公开(公告)号：CN1700397A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510078319.7

申请日：2005-03-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞升濬

IPC: H01J29/02 ,  H01J31/12 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J3/021 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置和一种使用该电子发射装置的电子发射显示器，其中电子发射装置对于聚焦电子束具有一改善的结构。该电子发射装置包括：形成在一个板上彼此以预定距离分开的第一和第二电极；形成在该板全部区域上并且具有孔的绝缘体，第一电极和第二电极中的第一电极的一部分至少部分通过该孔被露出；形成在第一电极的预定区域上并通过该孔露出的电子发射体；和一形成在该绝缘体上与第二电极连接的第三电极；其中，第一和第二电极的压差引起电子发射体发射电子，被发射的电子由第三电极聚焦。

公开(公告)号：CN1689129A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823864.0

申请日：2003-09-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·范皮伊特森 ,  S·T·德滋瓦特 ,  H·M·维斯塞

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/021

Abstract: 本发明涉及一种场致发射器件及其制造方法。该场致发射器件包括：栅电极(140、340、440)，其设置有电子穿通孔(135、335、435)的图形。靠近在衬底(125、325、425)上分布的颗粒(110、310、410)排列栅电极(140、340、440)，所述颗粒(110、310、410)的至少一部分被排列用于发射电子。利用栅电极(140、340、440)，即可施加电场，由此发射粒子发射电子。因为孔(135、335、435)的图形类似于衬底上颗粒(110、310、410)的分布，所以就获得了特别优良的电子发射。利用该制造方法就获得了以下结果，其中在照射步骤中将颗粒(110、310、410)应用于光敏层(150、352)的掩膜区(155、355)。因此，在光敏层(150、352)中就获得了图形，利用此图形以便相对容易地获得栅电极(140、340、440)中的类似图形。

公开(公告)号：CN1664972A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510051826.1

申请日：2005-03-01

Applicant: 爱发科股份有限公司 ,  爱发科成膜株式会社

Inventor： 中野美尚 ,  平川正明 ,  三浦治 ,  村上裕彦 ,  冈坂谦介 ,  小岛智明

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 一种阴极基板及其制造方法。该阴极基板包括在处理基板(11)上依次层叠的阴极电极层(12)、绝缘层(14)和栅电极层(15)，在此绝缘层上形成的孔(14a)的底部中设置发射极(E)，同时在上述栅电极层中形成栅极孔开口部(16)。此时，由具有比绝缘层的孔的开口面积更小的面积的多个开口(16a)构成栅极孔开口部，并且与发射极相对地将各个开口密集在绝缘层的孔的正上方。

公开(公告)号：CN1581416A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056695.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4,500sccm。

公开(公告)号：CN1518033A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310120281.6

申请日：2003-12-12

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： P·本宁 ,  H·-P·霩 ,  W·R·奈特 ,  P·H·麦克莱兰德

IPC: H01J1/00 ,  H01J9/02 ,  H01L21/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C7/005 ,  H01J3/021 ,  H01J2237/31754

Abstract: 本发明的电子装置包括在衬底(8)中定义的阱(12)中形成的一尖端发射体(10)。在阱周围设置的一提取器(14)提取来自尖端发射体(10)的发射，一宽透镜(16)通过它的开口聚焦该发射，该开口足够大并且隔开足够远以便能包围该发射的大部分发散角，该发射被聚焦成一点。

公开(公告)号：CN1428000A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN01809063.X

申请日：2001-03-12

Applicant: 尖端设备公司

Inventor： 安东尼·A·克洛巴 ,  伦道夫·D·许勒 ,  戴维·A·德尔古齐 ,  唐纳德·E·帕特森 ,  基思·D·贾米森 ,  肯特·R·卡拉

IPC: H01J9/18 ,  H01J3/02 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J3/021 ,  H01J9/18

Abstract: 本发明提供了在电子枪中安装具有发射极和一个引出栅极的场发射装置的装置和方法。所述装置可由现有的使用热离子发射极的电子枪零件改造制成。利用由弹簧压紧在导电表面例如现有的电子枪中的第二控制栅极上凸块，可与栅极电气上连接。

公开(公告)号：CN1411605A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN01806100.1

申请日：2001-01-25

Applicant: 尖端设备公司

Inventor： 伦道夫·D·许勒 ,  肯特·R·卡拉 ,  安东尼·A·克洛巴

IPC: H01J3/02 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J29/481 ,  H01J29/485 ,  H01J2201/304

Abstract: 提供了一种用于能够将场发射阴极安装在电子枪中的封装结构的装置和方法。不导电基片具有所固定的阴极，并且阴极电连接到通过该基片的管脚上。其他管脚电连接到与阴极成一整体的电极上。可以将三个阴极安装在晶片标志区上，以形成适用于彩色CRT的电子枪。实现了发射器阵列与电子枪中的孔和其他电极(例如聚焦透镜)的精确对准。单一封装结构可以用于多种电子枪尺寸。在制造电子枪过程中，发射器阵列与电子枪的装配和固定可降低制造成本。

公开(公告)号：CN105336560B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410288346.6

申请日：2014-06-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  陈丕瑾 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J25/22 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J23/04 ,  H01J23/06 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括：一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括：反射极、第二栅网；该电子发射结构包括：阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。

公开(公告)号：CN105244246B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410327705.4

申请日：2014-07-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  柳鹏 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0268 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2203/028 ,  H01J2203/0284 ,  H01J2203/0288

Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板导电且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；以及阴极发射体；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁与所述微通道板电连接，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。

公开(公告)号：CN105448620A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410327650.7

申请日：2014-07-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  柳鹏 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2203/028 ,  H01J2203/0284 ,  H01J2203/0288 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/939

Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。