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公开(公告)号：CN101364567B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN102169958A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110110342.5
申请日：2011-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均匀复合，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的热稳定性，改善了材料的数据保持能力；另一方面因为介质材料的参与，使得有效编程体积减小，因而减小了相变单元结晶前后的体积变化和降低了RESET电流，这有助于存储器件的操作稳定性和实现低功耗。总之，这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，编程体积减小，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力等。
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公开(公告)号：CN102134698A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619496.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C11/56 , C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/14 , C23C14/35 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中三种元素的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。由于铝、锑、碲三种元素之间可以两两成键，因而可调性非常强，使得其在相当大的范围内都具有相变特性。适当调节中元素比例，得到的材料比传统的材料有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力和较低的熔点，而且继承了的快速相变能力。另外Al元素是微电子应用中的常用元素，工艺成熟，与COMS兼容性好。
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公开(公告)号：CN101660118B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910195481.5
申请日：2009-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明的纳米复合相变材料用HfO2与相变材料复合而成，其中，HfO2的重量百分比为12-36％，相变材料的重量百分比为64-88％。本发明的纳米复合相变薄膜应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN102110773A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010537183.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S iy(SbxTe1-x)1-y与传统的相变材料的不同在于：在相变的过程以及相变的前后，材料中硅组份的结构和分布均保持不变，硅原子不进入SbxTe1-x的晶格，而是出现在SbxTe1-x颗粒之间。通过这种复合相变材料的应用，能够降低纳米晶电阻转换存储器操作的功耗，提升器件在高温下的数据保持能力，对于非易失性半导体存储器的应用具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101436614B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810207453.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。
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公开(公告)号：CN101404179B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810202405.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的SET编程操作使所有的存储单元或者存储单元块都处于数据“1”状态。本发明还包括全局SET法的电路实现：在读、写、擦操作完成后的固有时间内监测是否有下一读、写、擦操作，如果有，则认为存储器繁忙，不进行全局SET；如果没有，则认为存储器空闲，此时启动全局SET操作。
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公开(公告)号：CN102005466A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010295914.7
申请日：2010-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L27/2409 , H01L29/7923 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开了一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法，其相变存储单元包括：二极管、加热电极、可逆相变电阻、顶电极等；在加热电极和可逆相变电阻周围包裹有低k介质绝热层；在可逆相变电阻与其周围的低k介质绝热层之间设有防扩散介质层。本发明利用低k介质材料作为绝热材料，避免了相变存储单元之间的热串扰及操作时的相互影响，提高了器件可靠性，消除了非晶向多晶转变时温度、压力等对PCRAM数据保持力的影响。此外，在低k介质材料与相变材料之间制备了一层防扩散介质层，可防止相变材料中的元素向低k介质材料的扩散。其制造工艺与CMOS标准工艺兼容，抛光采用了低压力与低腐蚀的CMP工艺。
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公开(公告)号：CN101597066B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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公开(公告)号：CN101968973A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010289979.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构，其包括：多条字线和多条位线；由多个各自连接在一条位线和一条字线上的相变存储单元形成的存储阵列，其中，每一相变存储单元包括：由相变材料形成且一端连接相应位线的相变电阻以及连接在所述相变电阻另一端和相应字线之间的选通管；以及多个控制单元，各控制单元的输入端分别连接一条位线，各输出端分别连接在相应位线上的各相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点，分别用于拉低相应位线上未被选中的相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点的电位，从而避免漏电流流经未被选中的相变存储单元的相变电阻，如此抑制位线间的漏电流，有效提高存储器的可靠性。
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