SiC单晶的生产方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115896940A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202210930781.9

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明涉及SiC单晶的生产方法。在通过溶液工艺的SiC单晶生产中,将硅(Si)和提高碳(C)溶解度的金属性元素M的合金预浸渍至具有50至90%的相对密度的SiC烧结体中,之后将Si和M置于由SiC烧结体制成的SiC坩埚中并且熔化SiC坩埚内的Si和M,从而形成Si‑C溶液。伴随加热,来自SiC烧结体的SiC溶解至Si‑C溶液中,向Si‑C溶液有效地供应Si和C。结果是,在SiC坩埚和Si‑C溶液之间的所有接触区域以适当的量并且均匀地供应Si和C,能够以快速生长速率长时间稳定地生产高品质SiC单晶。

    碳化硅的晶体生长方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104695019B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201410737734.8

    申请日:2014-12-05

    Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中,作为Si‑C溶液的收容部,使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si‑C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素),加热坩埚,使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出。由此,抑制在与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。

    磁体保持夹具
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102848310B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201210216433.1

    申请日:2012-06-27

    CPC classification number: B24B41/06 B24B19/26 B24B27/06 Y10T83/263

    Abstract: 当稀土磁体块通过切割或磨削工具而进行切割或磨削时,夹具用于将磁体块保持就位。夹具包括:基部;一对金属支承部件,该对金属支承部件布置在基部的相对侧上,并提供有槽;以及橡胶棒,该橡胶棒接收于支承部件的槽中,以使得橡胶棒从该槽局部凸出,并抵靠在槽底部上。磁体块置于基部上,并夹持在橡胶棒之间。槽的容积大于橡胶棒的容积。

    用于永磁体旋转机的转子

    公开(公告)号:CN102484401B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN200980161349.0

    申请日:2009-09-09

    CPC classification number: H02K1/2766 H01F41/0293 H02K1/278

    Abstract: 本发明公开了一种用于永磁体旋转机的转子,该永磁体旋转机包括:转子,该转子包括转子芯和嵌入转子芯中的多个永磁体段;以及定子,该定子包括定子芯,该定子芯有多个狭槽和其中的绕组,转子和定子布置成确定在它们之间的间隙;或者该永磁体旋转机包括:转子,该转子包括转子芯和安装在该转子芯的表面上的多个永磁体段;以及定子,该定子包括定子芯,该定子芯有多个狭槽和其中的绕组,转子和定子布置成确定在它们之间的间隙;在转子中,各所述永磁体段是进一步分割的永磁体块的组件,各分割的永磁体块有在表面和内部的矫顽力,且在磁体块的表面附近的矫顽力比在磁体块内部的矫顽力更高。

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