2)所述的外加磁场的方向垂直于超晶格的方向，所述的电场为直流偏压，直流偏压沿超晶格生长方向；(3)在超晶格振荡器上固定直流偏压产生无阻尼振荡电流之后，通过调节外加磁感应强度对超晶格振荡器的振荡频率进行连续调节。总之，本发明利用外加磁场和电场的调控能够实现超晶格振荡器振荡频率的连续性变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345393A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200710043822.8
申请日：2007-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法，其首先利用气态源分子束外延设备在半绝缘的GaAs衬底依次生长GaAs缓冲层、N型GaAs下波导层、多量子阱级联有源区、加强辅助注入层、N型GaAs上接触层，然后采用光刻显影以及热蒸发的方法，制作上波导(电极)Au层，再采用光刻显影以及湿法腐蚀的方法制作出脊形结构，接着采用光刻显影以及热蒸发的方法制作下电极，然后快速热退火，并按照设计规格解理出高质量的管芯，最后完成管芯的封装。
-
公开(公告)号：CN1822459A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510111962.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 曹俊诚
Abstract: 本发明提供了一种基于半导体量子阱负有效质量机制的太赫兹(THz，1THz＝1012Hz)辐射产生方法。给出了p型量子阱负有效质量p+pp+二极管的器件结构。在适当的掺杂和偏置条件下，由于高场畴的形成，二极管中将产生THz电流自振荡，自振荡电流的振荡频率在THz范围。设计了可调谐的半导体量子阱负有效质量THz振荡源，该振荡源具有体积小、重量轻、易集成等优点。
-
公开(公告)号：CN1564458A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017436.8
申请日：2004-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用光致短路产生亚载流子寿命导波电脉冲的器件结构，属于太赫兹脉冲产生技术领域。所采取的方案是：在光电导材料衬底上利用标准光刻技术制作共面波导传输线电路，其中外加偏置电压的线上制作一个光电导缝隙，把一直角三角棱镜在此缝隙处跨置于接地线和充电线上，利用超短光脉冲照射缝隙及信号线与接地线之间的区域。光脉冲照明缝隙使光电导开关闭合，形成电信号输出，经三角棱镜延迟到达的光脉冲使信号线与接地线短路，截断输出的电信号，形成电脉冲输出，电脉冲的宽度由光延迟时间决定，从而可产生亚载流子寿命的导波电脉冲。本发明可用于需要超快信号的领域，如太赫兹脉冲光谱学、集成电路超宽带特性的测定等。
-
公开(公告)号：CN119815948A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411897362.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10F39/12
Abstract: 本发明涉及一种红外焦平面阵列探测器倒焊互连三维电极的制造方法，包括以下步骤：(1)在红外探测器芯片上旋涂光刻胶，用掩膜板曝光后显影形成三维胶孔；(2)在芯片表面镀复合金属膜；(3)旋涂保护光刻胶，对芯片进行紫外光弱泛曝光，显影去除保护光刻胶表面的薄层光刻胶，露出顶部复合金属膜；(4)蚀刻去除顶部复合金属膜；(5)使用有机溶剂去胶获得三维电极。本发明方法工艺兼容性好，制作的三维电极一致性好，适合大面积生产。
-
公开(公告)号：CN119812890A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411934188.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于自对准刻蚀的太赫兹半导体激光器的制造方法，包括如下步骤：(1)在外延晶片上镀金属膜；(2)在外延晶片上依次旋涂底层光刻胶和顶层光刻胶；(3)形成底层光刻胶内缩的光刻胶结构；(4)制作上电极金属条；(5)形成脊条和吸收边；(6)制作下电极金属条；(7)完成前道工艺；(8)完成器件封装。本发明实现上电极金属条始终与脊条居中对齐，通过控制光刻显影参数实现调节吸收边宽度，克服了现有技术中光刻对准误差大致使脊条两侧吸收边宽度不一致的缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
228
records
(took 0.055 seconds)
