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公开(公告)号：CN109273983B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811257281.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器，包括耦合腔、直流源、T型偏置器以及RF源，该耦合腔具有短腔和长腔，其中长腔连接直流源，所述短腔通过T型偏置器和直流源相连，所述T型偏置器还与RF源相连。本发明还提供了该太赫兹量子级联激光器的光谱调制方法。本发明的太赫兹量子级联激光器采用耦合腔结构作为激光器的谐振腔，并用于太赫兹波的光谱调制中，相比于传统的Fabry‑Pérot谐振腔难以进一步提高RF注入调制效率的情况，耦合腔结构由于短腔的面积小，能够降低器件电容，从而在太赫兹量子级联激光器锁模操作时提高注入调制效率。
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公开(公告)号：CN110854666A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911146185.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹量子级联激光器及其制作方法，所述激光器后端面垂直于激光器脊条结构长度方向，前端面和脊条结构垂直方向有一倾斜角，两个端面其中一个为解理面，另一个为研磨抛光面，这种不平行的端面导致前后端面反射率和透射率不同，从而改变激光器前后端面的出光比率，端面倾斜角小于激光器有源区全反射临界角时，激光器前端面出光功率比率更大，这种倾斜前端面结构还有利于抑制横向高阶模，适用于宽脊条、单端输出、大功率激光器。
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公开(公告)号：CN119985396A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510069545.6
申请日：2025-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹多模激光模式分辨测量系统，包括：太赫兹量子级联激光器，用于产生多模激光；引导模块，用于将所述多模激光引入到反射模块中；反射模块，采用反射式闪耀光栅，用于将所述多模激光中预设的激光模式按照原光路反射回到所述太赫兹量子级联激光器内；控制采集模块，用于对所述太赫兹量子级联激光器的端电压进行采集，并基于所述端电压对所述太赫兹量子级联激光器的电流源进行控制。本发明实现了多模条件下对单一激光模式强度的快速探测。
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公开(公告)号：CN110132884B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910350476.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/39 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹光谱测量系统及分析物质的太赫兹光谱的方法，其中所述太赫兹光谱测量系统包括：两个太赫兹量子级联激光器，出射口相对设置；真空罩，设置于两个太赫兹量子级联激光器的出射口之间。所述太赫兹光谱测量系统及分析物质的太赫兹光谱的方法能够在保留片上双频梳系统的优点下，分离式太赫兹双频梳，解决了片上双频梳无法直接测量物质太赫兹谱的缺点。
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公开(公告)号：CN111668698A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010553366.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器及其制备方法，所述激光器包括前端面和后端面；所述后端面与所述激光器的脊条形结构的长度方向垂直，所述前端面包含两个斜面，斜面与所述脊条形结构长度方向的垂直面形成倾斜角，使得所述前端面和所述后端面的反射率和透射率不同。本发明相比单一倾斜端面，角形倾斜端面采用两个对称的斜面来耦合输出激光，使得总的输出激光发散性降低，有效改善了输出激光的光束质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102545056B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210023696.0
申请日：2012-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法，该激光器包括单模产生区波导、锥形耦合区波导和表面发射区波导；单模产生区波导和锥形耦合区波导采用一阶光栅结构，表面发射区波导采用二阶光栅结构；单模产生区波导内部产生单模太赫兹种子光，锥形耦合区波导将所述太赫兹种子光放大并耦合到表面发射区波导，表面发射区波导使太赫兹激光垂直衬底表面出射。本发明实现了太赫兹量子级联激光器的大功率、窄线宽和小发散角太赫兹激光表面发射，在一定程度上抑制了横向高次模的激射，同时减少了波导之间的耦合损失和端面损失。
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公开(公告)号：CN119247710A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411559403.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于剥离的双层胶光刻工艺方法，首先在衬底上依次旋涂正性光刻胶和反转光刻胶，然后进行第一次曝光并反转烘，使反转光刻胶形成不溶于显影液的T型光刻胶结构两侧的凸出檐，再进行第二次曝光，使T型光刻胶结构之外的光刻胶溶于显影液，最后显影获得T型光刻胶结构。本发明可形成明显底切的T型光刻胶结构，有利于后续薄膜的剥离，且光刻图形精度高，底切结构尺寸可控，可避免长时间显影出现浮胶的问题。
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公开(公告)号：CN119247709A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411559399.7
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法，包括：(1)在衬底上旋涂负性光刻胶，衬底边缘堆积形成高于中间区域的边胶；对衬底进行第一次软烘；(2)旋涂正性光刻胶，对衬底进行第二次软烘；(3)用去边掩膜板和去边紫外光对衬底进行曝光；(4)用显影液对衬底进行显影，去除边胶；(5)用图形化掩膜板和图形化紫外光对衬底进行曝光，曝光后进行后烘；(6)用泛曝紫外光对衬底进行曝光；(7)用显影液对衬底进行显影，去除全部正性光刻胶和步骤(5)中图形化掩膜板遮光区对应的负性光刻胶，获得图形化光刻胶。本发明去除负胶边胶的方法操作简单，无需额外工艺设备，且光刻工艺兼容性高，去边区域精确可控。
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公开(公告)号：CN116565692A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310324915.7
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，所述的量子级联激光器材料有源区为InxGa1‑xAs/InyAl1‑yAs多量子阱，其中0.53
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公开(公告)号：CN108428762A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810384191.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法，其中，所述耦合结构包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层，该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同；所有所述微腔单元还包括：一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板，该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本发明不仅可以实现光的正入射耦合，有效提高量子阱对光的吸收效率，降低量子阱探测器的暗电流，提高其工作温度，而且可以达到微腔内电场增强的效果，提高量子阱探测器的光耦合效率。
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