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公开(公告)号：KR100681250B1
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020040114477
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
Abstract: 본 발명은 비대칭 전극 구조를 가지는 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 일함수가 비대칭인 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여 금속과 유기 발광 물질막 사이에 접촉저항을 줄여 높은 발광 효율을 갖는 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
유기, 일함수, 트랜지스터, 발광-
公开(公告)号：KR100666300B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020040114476
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 플렉서블(Flexible) 액정 디스플레이에 관한 것으로, 상호 대향되어 일정 간격으로 이격되어 있는 한 쌍의 플렉서블 편광필름과; 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 개재되는 액정 물질과; 상기 액정 물질을 감싸고, 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름에 접착되어 있는 봉지부를 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 액정 물질을 개재하여 디스플레이를 구현함으로써, 종래 기술과 같이 고분자 기판을 사용하여 디스플레이의 경박단소화를 시킬 수 없는 한계를 극복하고, 2장의 고분자 필름 기판을 사용할 필요가 없어, 디스플레이를 매우 얇은 두께로 제작할 수 있으며, 추가적인 편광판 부착 공정이 필요 없게 되어 제작 공정의 단순화시킬 수 있고 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
플렉서블, 디스플레이, 편광, 액정-
公开(公告)号：KR100576685B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030071327
申请日：2003-10-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 전자장치용 투명전극에 관한 것으로, 본 발명의 투명전극은, Mg, Ba와 Ca 중 선택된 어느 한 물질로 이루어진 제 1 금속층과; 상기 제 1 금속층 상부에 형성되며, Ag 또는 Al로 이루어진 제 2 금속층으로 형성하거나, 또는, Ca＼CaOx＼Ag, CaOx＼Ag, CaOx＼Ag＼AgOx, Ca＼AgOx, CaOx＼AgOx와 Ca＼Ag＼AgOx 중 선택된 어느 하나의 적층막으로 형성한다.
따라서, 본 발명은 투명전극 증착시 하부층에 손실을 주지 않고, 전기 전도도가 우수하며, 두께를 얇게 형성하여도 투과도를 우수하게 할 수 있으며, 기존의 ITO막에 비하여 저가의 재료, 장비와 공정으로 우수한 품질의 투명 전극을 얻을 수 있는 효과가 있다.
투명전극, 금속, Ca, Ag, 산화막-
公开(公告)号：KR1020050060530A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092166
申请日：2003-12-16
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 플렉서블 기판을 갖는 전자장치에 관한 것으로, 플렉서블 기판 상부에 구동할 수 있는 전자 소자들이 형성되어 있는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치에 있어서, 상기 전자 소자들과 플렉서블 기판을 감싸서 형성되어 휘어짐에 따른 특성 저하를 방지할 수 있는 유기 보호막이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 전자 소자를 감싸며 플렉서블 기판 상부에 유기 보호막을 형성하여, 플렉서블 기판이 휘어질 때, 인가되는 충격으로부터 전자소자를 보호할 수 있으므로, 크랙 발생을 저하시켜, 기계적 특성을 우수할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100488428B1
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030034944
申请日：2003-05-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 낮은 일함수를 갖는 투명 전도성 금속을 이용해 캐소드 전극을 형성함으로써, 종래와 같이 얇은 두께의 금속 박막 위에 스퍼터링시켜 ITO를 증착함으로써 발광층의 유기물에 손상이 발생되는 것을 방지하여, 소자 구동시 쇼트가 발생되지 않도록 하며, 또한, 캐소드 전극을 낮은 일함수를 갖는 투명 전도성 금속을 사용해 이중층으로 형성함으로써 투과율이나 전기 전도도를 향상시킬 수 있도록 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040103059A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1020030034944
申请日：2003-05-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L27/3283 , H01L51/0014 , H01L2251/308 , H01L2251/5392
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescence display device and a method are provided to prevent damage of organic materials of a light emitting layer, by forming a cathode electrode from a transparent conductive material. CONSTITUTION: A method for manufacturing an organic electroluminescence display device comprises a first step of forming an anode electrode(21) by evaporating a metal on a substrate(20) and repeatedly patterning the metal; a second step of evaporating an insulation film(22) on the anode electrode, and exposing a certain part of the anode electrode by forming contact holes in each unit pixel region to emit light; a third step of depositing a barrier rib material on the insulation film, and forming barrier ribs(23) by patterning the barrier rib material in the direction orthogonal to the anode electrode; a fourth step of forming a light emitting layer(24) on the anode electrode exposed in the second step, insulation film deposited in the second step, and the barrier ribs formed in the third step; and a fifth step of forming a cathode electrode(25) by evaporating a transparent conductive metal having a low work function, on the light emitting layer formed in the fourth step.
Abstract translation: 目的：通过从透明导电材料形成阴极电极，提供有机电致发光显示装置和方法，以防止发光层有机材料的损坏。 构成：一种制造有机电致发光显示装置的方法包括：通过蒸发基板（20）上的金属并重复地图案化金属来形成阳极电极（21）的第一步骤; 蒸发阳极电极上的绝缘膜（22）的第二步骤，通过在每个单位像素区域中形成接触孔来曝光阳极电极的某一部分以发光; 在所述绝缘膜上沉积障壁材料的第三步骤，通过在与所述阳极电极正交的方向上对所述障壁材料进行图案化而形成阻挡肋（23）; 在第二步骤中暴露的阳极上形成发光层（24）的第四步骤，在第二步骤中沉积的绝缘膜和在第三步骤中形成的隔壁; 以及通过在第四步骤中形成的发光层上蒸发具有低功函数的透明导电金属形成阴极电极（25）的第五步骤。
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公开(公告)号：KR1020040024952A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020056706
申请日：2002-09-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
Abstract: PURPOSE: A thin film diode device formed on a flexible polymer-based substrate and a fabricating method thereof are provided to reduce the generation of crack and the deformation by forming a stress buffering layer on the flexible polymer-based substrate and stacking a plurality of layers thereon. CONSTITUTION: A thin film diode device formed on a flexible polymer-based substrate includes a flexible polymer-based substrate(1), a stress buffering layer(5), a bottom electrode layer(2), an insulating layer(3), and a top electrode layer(4). The stress buffering layer(5) is formed on both sides of the flexible polymer-based substrate(1). The bottom electrode layer(2), the insulating layer(3), and the top electrode layer(4) are sequentially on the stress buffering layer. The stress buffering layer is formed with one of SiO2, Al2O3, MgO, and TiO2. The bottom electrode layer and the top electrode layer are formed with one of Ta, Ti, Cr, Al, Au, Ag, Ni, Cu, and ITO.
Abstract translation: 目的：提供一种形成在基于柔性聚合物的基底上的薄膜二极管器件及其制造方法，用于通过在柔性聚合物基底上形成应力缓冲层来减少裂纹和变形的产生，并堆叠多个层 在其上。 构成：在柔性聚合物基底上形成的薄膜二极管器件包括柔性聚合物基底（1），应力缓冲层（5），底部电极层（2），绝缘层（3）和 顶部电极层（4）。 应力缓冲层（5）形成在柔性聚合物基底（1）的两侧。 底部电极层（2），绝缘层（3）和顶部电极层（4）依次位于应力缓冲层上。 应力缓冲层由SiO 2，Al 2 O 3，MgO和TiO 2中的一种形成。 底电极层和顶电极层由Ta，Ti，Cr，Al，Au，Ag，Ni，Cu和ITO中的一种形成。
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公开(公告)号：KR1020030090825A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：KR1020020028411
申请日：2002-05-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861 , B82Y30/00
Abstract: PURPOSE: A thin film diode and a fabricating method therefor are provided to use a three-layered thin film diode structure in a soft polymer substrate by forming an insulation layer and a mask between a lower electrode and an upper electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(21) of a soft material is formed on a substrate(10). An insulation layer(25) of an organic material is formed on the substrate and the lower electrode. An upper mask of an insulation layer is applied to a position corresponding to the lower electrode. The insulation layer is patterned through a dry etch process. An upper electrode(23) is formed in a predetermined region of the lower electrode.
Abstract translation: 目的：提供薄膜二极管及其制造方法，通过在下电极和上电极之间形成绝缘层和掩模，在软质聚合物基板中使用三层薄膜二极管结构。 构成：在基材（10）上形成软质材料的下电极（21）。 在基板和下电极上形成有机材料的绝缘层（25）。 将绝缘层的上掩模施加到对应于下电极的位置。 通过干蚀刻工艺对绝缘层进行图案化。 上电极（23）形成在下电极的预定区域中。
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公开(公告)号：KR1020010081552A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：KR1020000007353
申请日：2000-02-16
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133604 , G02F1/133617 , G02F1/13394
Abstract: PURPOSE: A surface light source is provided to obtain a surface light source for providing uniform brightness to a predetermined area. CONSTITUTION: A lower electrode(11) formed with a conductive material is formed on a lower insulating substrate(10). An insulating layer(12) is laminated on the lower electrode(11). A lower fluorescent layer(13) is formed on the insulating layer(12). An upper electrode(21) is formed an upper face of an upper substrate(20). An edge electrode(23) is formed on an edge portion of an upper face of the upper electrode(21). An upper fluorescent layer(22) is formed on a lower face of the upper substrate(20). A spacer(30) is formed between the upper fluorescent layer and the lower fluorescent layer(13). A sealant is formed along edges of the upper fluorescent layer and the lower fluorescent layer(13). An inert gas(50) is implanted into an airtight space through an injection tube(60).
Abstract translation: 目的：提供面光源以获得用于向预定区域提供均匀亮度的表面光源。 构成：形成有导电材料的下电极（11）形成在下绝缘基板（10）上。 绝缘层（12）层叠在下电极（11）上。 在绝缘层（12）上形成下荧光层（13）。 上电极（21）形成为上基板（20）的上表面。 边缘电极（23）形成在上电极（21）的上表面的边缘部分上。 在上基板（20）的下表面上形成上荧光层（22）。 在上荧光层和下荧光层（13）之间形成间隔物（30）。 沿上荧光层和下荧光层（13）的边缘形成密封剂。 惰性气体（50）通过注入管（60）注入气密空间。
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公开(公告)号：KR100296955B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019980055803
申请日：1998-12-17
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 간단한 박막 증착 기법에 의해 제조 가능한 4극 구조의 에미터들을 갖는 전계 방출 표시소자에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 박막 증착 공정과 마스크 및 식각 공정을 통해 전계 방출 표시소자에 채용되는 4극 구조의 에미터들을 형성하기 때문에, 일정 깊이로 판 홀 내에 에미터 물질을 적층하여 원추형 에미터를 형성하는 종래 전계 방출 표시소자에 비해, 에미터의 높이 균일도를 일정하게 제어할 수 있어, 에미터에서 방출되는 전류의 균일도를 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명은 전류 방출을 균일하게 유지할 수 있어 발광 휘도 레벨을 균일하게 유지할 수 있는 것이다.
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