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公开(公告)号：CN105244246B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410327705.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板导电且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；以及阴极发射体；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁与所述微通道板电连接，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN105448624A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410327704.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
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公开(公告)号：CN101060056A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710105343.4
申请日：2007-03-23
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: C03C17/34 , B32B17/06 , C03C3/066 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C17/3411 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0268 , H01J2329/4669
Abstract: 本发明公开了一个厚膜类电介质，它有着对基材的理想粘着性和良好的绝缘性。本发明的电介质包括由感光成分制成的下层电介质和由感光成分制成并形成于所述下层电介质之上的上层电介质。用作所述下层电介质的初级玻璃粉末的软化点(T1)、用作所述上层电介质的初级玻璃粉末的软化点(T2)和所述初级玻璃粉末的烧成温度(T3)满足以下关系：T1＜T3＜T2＜T3+30℃。
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公开(公告)号：CN105448624B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410327704.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
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公开(公告)号：CN105244246A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410327705.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板导电且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；以及阴极发射体；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁与所述微通道板电连接，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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Patent Agency Ranking
6.发明授权Dielectric and display device having a dielectric and dielectric manufacturing method 失效具有电介质和电介质制造方法的介电和显示装置公开(公告)号：US07678457B2
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：US11725945
申请日：2007-03-20
Applicant: Keiichiro Hayakawa , Masakatsu Kuroki
Inventor： Keiichiro Hayakawa , Masakatsu Kuroki
CPC classification number: C03C17/34 , B32B17/06 , C03C3/066 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C17/3411 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0268 , H01J2329/4669
Abstract: This invention provides a thick-film type dielectric with desired adhesivity to the base and very good insulation properties. The dielectric of the present invention includes a lower dielectric layer made of a photosensitive composition and an upper dielectric layer which is made of a photosensitive composition and formed on the aforementioned lower dielectric layer. The softening point (T1) of the primary glass powder used for the aforementioned lower dielectric layer, the softening point (T2) of the primary glass powder used for the aforementioned upper dielectric layer, and the firing temperature (T3) of the aforementioned primary glass powder satisfy the following relationship: T1
Abstract translation: 本发明提供了一种具有与基底具有所需粘合性的厚膜型电介质和非常好的绝缘性能。 本发明的电介质包括由光敏组合物制成的下电介质层和由感光组合物制成并形成在上述下介电层上的上电介质层。 用于上述下部电介质层的一次玻璃粉末的软化点（T1），上述上部电介质层中使用的一次玻璃粉末的软化点（T2）和上述初级玻璃的烧成温度（T3） 粉末满足以下关系：T1
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7.发明公开Dielectric and display device having a dielectric and dielectric manufacturing method 审中-公开有电介质，使电介质的电介质的方法和显示装置
公开(公告)号：EP1837311A1
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：EP07251242.9
申请日：2007-03-23
Applicant: E.I. du Pont de Nemours and Company
Inventor： Keiichiro Hayakawa , Masakatsu, Kuroki
CPC classification number: C03C17/34 , B32B17/06 , C03C3/066 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C17/3411 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0268 , H01J2329/4669
Abstract: This invention provides a thick-film type dielectric with desired adhesivity to the base and very good insulation properties. The dielectric of the present invention includes a lower dielectric layer made of a photosensitive composition and an upper dielectric layer which is made of a photosensitive composition and formed on the aforementioned lower dielectric layer. The softening point (T1) of the primary glass powder used for the aforementioned lower dielectric layer, the softening point (T2) of the primary glass powder used for the aforementioned upper dielectric layer, and the firing temperature (T3) of the aforementioned primary glass powder satisfy the following relationship: T1
Abstract translation: 本发明提供一种厚膜电介质型具有所需粘合性的基极和非常良好的隔热性能。 本发明的电介质包括由光敏组合物，并在上部电介质层中的所有的下电介质层，其由光敏组合物和形成在上述下部电介质层上。 软化点使用用于上述上部电介质层的主玻璃粉末的上述下部电介质层，则软化点（T2）的主玻璃粉末的（T1），以及上述主玻璃的烧成温度（T3） 粉末满足以下关系：T1
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公开(公告)号：US09312089B2
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：US14753393
申请日：2015-06-29
Applicant: Tsinghua University , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor： Bing-Chu Du , Peng Liu , Duan-Liang Zhou , Chun-Hai Zhang , Shou-Shan Fan
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: The disclosure relates to a method for making field emission cathode. A microchannel plate is provided. The microchannel plate includes a first surface and a second surface opposite to the first surface. The microchannel plate defines a number of holes extending through the microchannel plate from the first surface to the second surface. The plurality of holes are filled with a carbon nanotube slurry. The carbon nanotube slurry is adhered on inner walls of the plurality of holes. The carbon nanotube slurry in the plurality of holes is solidified.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于制造场致发射阴极的方法。 提供微通道板。 微通道板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。 微通道板限定了从第一表面到第二表面延伸通过微通道板的许多孔。 多个孔填充有碳纳米管浆料。 碳纳米管浆料粘附在多个孔的内壁上。 多个孔中的碳纳米管浆料固化。
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公开(公告)号：US20160013007A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：US14753393
申请日：2015-06-29
Applicant: Tsinghua University , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor： BING-CHU DU , PENG LIU , DUAN-LIANG ZHOU , CHUN-HAI ZHANG , SHOU-SHAN FAN
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: The disclosure relates to a method for making field emission cathode. A microchannel plate is provided. The microchannel plate includes a first surface and a second surface opposite to the first surface. The microchannel plate defines a number of holes extending through the microchannel plate from the first surface to the second surface. The plurality of holes are filled with a carbon nanotube slurry. The carbon nanotube slurry is adhered on inner walls of the plurality of holes. The carbon nanotube slurry in the plurality of holes is solidified.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于制造场致发射阴极的方法。 提供微通道板。 微通道板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。 微通道板限定了从第一表面到第二表面延伸通过微通道板的许多孔。 多个孔填充有碳纳米管浆料。 碳纳米管浆料粘附在多个孔的内壁上。 多个孔中的碳纳米管浆料固化。
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公开(公告)号：US20130241389A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：US13420219
申请日：2012-03-14
Applicant: Roger A. KISNER , Kofi KORSAH , John T. SIMPSON , Alexander M. MELIN
Inventor： Roger A. KISNER , Kofi KORSAH , John T. SIMPSON , Alexander M. MELIN
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/28 , H01J21/10 , H01J2201/30407 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2203/0268
Abstract: A field emission device includes a substrate and a plurality of wires embedded in the substrate. The plurality of wires has at least a field emitter cathode wire; a control grid wire array; and a collector anode array. The field emitter cathode wire, control grid wire array, and collector anode array are embedded in and extend through a nonconductive substrate matrix. A method for making a vacuum field emission device is also disclosed.
Abstract translation: 场致发射器件包括衬底和嵌入衬底中的多根电线。 多根导线至少具有场发射极阴极线; 控制网格线阵列; 和集电极阳极阵列。 场发射极阴极线，控制栅格线阵列和集电极阳极阵列嵌入并延伸穿过非导电基片阵列。 还公开了一种制造真空场致发射器件的方法。
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