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公开(公告)号：CN104695007B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410741299.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出，抑制与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si‑C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。
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公开(公告)号：CN107849734A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042716.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN107849733B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201680042594.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C04B35/565 , C04B41/85 , C04B41/88 , C30B19/06
Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN115787083A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211092838.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法。通过以下生产SiC单晶：将硅与提高碳溶解度的金属性元素M的熔融合金浸入SiC烧结体中以形成SiC坩埚，将硅和M置于该坩埚中并加热该坩埚以熔化硅和M并形成Si‑C溶液，将硅和碳从与该溶液接触的该坩埚的表面溶解在该溶液中，使SiC籽晶与该溶液的顶部接触以通过溶液工艺在该SiC籽晶上生长第一SiC单晶，和通过升华或气体工艺在溶液生长的第一SiC单晶的面上大块生长第二SiC单晶。这个方法能够通过气相工艺生产低位错、高品质SiC单晶。
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公开(公告)号：CN108728897A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810328146.7
申请日：2018-04-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si-C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000-1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1-100)或(11-20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104695019A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410737734.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B13/02 , C30B9/10 , C30B11/08 , C30B13/14 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/206 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B29/36
Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si-C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素)，加热坩埚，使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出。由此，抑制在与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。
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公开(公告)号：CN1661688A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051713.1
申请日：2005-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/667 , G11B5/7315 , H01F10/16 , H01F41/24 , H01F41/32
Abstract: 如果用于双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成，那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内在特定方向上被磁化的大量磁畴，且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质，那么由于已知为尖锋噪音的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题，这里通过由磁畴壁部分产生的漏磁场产生隔离的脉冲噪音。为了解决这个问题，磁记录介质基片包含了直径不超过90毫米的基片，和软磁膜电镀层，该软磁膜电镀层包含包括选自包含钴、镍和铁的组的至少两种金属的合金，且被设置在基片上，其中，关于在基片平面内的同心圆方向，用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特，且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。
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公开(公告)号：CN1577508A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069808.1
申请日：2004-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G11B5/667
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其在无磁性衬底上方具有均匀的成膜性并且可含有厚膜，以及提供包括记录层的磁记录介质。更具体的，本发明提供包括无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底进行了亲水性处理。还发现，包括进表面处理的磁记录介质用衬底、软磁层和记录层的磁记录介质优选作为垂直记录介质。此外，提供一种包括无磁性衬底和位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底的表面包含有直径至少为50nm且小于1000nm，且其深度小于其直径的凹坑形状。
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公开(公告)号：CN115896940A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210930781.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的生产方法。在通过溶液工艺的SiC单晶生产中，将硅(Si)和提高碳(C)溶解度的金属性元素M的合金预浸渍至具有50至90％的相对密度的SiC烧结体中，之后将Si和M置于由SiC烧结体制成的SiC坩埚中并且熔化SiC坩埚内的Si和M，从而形成Si‑C溶液。伴随加热，来自SiC烧结体的SiC溶解至Si‑C溶液中，向Si‑C溶液有效地供应Si和C。结果是，在SiC坩埚和Si‑C溶液之间的所有接触区域以适当的量并且均匀地供应Si和C，能够以快速生长速率长时间稳定地生产高品质SiC单晶。
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公开(公告)号：CN104695019B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410737734.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si‑C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素)，加热坩埚，使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出。由此，抑制在与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。
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