-
公开(公告)号：KR1020160088125A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020150007443
申请日：2015-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/241 , G01T1/244 , G01T1/247 , G01N23/04 , G01N2223/03
Abstract: 개시된방사선검출기에따르면, 중금속을포함하는광도전층이마련된방사선검출모듈과, 상기광도전층에흐르는전류를검출하고검출된전류에기초하여상기광도전층에인가되는전압을제어하는전압제어부와, 상기방사선검출모듈의적어도일부를둘러싸며상기광도전층을밀봉하는밀봉부를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种辐射检测器。 所公开的辐射检测器包括：放射线检测模块，其中具有重金属的光电导层; 电压控制部，其检测在所述光电导层中流动的电流，并且基于检测到的电流来控制施加到所述光电导层的电压; 以及密封部，其围绕辐射检测模块的至少一部分，并且密封光电导层。 因此，本发明防止过电流在光电导层中流动。
-
公开(公告)号：KR101638977B1
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020090109692
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는제1방향으로조성이변하는산화물반도체층을채널층으로포함할수 있다. 상기채널층은금속원소인제1 및제2원소와 Zn 을포함하는산화물층일수 있다. 상기채널층의적층방향으로상기제1 및제2원소와 Zn 중적어도하나의함량이변화될수 있다. 상기제1원소는 Hf, Y, Ta, Zr, Ga 및 Al 중어느하나일수 있다. 상기제2원소는 In 일수 있다. 상기채널층은서로다른조성을갖는적어도두 층을포함할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101634252B1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020100126356
申请日：2010-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 웨이퍼스케일의엑스선검출기및 제조방법이개시된다. 개시된엑스선검출기는, 인쇄회로기판과전기적으로연결된이음매없는실리콘기판과상기실리콘기판상의각 칩영역의중앙부의복수의픽셀패드와가장자리에배치된복수의핀패드를구비한칩 어레이와, 상기픽셀패드와대응되게형성되는복수의픽셀전극과, 상기칩 어레이및 상기복수의픽셀전극사이에서상기픽셀패드로부터상기픽셀전극으로확산된영역의차이를보상하도록형성된수직배선및 수평배선과이들을이격시키는절연층을구비한재분배층과, 상기재분배층상에서상기픽셀전극을덮는포토컨덕터층과, 공통전극을구비한다.
-
公开(公告)号：KR101623956B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020100003927
申请日：2010-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는제1 페시베이션층및 제2 페시베이션층으로보호될수 있다. 상기트랜지스터상에상기제1 페시베이션층과상기제2 페시베이션층이순차로구비될수 있다. 상기제2 페시베이션층은불소(F)를포함하도록형성될수 있다. 상기 F를포함하는제2 페시베이션층에의해광 및수분등 외부환경에의한트랜지스터의특성변화가억제될수 있다. 상기제1 페시베이션층은 F를포함하지않을수 있다.
Abstract translation: 提供晶体管，制造晶体管的方法和包括晶体管的电子器件，晶体管包括沟道层，分别接触沟道层的相对端的源极和漏极，与沟道层对应的栅极，栅极绝缘层 在沟道层和栅极之间，以及顺序地设置在栅极绝缘层上的第一钝化层和第二钝化层。 第一钝化层覆盖源极，漏极，栅极，栅极绝缘层和沟道层。 第二钝化层包括氟（F）。
-
公开(公告)号：KR1020160048538A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140145393
申请日：2014-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 엑스레이를검출하는장치는, 피검체를투과한엑스레이를검출하는복수의픽셀들이매트릭스형태로배열된픽셀어레이를포함하는검출부, 상기픽셀어레이로부터상기검출된엑스레이에대응되는전기신호들을리드아웃(read-out)하는리드아웃부, 및상기픽셀어레이의복수의픽셀들이리셋전원소스에공통으로연결되도록스위칭함으로써상기엑스레이가검출된후 상기픽셀어레이의리셋을제어하는리셋제어부를포함한다.
Abstract translation: 一种用于检测x射线的装置，包括：检测单元，包括像素阵列，多个像素检测穿过待测物体的X射线被排列成矩阵; 读出单元，从所述像素阵列读出与所检测的X射线相对应的电信号; 以及复位控制单元，通过将像素阵列的像素切换为共同连接到复位电源来控制在检测到X射线之后复位的像素阵列。 因此，可以防止在像素阵列复位之后发生连接到不同线的像素的复位电压之间的差异的偏移现象。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160047314A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020140143599
申请日：2014-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/247 , G01N23/04 , G01N2223/501 , G01T1/24 , G01T1/241 , H01L27/14676 , H04N5/32 , H04N5/361 , H04N5/378
Abstract: 가변전압인가방식의방사선검출기구동방법이제시된다. 제시된방사선은검출기구동방법은방사선검출기에방사선이조사되지않는대기단계와, 방사선이조사되는조사단계에서서로다른전압이인가된다. 대기단계에서인가되는전압은조사단계에서인가되는전압보다절대값이작은값으로, 대기단계에서방사선검출기의광도전층내에발생할수 있는암전류를최소화하도록정해질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种应用可变电压的放射线检测装置的驱动方法。 放射线检测装置的驱动方法包括：不向辐射检测装置发射辐射的等待步骤; 以及发射辐射的发射步骤。 在等待步骤和发射步骤中施加不同的电压。 在等待步骤中施加的电压的绝对值小于在发射步骤中施加的电压的绝对值，并且被确定为使等待中的放射线检测装置的光电导层中可产生的暗电流最小化 步。
-
公开(公告)号：KR1020160043453A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020140137854
申请日：2014-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676
Abstract: 전류저항층을포함하는포토컨덕터를가진엑스선검출기가개시된다. 개시된엑스선검출기는기판상에배치된복수의픽셀전극과, 상기복수의픽셀전극을덮는포토컨덕터와, 상기포토컨덕터상의공통전극을포함한다. 상기포토컨덕터는적어도 2개의포토컨덕터층과상기적어도 2개의포토컨덕터층사이의전류흐름을감소시키는전류저항층을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有包括电流电阻层的光电导体以提高X射线检测效率的X射线检测器。 X射线检测器包括：设置在基板上的像素电极; 覆盖像素电极的光电导体; 和光电导体上的公共电极。 光电导体包括至少两个感光体层和电流电阻层，其降低至少两个光电导体层之间的电流。
-
公开(公告)号：KR1020160042697A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020140136961
申请日：2014-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08J7/04 , C08L29/14 , C08K3/16 , H01L31/115
CPC classification number: G01T1/244 , G01T1/24 , H01B1/02 , H01L27/14676
Abstract: 유기-무기복합박막및 그제조방법이제공된다. 개시된유기-무기복합박막은무기물파우더및 유기고분자바인더를포함하는페이스트를이용하여스크린프린팅공정에의하여형성된박막에대해, 가압공정및 가열공정을실시하하여형성될수 있다. 이러한박막의유기고분자바인더는열가소성수지로형성될수 있다. 상기가압공정은가압공정은 50kgf/cm~ 2000 kgf/cm범위에서실시될 수있으며, 상기가열공정은유기고분자파우더의유리전이온도또는그 이상의온도범위에서실시될수 있다.
Abstract translation: 提供一种有机 - 无机复合薄膜及其制造方法。 所公开的有机 - 无机复合薄膜可以通过使用含有无机粉末和有机聚合物粘合剂的糊剂通过丝网印刷法形成的薄膜加压和加热来制造。 这种薄膜的有机聚合物粘合剂可以加工成热塑性树脂，加压过程在50-2000kgf / cm ^ 2的范围内进行，而加热过程在玻璃化转变温度 有机聚合物粉末或超过温度。
-
公开(公告)号：KR101611418B1
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020100042587
申请日：2010-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/1225
Abstract: 광민감성산화물반도체트랜지스터(light-sensitive oxide semiconductor transistor)를이용한광터치패널및 그제조방법이개시된다. 개시된광터치패널은, 손과펜 등의직접터치가어려운대형디스플레이를원거리에서터치하듯이제어할수 있다. 또한, 개시된광터치패널의제조방법에따르면, 광을감지하기위한광센서트랜지스터와데이터를인출하기위한스위치트랜지스터를간단한공정으로하나의동일한기판상에함께형성할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150129505A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020140056572
申请日：2014-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 엑스선검출방법, 이를포함하는엑스선촬영방법및 이를적용한엑스선검출기를제공한다. 본엑스선검출방법은, 제1 엑스선이입사되는단계, 제1 엑스선검출부는제1 엑스선입사에의해발생된제1 전하를제거하는단계및 제1 엑스선검출부에인접하는제2 엑스선검출부는제1 엑스선에대응하는전압을출력하는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了X射线检测方法，使用X射线检测方法的拍摄方法和使用该方法的X射线检测器。 X射线检测方法包括：照射第一X射线的步骤; 通过第一X射线检测单元消除由辐射的第一X射线产生的第一电荷的步骤; 以及与第一X射线检测单元相邻的第二X射线检测单元输出与第一X射线对应的电压的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
146
records
(took 0.035 seconds)
