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公开(公告)号：CN103246610A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210032785.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启动加载信息和引导程序的启动程序存储区及建置有内核及文件系统的系统RAM区，该方法是在引导程序启动后，基于启动信息加载内核与文件系统；然后在系统RAM区标记出已用内存区及可用内存区；最后系统接收到更新或搬移指令时，申请系统RAM区中是否有连续可用的内存块，若是，则写入内核或文件系统的更新或搬移数据，若否，则整理该可用内存区中的碎片并将各该碎片合并成连续可用的内存块，以将内核或文件系统的更新或搬移数据写入该内存块，本发明模糊了内存与外存的界限，统一了存储架构，把外存管理纳入了内存管理之中，解决了不便管理等问题。
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公开(公告)号：CN101833992B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010170493.5
申请日：2010-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括：主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元，当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时，副相变存储阵列以可选择的方式替换主相变存储阵列中失效的存储单元，而由主副存储阵列切换单元依据替换信息存储单元所存储的信息决定替换的策略，并通过控制主译码器及副译码器实行替换。替换信息存储单元所存储的信息可以由外部输入，由于其采用了相变材料或者金属丝，如此可使写入替换信息极为方便，无需如现有技术要采用大电流或紫外线方式，因此可有效降低成本。
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公开(公告)号：CN102890962A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110203009.9
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（720）；所述行列译码器（520、530）用于选中所述相变存储单元；接着通过控制信号（770）控制写驱动电路（750）通过控制信号（770）在所属相变存储单元上写入相应的数据；所述读出功能电路（720）通过控制信号（770）在经过判别步骤后将读出结果输到I/O口（760）中。本发明的优点在于解决了相变储存器的多级存储中的不稳定性，符合相变存储器对高密度和可靠性的要求。
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公开(公告)号：CN101430930B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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公开(公告)号：CN102316058A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110066876.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L27/00 , H04L27/227 , H04L27/38
Abstract: 本发明公开一种非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置。该装置对接收天线和射频系统输出的初始信号进行下变频和低通滤波处理，然后通过旋转解差分操作来消除多普勒频移。在完成解差分处理后，将信号送入位同步环路完成比特位同步，再送入锁相环进行载波相位跟踪，实现相干解调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101329907B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待编程数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待编程数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待编程数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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公开(公告)号：CN101329894B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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公开(公告)号：CN101833992A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010170493.5
申请日：2010-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括：主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元，当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时，副相变存储阵列以可选择的方式替换主相变存储阵列中失效的存储单元，而由主副存储阵列切换单元依据替换信息存储单元所存储的信息决定替换的策略，并通过控制主译码器及副译码器实行替换。替换信息存储单元所存储的信息可以由外部输入，由于其采用了相变材料或者金属丝，如此可使写入替换信息极为方便，无需如现有技术要采用大电流或紫外线方式，因此可有效降低成本。
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公开(公告)号：CN101430930A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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公开(公告)号：CN103019955B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110300660.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/121
Abstract: 本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于CPU执行写数据的操作时，CPU检测DRAM缓存中是否存在要写的数据页，存在则将数据写入DRAM缓存，否则将要写的数据页由PCRAM主存读入到DRAM缓存之后再进行写操作，实现了CPU写操作时对PCRAM主存所需求的擦写次数及写速度、疲劳特性等性能的需求；于CPU执行读数据的操作时，CPU首先访问DRAM缓存，并在DRAM缓存中未读取到要访问的数据页时，CPU访问PCRAM主存进行读取，实现CPU可直接读取DRAM缓存及PCRAM主存内的数据，大大节省了系统读操作时的工作量。
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