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公开(公告)号:WO2013157715A1
公开(公告)日:2013-10-24
申请号:PCT/KR2012/010275
申请日:2012-11-30
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/208 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/26 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了使用低温工艺,氧化膜和电子器件制造氧化膜的方法。 根据本发明的实施方式的氧化膜的制造方法包括以氧化物溶液涂布基板,在惰性气体气氛下用紫外线照射氧化物膜的工序。
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公开(公告)号:KR101395906B1
公开(公告)日:2014-05-19
申请号:KR1020120153257
申请日:2012-12-26
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/7869
Abstract: The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. A thin film transistor includes a gate electrode which is formed by stacking at least two gate materials on a substrate, a gate insulating layer which is formed in the upper part of the gate electrode, an oxide semiconductor layer which is formed in the upper part of the gate insulating layer, a source/drain electrode which is respectively connected to at least part of the oxide semiconductor layer. A reflection structure which has UV reflectivity higher than that of the material of the gate electrode is formed in the upper part of the gate electrode.
Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管包括:栅极电极,其通过在基板上堆叠至少两个栅极材料形成;栅极绝缘层,形成在栅电极的上部;形成在栅电极的上部的氧化物半导体层 栅极绝缘层,分别连接到氧化物半导体层的至少一部分的源极/漏极电极。 在栅电极的上部形成有具有高于栅电极的材料的UV反射率的反射结构。
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公开(公告)号:KR101043953B1
公开(公告)日:2011-06-24
申请号:KR1020090047557
申请日:2009-05-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 일반적인 노광 장비를 사용하면서도 작은 채널폭을 갖는 박막 트랜지스터의 구현이 가능한 박막 트랜지스터 제조방법 및 제조된 박막 트랜지스터가 제안된다. 제안된 박막 트랜지스터 제조방법은 박막 트랜지스터 제조방법에서는 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 및 소스 전극을 순차적으로 형성하고, 소스전극 상에 채널영역을 형성하기 위한 포토레지스트층을 형성하고, 게이트 절연막 상에 드레인 전극을 형성하도록 소스전극을 에칭하되, 포토레지스트층의 하부에 있는 소스전극의 일부도 오버에칭하고, 포토레지스트층 상 및 에칭단계에서 노출된 게이트절연막 상에 드레인 전극을 형성하며, 포토레지스트층 및 포토레지스트층 상에 형성된 드레인 전극을 제거한 뒤 채널영역에 반도체층을 형성한다.
박막 트랜지스터, 오버에칭-
公开(公告)号:KR1020030090825A
公开(公告)日:2003-12-01
申请号:KR1020020028411
申请日:2002-05-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861 , B82Y30/00
Abstract: PURPOSE: A thin film diode and a fabricating method therefor are provided to use a three-layered thin film diode structure in a soft polymer substrate by forming an insulation layer and a mask between a lower electrode and an upper electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(21) of a soft material is formed on a substrate(10). An insulation layer(25) of an organic material is formed on the substrate and the lower electrode. An upper mask of an insulation layer is applied to a position corresponding to the lower electrode. The insulation layer is patterned through a dry etch process. An upper electrode(23) is formed in a predetermined region of the lower electrode.
Abstract translation: 目的:提供薄膜二极管及其制造方法,通过在下电极和上电极之间形成绝缘层和掩模,在软质聚合物基板中使用三层薄膜二极管结构。 构成:在基材(10)上形成软质材料的下电极(21)。 在基板和下电极上形成有机材料的绝缘层(25)。 将绝缘层的上掩模施加到对应于下电极的位置。 通过干蚀刻工艺对绝缘层进行图案化。 上电极(23)形成在下电极的预定区域中。
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公开(公告)号:KR1020010081552A
公开(公告)日:2001-08-29
申请号:KR1020000007353
申请日:2000-02-16
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133604 , G02F1/133617 , G02F1/13394
Abstract: PURPOSE: A surface light source is provided to obtain a surface light source for providing uniform brightness to a predetermined area. CONSTITUTION: A lower electrode(11) formed with a conductive material is formed on a lower insulating substrate(10). An insulating layer(12) is laminated on the lower electrode(11). A lower fluorescent layer(13) is formed on the insulating layer(12). An upper electrode(21) is formed an upper face of an upper substrate(20). An edge electrode(23) is formed on an edge portion of an upper face of the upper electrode(21). An upper fluorescent layer(22) is formed on a lower face of the upper substrate(20). A spacer(30) is formed between the upper fluorescent layer and the lower fluorescent layer(13). A sealant is formed along edges of the upper fluorescent layer and the lower fluorescent layer(13). An inert gas(50) is implanted into an airtight space through an injection tube(60).
Abstract translation: 目的:提供面光源以获得用于向预定区域提供均匀亮度的表面光源。 构成:形成有导电材料的下电极(11)形成在下绝缘基板(10)上。 绝缘层(12)层叠在下电极(11)上。 在绝缘层(12)上形成下荧光层(13)。 上电极(21)形成为上基板(20)的上表面。 边缘电极(23)形成在上电极(21)的上表面的边缘部分上。 在上基板(20)的下表面上形成上荧光层(22)。 在上荧光层和下荧光层(13)之间形成间隔物(30)。 沿上荧光层和下荧光层(13)的边缘形成密封剂。 惰性气体(50)通过注入管(60)注入气密空间。
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公开(公告)号:KR100296955B1
公开(公告)日:2001-08-07
申请号:KR1019980055803
申请日:1998-12-17
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 간단한 박막 증착 기법에 의해 제조 가능한 4극 구조의 에미터들을 갖는 전계 방출 표시소자에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 박막 증착 공정과 마스크 및 식각 공정을 통해 전계 방출 표시소자에 채용되는 4극 구조의 에미터들을 형성하기 때문에, 일정 깊이로 판 홀 내에 에미터 물질을 적층하여 원추형 에미터를 형성하는 종래 전계 방출 표시소자에 비해, 에미터의 높이 균일도를 일정하게 제어할 수 있어, 에미터에서 방출되는 전류의 균일도를 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명은 전류 방출을 균일하게 유지할 수 있어 발광 휘도 레벨을 균일하게 유지할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号:KR100278439B1
公开(公告)日:2001-02-01
申请号:KR1019980055805
申请日:1998-12-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전자 집속을 위한 게이트 전극을 상부 패널상에 형성함으로써 제조가 용이하며, 크로스 토크의 발생을 억제할 수 있도록 한 전계 방출 표시소자에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 하부 패널상의 각 에미터에서 방출되는 전자를 집속하여 형광체층으로 유도하는 게이트 및 집속 전극을, 종래의 전계 방출 표시소자와는 달리, 상부 패널상에 형성함으로써, 하부 패널상에 형성되는 다수의 에미터들의 높이 균일도를 정밀하게 조절할 수 있고, 전체 표시소자의 제조를 간단하게 실현할 수 있으며, 또한 에이터에서 방출되는 전자들을 집속하는 게이트 및 집속 전극을 에미터측에 근접하도록 형성함으로써 포커싱(집속) 에러로 인해 화질이 저하되는 현상을 확실하게 방지할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号:KR1020000041835A
公开(公告)日:2000-07-15
申请号:KR1019980057842
申请日:1998-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333
Abstract: PURPOSE: A method for implementing a driving device of a flat display device is provided to form a plurality of flat display devices on a pair of substrates. CONSTITUTION: A method for implementing a driving device of a flat display device includes five steps. At the first step, a plurality of device patterns are formed on an upper/lower substrates(11,12) made of a film which is easily bent. The device patterns are formed on an upper/lower substrates(11,12) in rows and columns. At the second step, a portion on which a driving device(14) is to be attached on one of the upper/lower substrates is punched. At the third step, a plurality of panels(15) are formed by combining the punched substrate with another substrate. At the forth step, the upper/lower substrates are cut into individual panel units. At the fifth step, the driving device is attached on the device attachment side which is exposed on one terminal of the individual panel units. The portion on which a driving device(14) is to be attached on one of the upper/lower substrates is punched based on the individual panel units.
Abstract translation: 目的:提供一种用于实现平面显示装置的驱动装置的方法,以在一对基板上形成多个平面显示装置。 构成:实现平板显示装置的驱动装置的方法包括五个步骤。 在第一步骤中,在由容易弯曲的薄膜制成的上/下基板(11,12)上形成多个装置图案。 器件图案以行和列形成在上/下基板(11,12)上。 在第二步骤中,冲压要在其上的一个上基板上安装有驱动装置(14)的部分。 在第三步骤中,通过将穿孔基板与另一基板结合来形成多个面板(15)。 在第四步骤中,将上/下基板切成单独的面板单元。 在第五步骤中,驱动装置安装在暴露在各个面板单元的一个端子上的装置安装侧上。 基于各个面板单元冲压要在其上的一个上基板上安装驱动装置(14)的部分。
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公开(公告)号:KR1020000040229A
公开(公告)日:2000-07-05
申请号:KR1019980055805
申请日:1998-12-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: An electric field emitting display device is provided to prevent the deterioration of the screen quality due to the focusing error and simplify the manufacturing process. CONSTITUTION: An electric field emitting display device comprises a lower panel which has a plurality of electron emitting emitters, and an upper panel which is opposite to the lower panel. The lower panel comprises a lower substrate(102), a cathode electrode layer(104) formed on the lower substrate, and a plurality of emitters(106) formed on the cathode electrode layer(104). The upper panel comprises an upper substrate, an anode electrode layer(116) formed on the upper substrate, a fluorescent layer(110), and insulating layer(112), and a gate electrode layer(114) formed on the upper portion of the insulating layer(112).
Abstract translation: 目的:提供电场发射显示装置,以防止由于聚焦误差导致的屏幕质量的劣化,并简化制造过程。 构成:电场发射显示装置包括具有多个电子发射发射体的下面板和与下面板相对的上面板。 下面板包括下基板(102),形成在下基板上的阴极电极层(104)和形成在阴极电极层(104)上的多个发射体(106)。 上板包括上基板,形成在上基板上的阳极电极层(116),荧光层(110)和绝缘层(112),以及形成在所述上基板的上部的栅极电极层 绝缘层(112)。
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公开(公告)号:KR1020000040226A
公开(公告)日:2000-07-05
申请号:KR1019980055802
申请日:1998-12-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/1303 , G02F1/1339 , G02F2001/133354 , G02F2202/28
Abstract: PURPOSE: A method for sealing thin film liquid crystal display device is provided to seal the liquid crystal region between upper and lower substrates using simple heat manipulation without using adhesives. CONSTITUTION: A method for sealing thin film liquid crystal display device includes first and second steps. The thin film liquid crystal display device according to the present invention includes liquid crystal injection hole of a predetermined pattern applying plurality of spacers between upper substrate(104) and lower substrate(102). At the first step, the upper substrate(104) and the lower substrate(102) with plurality of spacers are arranged. At the second step, the upper substrate and the lower substrate are bound to each other by pressing a heating material on the predetermined patter and by melting a part of the upper substrate and the lower substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种用于密封薄膜液晶显示装置的方法,以使用简单的热操作来密封上下基板之间的液晶区域而不使用粘合剂。 构成:薄膜液晶显示装置的密封方法包括第一和第二步骤。 根据本发明的薄膜液晶显示装置包括在上基板(104)和下基板(102)之间施加多个间隔物的预定图案的液晶注入孔。 在第一步骤中,布置有具有多个间隔物的上基板(104)和下基板(102)。 在第二步骤中,通过在预定图案上按压加热材料并且熔化上基板和下基板的一部分而将上基板和下基板彼此结合。
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