公开(公告)号：TW287309B

公开(公告)日：1996-10-01

申请号：TW084112595

申请日：1995-11-24

Applicant: 三菱電機股份有限公司

Inventor： 大谷浩

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00269 ,  G01L19/003 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/147 ,  G01P1/006 ,  G01P1/023 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  H01L2224/32225

Abstract: 一種半導體壓力感測器(P1)，具有一由矽形成之感測器元件(1)，一電連接於該感測器元件(1)之主框架(2)，以及由PPS樹脂或PBT樹脂所製之封裝(5、6)，該封裝(5、6)覆蓋該感測元件(1)並黏結至該主框架(2)其中該封裝(5、6)與該主框架(2)彼此黏結，該封裝(5、6)與該主框架(2)之每一接觸部分藉由施以短波長紫外線而變形，致使改善其黏結特性。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体压力传感器(P1)，具有一由硅形成之传感器组件(1)，一电连接于该传感器组件(1)之主框架(2)，以及由PPS树脂或PBT树脂所制之封装(5、6)，该封装(5、6)覆盖该传感组件(1)并黏结至该主框架(2)其中该封装(5、6)与该主框架(2)彼此黏结，该封装(5、6)与该主框架(2)之每一接触部分借由施以短波长紫外线而变形，致使改善其黏结特性。

公开(公告)号：KR1020160070128A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020167012564

申请日：2014-11-19

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 허치슨데이비드엔 ,  헤크존

IPC: G01P15/093 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5776 ,  G01P15/14 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/093 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5776 ,  G01P15/14 ,  G01P2015/0828 ,  G01P2015/084

Abstract: 본개시의실시형태는, 디바이스에인가되는관성변화를결정하도록구성되는 MEMS에대한기술및 구성을대상으로한다. 하나의예에서, 디바이스는공진파장을갖는광 빔을생성하도록구성되는레이저장치, 광빔을수신및 출력하도록구성되는도파관, 및변형가능한폐루프를포함하며광 빔의한 부분을수신하기위해도파관에광학적으로커플링되는광학공진기를포함할수도있다. 광학공진기의변형은광학공진기를통해이동하는광 빔의한 부분의광학경로길이의변화로귀결되어, 도파관에의해출력되는광 빔의공진파장에서의변화를발생시킨다. 다른실시형태가설명되고/되거나청구될수도있다.

Abstract translation: 本公开的实施例涉及用于确定施加到装置的惯性变化的MEMS的技术和配置。 在一个示例中，该装置包括被配置为产生具有谐振波长的光束的激光器装置，被配置为接收和输出光束的波导以及可变形的闭环，其中波导被配置为接收光束的一部分 并且可以包括光学耦合的光学谐振器。 光学共振器的变形导致光学部件在光学共振器中传播的一部分光程长度发生变化，并且引起由波导输出的光束的共振波长的变化。 其他实施例可以被描述和/或要求保护。

公开(公告)号：KR100944426B1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：KR1020077017000

申请日：2006-11-16

Applicant: 키오닉스, 인크.

Inventor： 아담스,스콧지. ,  밀러,스콧에이. ,  션-엡스타인,준 ,  엡스타인,케이스

IPC: G01P15/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

Abstract: 본 발명의 실시예에서는, 기판, 제1센서 및 제2센서를 포함하는 미소기전(micro-electromechanical(MEMS)) 가속도계가 제공된다. 상기 제1센서는 상기 기판의 평면과 평행하게 제1축을 따라 가속도를 측정하도록 구성된다. 상기 제2센서는 상기 기판의 평면과 수직한 축을 따라 가속도를 측정하도록 구성된다. 상기 제2센서는 제1빔, 제2빔, 및 단일지지구조체를 포함한다. 상기 단일지지구조체는 상기 제1 빔과 상기 제2빔이 상기 제1센서를 외접시키면서, 상기 기판에 대해 상기 제1 및 제2빔을 지지한다.
MEMS, 가속도계

公开(公告)号：KR100810591B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020067017529

申请日：2005-04-28

Applicant: 아이치 세이코우 가부시키가이샤

Inventor： 혼쿠라요시노부 ,  야마모토미치하루 ,  고우타니요시아키 ,  모리마사키 ,  가코에이지 ,  겐바고우에이 ,  아사노다쿠미 ,  이시카와나오키

IPC: G01P15/105 ,  G01P5/18

CPC classification number: G01P1/006 ,  G01P1/023 ,  G01P15/105 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

Abstract: 본 발명의 가속도 센서(1)는, 고정단(221)을 중심으로 하여 회전하도록 탄성 변형되는 캔틸레버(22)와, 캔틸레버(22)의 자유단(222)에 설치되는 자석체(21a(b)) 및 캔틸레버(22)의 회전 영역의 외주 측에 배치된 자기검출 헤드부(23a(b))를 포함하는 검지 유닛(2a(b))을 가진다. 가속도 센서(1)는 자기검출 헤드부(23a, 23b)가 출력하는 검출 신호를 보정하기 위해, 자기검출 헤드부(23a, 23b) 및 자석체(21a, 21b)에 작용하는 주변 자계를 각각 계측하는 주변 자계 검출부(43a, 43b)를 갖는다.
가속도 센서, 캔틸레버, 자기검출 헤드부, 자석, 자계, 주변 자계 검출부, 검지 유닛, 고정단, 자유단.

Abstract translation: 根据本发明（1）的加速度传感器具有固定端磁性体（21a和悬臂22弹性变形，从而将221周围旋转，在悬臂22的自由端222提供（b）中 并且包括设置在悬臂22的旋转区域的外周侧的磁检测头部23a（b）的检测单元2a（b） 加速度传感器1测量作用在磁检测头部23a和23b以及磁体21a和21b上的外围磁场，以测量作用在磁检测头23a和23b上的外围磁场， 并且外围磁场检测单元43a和43b。

公开(公告)号：KR100632458B1

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020050022336

申请日：2005-03-17

Applicant: 아이치 세이코우 가부시키가이샤

Inventor： 혼쿠라요시노부 ,  야마모토미치하루 ,  고우타니요시아키 ,  모리마사키 ,  가코에이지 ,  겐바고우에이 ,  아사노다쿠미 ,  이시카와나오키

IPC: G01P15/08

CPC classification number: G01P1/006 ,  G01P1/023 ,  G01P15/105 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

Abstract: 자기검출소자를 이용하여 자석체의 변위를 계측하는 가속도 센서로서, 주변 자계의 영향을 억제하여 계측정밀도를 높인 가속도 센서를 제공한다. 가속도 센서는 캔틸레버형을 이루고, 그 고정단을 중심으로 하여 회전하도록 탄성 변형되는 캔틸레버와, 캔틸레버의 자유단에 제공되는 자석체 및 캔틸레버의 회전 영역의 외주 측에 배치된 자기검출 헤드부를 포함하는 검지 유닛을 가진다. 가속도 센서는 자기검출 헤드부가 출력하는 검출 신호를 보정하기 위해, 자기검출 헤드부 및 자석체에 작용하는 주변 자계를 각각 계측하는 주변 자계 검출부를 갖는다.
가속도 센서, 캔틸레버, 자기검출, 자석, 자계, 주변 자계, 검지 유닛

公开(公告)号：KR1020060043771A

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020050022336

申请日：2005-03-17

Applicant: 아이치 세이코우 가부시키가이샤

Inventor： 혼쿠라요시노부 ,  야마모토미치하루 ,  고우타니요시아키 ,  모리마사키 ,  가코에이지 ,  겐바고우에이 ,  아사노다쿠미 ,  이시카와나오키

IPC: G01P15/08

CPC classification number: G01P1/006 ,  G01P1/023 ,  G01P15/105 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

Abstract: 자기검출소자를 이용하여 자석체의 변위를 계측하는 가속도 센서로서, 주변 자계의 영향을 억제하여 계측정밀도를 높인 가속도 센서를 제공한다. 가속도 센서는 캔틸레버형을 이루고, 그 고정단을 중심으로 하여 회전하도록 탄성 변형되는 캔틸레버와, 캔틸레버의 자유단에 제공되는 자석체 및 캔틸레버의 회전 영역의 외주 측에 배치된 자기검출 헤드부를 포함하는 검지 유닛을 가진다. 가속도 센서는 자기검출 헤드부가 출력하는 검출 신호를 보정하기 위해, 자기검출 헤드부 및 자석체에 작용하는 주변 자계를 각각 계측하는 주변 자계 검출부를 갖는다.
가속도 센서, 캔틸레버, 자기검출, 자석, 자계, 주변 자계, 검지 유닛

Abstract translation: 一种加速度传感器，利用磁检测元件来测量磁体的位移，该加速度传感器能够抑制周边磁场的影响并提高测量精度。 加速度传感器检测，包括形成一个悬臂，该悬臂可弹性变形，以便绕固定端，即在悬臂构件的自由端部和设置在该旋转区域部的外周侧的磁性检出头部的悬臂提供一个磁体 它有一个单元。 为了校正检测信号，用于将磁性检出头部输出的加速度传感器和具有外围磁场检测单元，用于每个测量施加于磁性检出头部和上述磁铁体的周围磁场。

公开(公告)号：KR100558213B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020007006743

申请日：1998-12-16

Applicant: 얼라이드시그날 인코퍼레이티드

Inventor： 맥구간더글라스씨.

IPC: G01P1/02

CPC classification number: G01P15/097 ,  G01P1/023 ,  G01P2015/0828

Abstract: 저온으로 동시소성된 세라믹 어셈블리 기술을 이용하여 형성된 통합된 센서 패키지(10) 및 그 제조방법이 개시되었다.
패키지, 센서, 세라믹, 어셈블리, 기판

公开(公告)号：KR1020030092618A

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1020020030340

申请日：2002-05-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김형준 ,  이정훈 ,  강지윤

IPC: G01N27/00

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P2015/0828

Abstract: PURPOSE: A cantilever sensor and a method for manufacturing the same are provided to reduce a size of a cantilever sensor system by allowing the cantilever sensor to detect an electric signal instead of an optical signal. CONSTITUTION: A part of a first silicon nitride layer(21) is formed on a silicon substrate(20) and the remaining part of the first silicon nitride layer is formed on a membrane. A silicon oxide layer(23) is formed on the first silicon nitride layer. A lower electrode(24) having a predetermined size is formed on the silicon oxide layer. A first piezo-electric layer(25) is formed on the lower electrode and a second piezo-electric layer is formed in such a manner that the second piezo-electric layer is separated from the first piezo-electric layer. An upper electrode layer(26) is formed on the first and second piezo-electric layers. A protective layer having first and second openings(31,32) is formed on the upper electrode. First and second contact pads(28,29) are formed in the first and second openings.

Abstract translation: 目的：提供悬臂传感器及其制造方法，以通过允许悬臂传感器检测电信号而不是光信号来减小悬臂传感器系统的尺寸。 构成：第一氮化硅层（21）的一部分形成在硅衬底（20）上，第一氮化硅层的其余部分形成在膜上。 在第一氮化硅层上形成氧化硅层（23）。 在氧化硅层上形成具有预定尺寸的下电极（24）。 第一压电层（25）形成在下电极上，第二压电层形成为使得第二压电层与第一压电层分离。 在第一和第二压电层上形成上电极层（26）。 具有第一和第二开口（31,32）的保护层形成在上电极上。 第一和第二接触焊盘（28,29）形成在第一和第二开口中。

公开(公告)号：KR1020010041741A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007009976

申请日：1999-01-13

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오오지히로시 ,  쓰쓰미카즈히코 ,  프렌치파트릭제이

IPC: H01L29/84

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0114 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0828

Abstract: 힘이가하여질때변위하는질량체(11)와, 그질량체(11)를지지하는최소한 1개의 (12)와, 그지지빔(12)의일단을고정하는고정부(13)를구비하여, 그질량체(11)의변위에의해질량체(11)에작용하는관성력을검출하도록하는관성력센서에있어서, 질량체(11)는실리콘기판(1)의내부가 1공정내에서에칭에의해제거되어형성된중공구조체(9)이며, 고정부(13)는실리콘기판의본체부의최소한일부임을특징으로한다. 그관성력센서는단결정실리콘으로형성되므로기계적특성및 신뢰성이크게높아진다.

公开(公告)号：KR100202237B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019910008856

申请日：1991-05-30

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 ,  히다치 오토모티브 엔지니어링 가부시키 가이샤

Inventor： 쯔찌타니시게끼 ,  스즈끼세이꼬 ,  다나까도모유끼 ,  미끼마사유끼 ,  마쯔모또마사히로 ,  이찌가와노리오 ,  에비네히로마찌 ,  스기사와유끼꼬 ,  사또가네마사 ,  우에노사다야스 ,  아사노야스히로 ,  구보따마사노리

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P1/003 ,  G01P15/131 ,  G01P2015/0828

Abstract: 반도체 가속센서는, 일단에서 소정 중량의 도전성 가동전극을 갖는 켄틸레버, 가동전극에 대해 정지하고 상기 가동전극의 대향면상에 위치하는 최소 한 쌍의 고정 도전 전극, 및 상기 고정 전극과 상기 가동전극 사이에 제공된 갭으로 형성된다. 가동전극이 접촉된 고정전극에 용융되는 것을 방지하기 위해 본 발명의 제1관점에서는 가동전극과 고정전극 사이에 절연층이 제공되고, 이 층은 가동전극 또는 고정전극 중 하나상에 위치하고 제2관점에서는 가동전극 또는 바람직하게는 고정전극이 고 용융점 물질로 형성된다. 이러한 제2관점에서, 고정전극이 장착되는 기판과 고용융점 물질 사이의 부착을 개선하기 위해 상기 기판상에 저 용융점 물질이 먼저 피복된다. 센서 검출장치 프로세싱 회로는 복수 레지스터의 적정한 개폐에의해 디지털적으로 조절되는 회로의 출력특성을 가지며, 센서 칩과 검출장치 집적회로는 센서 및 검출장치 조립체의 작동에 작용하는 유해한 환경적 영향을 방지하기 위해 공통 베이스상에 위치하거나 밀봉된 챔버내에 장착될 수 있다. 바람직하게, -40