音圈电机磁路
    111.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100403627C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN02131524.8

    申请日:2002-08-07

    Abstract: 一种具有0.1到5mm的重规和在0到10赫兹的带材内磁场强度发生变化的铁合金带材,该带材由铁合金构成,铁合金基本包括,以重量百分比表示,0.0001-0.02%的C,0.0001-5%的Si,0.001-0.2%的Mn,0.0001-0.05%的P,0.0001-0.05%的S,0.0001-5%的Al,0.001-0.1%的0,0.0001-0.03%的N,0-10%的Co,0-10%的Cr,占总量0.01-5%的Ti、Zr、Nb、Mo、V、Ni、W、Ta和/或B,和余量铁,和具有饱和磁通量密度为1.7-2.3特斯拉,最大相对磁导率为1200-22000和矫顽磁力为20-380A/m,适用作音圈电机磁路的磁轭。该铁合全带材具有很高的耐蚀性,并且不需要抗蚀性涂层。

    制备稀土永磁体材料的方法

    公开(公告)号:CN101217068A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200710192916.1

    申请日:2007-04-13

    Abstract: 一种用于制备永磁体材料的方法,包括如下步骤:用粉末覆盖组成式为R1X(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa的各向异性的烧结磁体本体,其中R1是一种稀土元素,M是铝、铜等,所述粉末包含R2的氧化物、R3的氟化物或R4的氟氧化物,其中R2、R3和R4为稀土元素,并且该粉末的平均颗粒尺寸至多为100微米,在含有氢气的气氛中对覆盖有粉末的磁体本体进行热处理,以引发R12Fe14B化合物的歧化反应,并在降低的氢气分压下继续进行热处理,以引发至所述化合物的复合反应,从而将所述化合物相细分至晶粒尺寸至多为1微米,以实现吸收处理,从而使R2、R3或R4被吸收到磁体本体中。

    径向各向异性的圆柱形烧结磁体和永磁体电动机用圆柱形多极磁体

    公开(公告)号:CN1934663A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200580009032.7

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: H02K15/03 H01F1/086 H01F41/028

    Abstract: 本发明的方法涉及使用芯体由铁磁性材料组成的模具、用磁体粉末充填模具空腔、根据在水平磁场中竖直成型的方法,在施加取向磁场下成型磁体粉末,并且烧结所得生坯的步骤,从而制备出径向各向异性的环形烧结磁体,其中环形径向方向中的剩磁在环形的圆周方向中以90°的间隔增加和降低,并且剩磁在整个环形圆周上径向中具有0.95-1.60T的最大值和等于该最大值50-95%的最小值。制备用于永磁体电动机的环形多极磁体的方法涉及磁化磁体,从而N和S极之间的边界位于中心在剩磁表现出最小值的径向处并且在圆周方向中从该处延伸±10°的范围内。

    稀土基永磁体的制备方法
    117.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1156859C

    公开(公告)日:2004-07-07

    申请号:CN99126103.8

    申请日:1999-12-10

    CPC classification number: H01F1/0577

    Abstract: 公开了一种制备稀土基永磁体的粉末冶金方法的改进方法,包括将磁性合金粉末模压成粉坯的步骤和烧结粉坯得到烧结磁体步骤。能够提高烧结磁体密度从而提高磁体产品性能的所述改进包括采用分两步进行烧结热处理,即为在真空或低于大气压的惰性气氛中的第一部分烧结处理,和随后立即进行的常压到超过大气压(例如最高达20个大气压)的压力下的第二部分烧结处理。

    带磨料刀片的多刀切割轮组件

    公开(公告)号:CN1229709A

    公开(公告)日:1999-09-29

    申请号:CN98105692.X

    申请日:1998-03-23

    CPC classification number: B28D5/029 B24D5/12

    Abstract: 一种由多个带磨料刀片的切割轮和分别插在相邻两个切割轮之间形成间隙的垫圈组装在一根转轴上构成的带磨料刀片的多刀切割轮组件。每个切割轮含有一个其外圆周上带有含磨料(如金刚石)颗粒的刀片层的圆形轮体,轮体是用具有规定的杨氏模量或维氏硬度Hv的烧结金属碳化物制成的,所以轮体的厚度可做成小至0.1mm,尽管轮体很薄,但是本发明的切割轮组用于切割十分硬而脆的材料时具有很高的切割精度和长的使用寿命。

    制备SiC单晶的方法
    120.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108728897B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201810328146.7

    申请日:2018-04-13

    Abstract: 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶,其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。

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