-
公开(公告)号：KR100522140B1
公开(公告)日：2005-10-18
申请号：KR1020030055860
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: 본 발명은 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와 그 병렬 프로브 어레이 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되도록 복수개의 컨택 레벨링 프로브들을 형성하는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들과 병렬 프로브에 전압을 인가하여 구동시키는 제 2 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접근시키는 제 3 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들 중, 하나의 컨택 레벨링 프로브가 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 수평 정렬하는 제 4 단계와; 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 모든 프로브들에 인가된 전압을 해제하는 제 5 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 대상 웨이퍼에 일정간격으로 근접시킨 후, 상기 병렬 프로브에 전압을 인가하여 리소그래피 공정을 수행하는 제 6 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 컨택 레벨링(Contact leveling) 프로브를 형성하여, 리소그래피 공정을 수행하기 위해 병렬 프로브 어레이를 대상 웨이퍼로의 접근 시, 과도한 접촉에 의한 병렬 프로브 파괴를 방지하고, 고속 리소그래피 공정을 수행하여 나노 소자의 대량생산을 가능하게 할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR100498988B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: 본 발명은 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와, 그 병렬 프로브 어레이 영역의 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되며, 상기 병렬 프로브보다 구동 변위가 큰 복수개의 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼 상부에 위치시키는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들을 구동시키고, 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접촉되지 않으면, 상기 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 수평 정렬시키는 제 2 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브로 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하여 정렬 마크(Alignment mark)를 형성 및 인식하는 제 3 단계와; 상기 병렬 프로브들로, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하고, 현상(Develop) 및 패터닝(Patterning)공정을 수행하는 제 4 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 컨택 레벨링(Contact leveling) 프로브(병렬프로브 보다는 구동변위가 크며, 리소그래피를 수행할 대상웨이퍼에 접촉하여 병렬프로브의 수평정렬, 정렬마크 리소그래피와 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 정렬마크 표면감지를 수행하는 프로브)를 형성하여, 리소그래피 공정을 수행하기 위해 병렬 프로브 어레이를 대상 웨이퍼로의 접근 시, 과도한 접촉에 의한 병렬 프로브 파괴를 방지하고, 고속 리소그래피 공정을 수행하여 나노 소자의 대량생산을 가능하게 할 수 있으며, 컨택 레벨링 프로브로 정렬 마크를 형성하고 이를 표면감지하여 정밀한 패터닝을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020050018038A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: PURPOSE: A patterning method using a parallel probe is provided to prevent a parallel probe from being broken by excessive contact when a parallel probe array approaches a target water to perform a photolithography process by forming a contact leveling probe. CONSTITUTION: A parallel probe array is formed on a wafer. The wafer having a plurality of contact leveling probes that are mutually symmetrically formed in the outer or inner regions of a parallel probe array region and have a larger driving displacement than the parallel probe is positioned on a target wafer on which a photolithography process is to be performed. The contact leveling probes are driven. If all the contact leveling probes don't come in contact with the target wafer, the wafer including the contact leveling probes is horizontally aligned(S170). By using the contact leveling probes, a photolithography process is performed on the target wafer to form and recognize an alignment mark(S190). By using the parallel probes, a photolithography process is performed on the target wafer(S230) and a development/patterning process are performed(S240).
Abstract translation: 目的：提供使用平行探针的图案化方法，以在平行探针阵列接近目标水以通过形成接触平衡探针进行光刻处理时，防止平行探针被过度接触破坏。 构成：在晶片上形成平行的探针阵列。 具有相互对称地形成在平行探针阵列区域的外部或内部区域中并且具有比平行探针更大的驱动位移的多个接触调平探针的晶片位于其上将在其上进行光刻工艺的目标晶片上 执行。 触点调平探头被驱动。 如果所有的接触调平探针不与靶晶片接触，则包括接触校平探针的晶片水平对准（S170）。 通过使用接触调平探针，在目标晶片上进行光刻处理以形成并识别对准标记（S190）。 通过使用并行探针，对目标晶片进行光刻处理（S230），进行显影/图案化处理（S240）。
-
-
-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：KR101830304B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020170134540
申请日：2017-10-17
CPC classification number: G01N27/223 , G01K7/16
Abstract: 본발명에따른통합센서의제조방법은, 기판상의습도센서가형성될영역에금속또는전도성유기재료로하부전극을형성하는단계; 상기하부전극상에감습유전층을형성하는단계; 상기하부전극및 감습유전층을포함한영역및 상기기판상의온도센서가형성될영역에제1 도전층을형성하는단계; 상기제1 도전층상부에제2 도전층을형성하는단계; 상기감습유전층상부영역및 상기온도센서가형성될영역을제외한상기제1 도전층및 상기제2 도전층을제거하여습도센서의상부전극및 온도센서의제1 전극을형성하는단계; 및상기온도센서의감온저항패턴을형성하는상기제1 도전층상부의상기제2 도전층을제거하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的另一方面，提供了一种制造集成传感器的方法，包括：在基板上将要形成湿度传感器的区域中形成由金属或导电有机材料制成的下电极; 在下电极上形成流体密封层; 在包括所述下电极和所述感测介电层的区域中以及所述基板上将形成所述温度传感器的区域中形成第一导电层; 在第一导电层上形成第二导电层; 通过去除除上部加热区域和要形成温度传感器的区域之外的第一导电层和第二导电层来形成湿度传感器的上部电极和温度传感器的第一电极; 并去除形成温度传感器的热阻图案的第一导电层形成部分的第二导电层。
-
公开(公告)号：KR101817966B1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：KR1020150111692
申请日：2015-08-07
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01L1/22 , H01L21/768
CPC classification number: G01L1/2287 , G01L1/205 , G01L1/22 , H01L21/768
Abstract: 본발명은플렉서블촉각센서및 이의제조방법에관한것으로, 플렉서블촉각센서는폴리머층, 상기폴리머층의상부에형성된제1 금속층, 상기제1 금속층의상부에형성되고변형에따라저항값이변화하는스트레인게이지와상기스트레인게이지에연결된금속배선을포함하는제1 센서층, 상기제1 센서층을보호하는제1 커버층, 상기폴리머층의하부에형성된제2 금속층, 상기제2 금속층의하부에형성되고변형에따라저항값이변화하는스트레인게이지와상기스트레인게이지에연결된금속배선을포함하는제2 센서층 및상기제2 센서층을보호하는제2 커버층을포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170030507A
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020170030591
申请日：2017-03-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61G7/05 , A47C21/00 , A47C31/00 , G01L1/22 , G01L5/00 , G08B21/02 , G08B21/04 , A61B5/113 , A61B5/08
Abstract: 본발명은스마트베드, 이를이용한사용자상태모니터링시스템및 사용자상태모니터링방법에관한것으로, 스마트베드는누워있는사용자의상태를감지하는적어도하나의플렉서블촉각센서를포함하는매트리스및 상기매트리스를적재하는베드프레임을포함하되, 상기적어도하나의플렉서블촉각센서는상기매트리스에누워있는사용자의특정부위와대응되는지점에위치한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
144
records
(took 0.021 seconds)
