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公开(公告)号：KR102074942B1
公开(公告)日：2020-02-10
申请号：KR1020130089833
申请日：2013-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR101623956B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020100003927
申请日：2010-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는제1 페시베이션층및 제2 페시베이션층으로보호될수 있다. 상기트랜지스터상에상기제1 페시베이션층과상기제2 페시베이션층이순차로구비될수 있다. 상기제2 페시베이션층은불소(F)를포함하도록형성될수 있다. 상기 F를포함하는제2 페시베이션층에의해광 및수분등 외부환경에의한트랜지스터의특성변화가억제될수 있다. 상기제1 페시베이션층은 F를포함하지않을수 있다.
Abstract translation: 提供晶体管，制造晶体管的方法和包括晶体管的电子器件，晶体管包括沟道层，分别接触沟道层的相对端的源极和漏极，与沟道层对应的栅极，栅极绝缘层 在沟道层和栅极之间，以及顺序地设置在栅极绝缘层上的第一钝化层和第二钝化层。 第一钝化层覆盖源极，漏极，栅极，栅极绝缘层和沟道层。 第二钝化层包括氟（F）。
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公开(公告)号：KR1020160028086A
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020140116461
申请日：2014-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면과그 사이의측면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에위치한활성층을갖는반도체적층체와, 상기반도체적층체의제1 면에위치하며상기제1 도전형반도체층에접속된제1 전극과, 상기반도체적층체의제2 면에위치하며상기제2 도전형반도체층에접속된제2 전극과, 상기제2 전극에연결되어상기반도체적층체의제1 면까지연장된연결전극(connecting electrode)과, 상기제2 전극상에위치하는지지기판과, 상기연결전극과상기활성층및 상기제1 도전형반도체층사이에배치된절연막을포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于防止可靠性劣化的半导体发光器件。 半导体发光器件包括：具有彼此面对的第一表面和第二表面以及它们之间的侧表面的半导体层叠体，设置在第一表面和第二表面中的每个表面上的第一和第二导电类型半导体层，以及 位于它们之间的活性层; 第一电极，其位于半导体层叠体的第一表面上并连接到第一导电类型半导体层; 第二电极，其位于半导体层叠体的第二表面上并连接到第二导电类型半导体层; 连接电极，其连接到第二电极并延伸到半导体层叠体的第一表面; 位于所述第二电极上的支撑基板; 以及布置在连接电极，有源层和第一导电类型半导体层中的绝缘层。
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公开(公告)号：KR101496151B1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020080060228
申请日：2008-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/7869 , H01L33/18 , H01L33/28
Abstract: 나노 막대 구조의 산화물 다이오드, 특히 산화아연(ZnO)으로 이루어진 나노 막대 구조의 산화물 다이오드를 이용한 디스플레이 장치를 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 위에 배치된 발광층;을 포함하며, 상기 발광층은, 상기 박막 트랜지스터층 위에 배치된 플러그 금속층; 상기 플러그 금속층 위에 수직으로 형성된 다수의 나노 막대 다이오드; 및 상기 나노 막대 다이오드 위에 형성된 투명 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150014577A
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130089833
申请日：2013-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/788 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C14/0063 , G11C16/0433 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , H01L27/11521 , H01L28/00 , H01L29/408 , H01L29/42324 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/78 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/146
Abstract: 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이를 포함하는 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 비휘발성 메모리 트랜지스터는 채널과 게이트전극 사이에 이온종 이동층을 구비할 수 있다. 상기 이온종 이동층 내에서 이온종이 이동됨에 따라, 상기 메모리 트랜지스터의 문턱전압이 변화될 수 있다. 그 결과, 상기 메모리 트랜지스터는 멀티-레벨(multi-level) 특성을 가질 수 있다. 상기 이온종 이동층은 바이폴라 메모리층을 포함할 수 있다. 상기 메모리 트랜지스터는, 예컨대, 시냅스 소자(synapse device)나 뇌신경모사 소자(neuromorphic device)에 적용될 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储晶体管及包括其的器件。 非易失性存储晶体管可以包括通道和栅电极之间的离子种类移动层。 当离子种类在离子种类移动层中移动时，可以改变存储晶体管的阈值电压。 结果，存储晶体管可以具有多电平特性。 离子种类移动层可以包括双极存储层。 例如，存储晶体管可以应用于突触装置或神经形态装置。
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公开(公告)号：KR101488832B1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020080120691
申请日：2008-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/00 , G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 및 그의 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 정보저장장치는 1비트에 대응하는 자구를 복수 개 커버하는 크기를 갖는 동작유닛(operating unit)을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101490112B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020080029327
申请日：2008-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/84 , H01L27/0883
Abstract: 인버터 및 그를 포함하는 논리회로에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 인버터는 제1 산화물층을 채널층으로 갖는 공핍형(depletion mode) 부하(load) 트랜지스터, 및 상기 부하 트랜지스터와 연결된 것으로, 제2 산화물층을 채널층으로 갖는 증가형(enhancement mode) 구동(driving) 트랜지스터를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101490110B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020080079030
申请日：2008-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06K19/07 , B42D25/305
Abstract: 디스플레이 가능한 신용카드의 구조 및 디스플레이 가능한 신용카드를 이용한 차등화된 서비스 제공방법이 개시된다. 신용카드를 이용한 차등화된 서비스 제공방법은 결제단말기로부터 신용카드사로 신용카드 결제 승인을 요청하는 단계; 신용카드사에서 요청된 결제 승인에 대한 승인번호와 함께 회원별로 차등화된 서비스 정보를 상기 결제단말기로 제공하는 단계; 결제단말기에서 결제된 디스플레이 가능한 신용카드로 승인번호에 대응하는 결제내역과 서비스 정보를 제공하는 단계; 및 디스플레이 가능한 신용카드에서 결제내역과 서비스 정보가 디스플레이되는 단계로 이루어진다.
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10.发明公开불소를 포함하는 징크 타겟, 이를 이용한 징크 나이트라이드 박막의 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법 审中-实审包含氟化物的ZINC目标，使用该方法的锌化合物薄膜的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020140144068A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130066067
申请日：2013-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0057 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 불소를 포함하는 징크 타겟, 이를 이용한 징크 나이트라이드 박막의 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법 이 개시된다. 개시된 불소를 포함하는 징크 나이트라이드 박막의 제조방법은 불소 함유 징크 타겟을 스퍼터링 챔버에 장착하는 단계와, 상기 챔버로 질소 개스 및 불활성 개스를 공급하는 단계와, 불소를 포함하는 징크 나이트라이드 박막을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了包括氟的锌靶，使用其的氮化锌薄膜的制造方法以及制造薄膜晶体管的方法。 所公开的包含氟的氮化锌薄膜的制造方法包括将含氟锌靶安装在溅射室中的步骤; 向室供应氮气和惰性气体; 以及在基板上形成含氟的氮化锌薄膜。
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