Abstract:
본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며, 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항을 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다. 나아가, Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써, 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
The present invention relates to a thin film solar cell enabling sunlight to be incident on a light absorbing layer directly without obstacles by forming a buffer layer, a transparent electrode, and a grid electrode on a lower surface of a CIGS instead of forming the buffer layer and the transparent electrode on the upper part of the light absorbing layer as the thin film solar cell used to be manufactured by forming the buffer layer, the transparent electrode, and the grid electrode on the upper part of the conventional light absorbing layer. Also, the solar cell can shorten the distance of an electron-hole moving to the electrode or the buffer layer, wherein the electron-hole is generated by patterning a first electrode and the buffer layer into a shape to mesh with a tooth structure to absorb light energy.
Abstract:
본 발명은 Se 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성한 후 급속 열처리 공정을 수행함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적인 Se 공급이 필요하지 않은 CIGS 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 기판에 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a); 상기 단계 a에서 형성된 전구체 박막에 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)을 처리하는 단계(단계 b)를 포함한다. 본 발명에 따르면, CIGS 전구체 박막을 제조하는 과정에서 충분한 양의 Se가 전구체 박막 자체에 포함되게 함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적으로 Se를 공급하여야 할 필요가 없으며, 급속 열처리 공정 조건의 제어를 통해 Se 손실을 최소화하여 고결정성의 CIGS 박막을 제공할 수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a method for manufacturing an A(C)IGS-based thin film using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and an A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same, more particularly, to a method for manufacturing a dense thin film by non-vacuum coating slurries using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and a A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same. According to the present invention, a wide band gap A(C)IGS-based thin film can be provided by manufacturing an A(C)IGS-based thin film which contains Ag by applying core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles to the manufacture of A(C)IGS-based thin film.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a chalcogenide solar cell with a double texture structure formed on the surface of a back electrode, and the chalcogenide solar cell manufactured by the same are provided to increase light capturing performance by forming a front texture and a back texture. CONSTITUTION: A back texture (32) is formed on the surface of a back electrode. A light absorption layer (40) of a chalcogenide semiconductor material is formed on the back electrode. A buffer layer (50) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode is formed on the buffer layer. A front texture (62) is formed on the surface of the transparent electrode.
Abstract:
PURPOSE: A solar cell deterioration test chamber and a test method using the same are provided to make an internal chamber environment be a prerequisite for a deterioration test while a solar cell is installed within a chamber for the deterioration test, to make artificial light be not irradiated to the solar cell until a light amount of an artificial light source is stabilized up to a required level for the deterioration test and to make the artificial light be irradiated to the solar cell without changing inner temperature or humidity of the chamber after being stabilized. CONSTITUTION: A solar cell deterioration test chamber includes a chamber housing (201), a light shielding partition (210), a rotary type jig (220) and a temperature control unit. The chamber housing has a light penetration window through which light penetrates. The light shielding partition having an open part divides an internal space of the chamber housing into a first space adjacent to the light penetration window and a second space which is in an opposite side of the first space and shields light penetration from the first space to the second space. The rotary type jig installed to rotate at least 180 degrees in the open part of the light shield partition has a body for shielding light penetration and includes a solar cell for a test object in one surface. The temperature control unit controls the first space and the second space to substantially maintain the same temperature.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film including a Cu-Se thin film using Cu-Se binary nano particle flux and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to obtain a dense structure by filling a gap between particles. CONSTITUTION: Cu-Se binary nano particles an In nano particles are made. Slurry including Cu-Se binary nano particles is made by mixing the Cu-Se binary nano particles, solvents, and a binder. Slurry including In nano particles is made by mixing the In nano particles, the solvents, and the binder. A thin film is formed by alternatively coating a substrate with the slurry including Cu-Se binary nano particles and the slurry including In nano particles. The thin film is thermally processed for 60 to 90 minutes at substrate temperatures of 520 to 550 degrees centigrade by supplying selenium steam. [Reference numerals] (AA) Selenization thermal process; (BB) Cu-Se flux
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film using a binary nano particle hybrid method and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to improve the efficiency of a solar cell by densifying the structure of a thin film. CONSTITUTION: CI(G)S based binary nano particles are made using a low temperature colloidal method. The CI(G)S based binary nano particles are selected among a group of Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S and Ga-S. Hybrid slurry is made by mixing the binary nano particles, a solution precursor including CI(G)S based elements, alcohol based solvents and chelating agents. A CI(G)S based thin film is formed by coating the hybrid slurry. The formed CI(G)S thin film is thermally processed.
Abstract:
본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히, 태양 전지의 후면에 구비된 발열층을 가열하는 발열체를 이용하여 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지는, 상기 태양 전지의 일면에 구비된 발열층; 및 상기 발열층에 열을 전달하는 발열체를 포함하여 이루어진다. 또한, 이에 따라, 본 발명은 태양광을 집광하여 발열하는 발열체와 발열체에서 열을 전달받아 태양 전지의 후면 온도를 일정하게 상승 및 유지시켜 태양 전지의 열화를 방지하는 발열층을 구비하여 열화에 따른 태양 전지의 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 발열체를 이용하여 추가적인 전력 소모 없이 태양 전지 후면의 온도를 일정하게 상승 및 유지시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.
Abstract:
연소가스로부터 이산화탄소 제거를 위한 흡수용액의 흡수평형 시험방법 및 시험장치가 개시된다. 개시된 본 발명은 외부로부터 공급되는 예열공기로 인해 일정온도를 유지하는 공기 항온조; 상기 공기 항온조 내부에 설치되며 외부로부터 이산화탄소가 공급되어 충전되는 혼합가스 저장조; 및 상기 공기 항온조 내부에 설치되며 외부로부터 흡수용액이 공급되고 상기 혼합가스 저장조로부터 이산화탄소가 공급되어 이산화탄소 흡수반응 평형시험이 수행되는 흡수 반응조;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 고온 또는 고압상태에서 이산화탄소 흡수 평형시험이 가능하다. 이산화탄소, 연소가스, 화석, 배기가스, 온난화, 흡수용액, 흡수평형