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公开(公告)号：KR1020050042924A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030077583
申请日：2003-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1345
Abstract: 반도체 장치의 소형화를 도모하는 본 발명의 테이프 배선 기판은, 절연성 베이스 필름과, 베이스 필름 상에 형성되고, 반도체 칩의 제1 변에 배치된 전극패드와 연결되는 제1 내부리드와 반도체 칩의 상기 제1 변에 평행한 제2 변에 배치된 전극패드와 연결되는 제2 내부리드가 형성된 배선패턴층과, 반도체 칩과 접합하는 상기 제1 내부리드 및 제2 내부리드가 형성된 칩 실장부를 제외하고 상기 배선 패턴층 상에 도포된 보호막을 포함한다. 여기서, 제1 내부리드와 제2 내부리드는 칩 실장부의 일단으로부터 동일 방향으로 돌출하여 상기 칩 실장부 내에 형성된다. 또한, 본 발명은 이 테이프 배선 기판을 이용한 반도체 칩 패키지 및 액정표시장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040084255A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030019193
申请日：2003-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A pattern forming method of a substrate for a semiconductor device is provided to shorten manufacturing time and to reduce manufacturing costs by forming selectively a seed layer and a conducive metal film on the substrate. CONSTITUTION: A substrate for a semiconductor device(21) is prepared. A photoresist layer is formed on the substrate. A photoresist pattern is formed by exposing and developing the photoresist layer. A seed layer(22) is formed on the exposed substrate. A conductive metal film(23) is formed on the seed layer. The remaining photoresist pattern is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的衬底的图案形成方法，以通过在衬底上选择性地形成晶种层和导电金属膜来缩短制造时间并降低制造成本。 构成：制备半导体器件（21）的衬底。 在基板上形成光致抗蚀剂层。 通过曝光和显影光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案。 种子层（22）形成在暴露的基底上。 在种子层上形成导电金属膜（23）。 去除剩余的光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020020045737A
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1020000075125
申请日：2000-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동한
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A structure of a guide pin of a deposition apparatus for fabricating a semiconductor is provided to make the guide pin located in a right position, by installing the guide pin near a wafer and by making the guide pin inclined so that the upper surface of the guide pin faces the wafer. CONSTITUTION: A heater block(15) is installed inside a chamber(11). A wafer(W) is settled in the heater block. The guide pin(16) is installed in the heater block, closely attached to the outer circumferential surface of the wafer while an inclined surface(16a) is installed at a predetermined angle to the guide pin so that the upper surface of the guide pin faces the place where the wafer is settled.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的沉积装置的引导销的结构，以通过将导销安装在晶片附近并使引导销倾斜使得引导销位于正确的位置，使得引导销的上表面 导向销面向晶片。 构成：加热器块（15）安装在腔室（11）内。 晶片（W）安装在加热器块中。 引导销（16）安装在加热器块中，紧密地附接到晶片的外周表面，同时倾斜表面（16a）以与引导销成预定角度的方式安装，使得引导销的上表面 晶片沉降的地方。
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公开(公告)号：KR1020170109580A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020177022117
申请日：2016-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L1/18
CPC classification number: H04B7/26 , H04J11/00 , H04L1/08 , H04L1/18 , H04L5/0044 , H04L5/0053 , H04L5/1469 , H04L1/1887 , H04L1/1812 , H04L1/1854 , H04L1/1864 , H04L1/1896
Abstract: 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시는적어도하나의상향링크전송을위한서브프레임및 적어도하나의하향링크전송을위한서브프레임을포함하는 TDD(time division duplex) 방식의셀에서동작하는이동통신시스템의기지국에서상향링크데이터반복전송을지원하는방법에있어서, 서브프레임들중 상향링크 HARQ(hybrid automatic repeat request) 프로세스가정의되어있는하향링크서브프레임에서상향링크데이터스케줄링정보를반복전송하는동작; 및상기스케줄링정보의반복전송이완료되는하향링크서브프레임에정의된 HARQ 프로세스의 HARQ 전송타이밍에따른상향링크서브프레임에서부터상향링크데이터를반복수신하는동작을포함하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本公开涉及在诸如LTE的4G通信系统之后支持更高数据速率的5G或5G前通信系统。 本发明是在TDD的一个小区中操作的移动通信系统的基站的上行链路数据中的至少一个（时分双工）系统中，包括一个UL子帧的传输和用于下行链路传输的重复传输的子帧中的至少一个 以期望的方式得到，上行链路HARQ（混合自动重复请求）的子帧重复处理的上行链路数据从在归属传输操作到下行链路子帧的调度信息; 并且提供一种方法，包括以下操作：从根据HARQ过程的发送定时的上行链路子帧中重复地接收上行链路数据，则HARQ在DL子帧中的调度信息的重复传输是完整的定义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170049424A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160140664
申请日：2016-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01M4/505 , C01G23/005 , C01G51/42 , C01G53/50 , C01P2002/20 , C01P2002/32 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 층상구조를갖는하기화학식 1로표시되는제1금속산화물; 및스피넬상구조를가지며하기화학식 2로표시되는제2금속산화물을포함하는복합양극활물질이며, 상기복합양극활물질은제1금속산화물과제2금속산화물의복합체를함유하는복합양극활물질, 이를포함하는양극및 이를포함하는리튬전지가제시된다. [화학식 1] LiMO[화학식 2] LiMeO상기화학식 1 및 2 중, M 및 Me은서로독립적으로 2족내지 14족원소중에서선택되는하나이상이고, 상기복합체에서 Li/(M+Me) 의몰비는 1 미만이다.
Abstract translation: 由下式（1）表示的具有层状结构的第一金属氧化物; 以及由下述通式（2）表示的具有尖晶石相结构的第二金属氧化物，其中所述复合正极活性材料是含有第一金属氧化物任务2金属氧化物， 并且包括它的锂电池。 LiMeO其中M和Me独立地为选自第2族至第14族元素中的至少一种元素，并且复合物中Li /（M + Me）的摩尔比在 它是小于1。
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公开(公告)号：KR1020170024490A
公开(公告)日：2017-03-07
申请号：KR1020150119824
申请日：2015-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M10/0525
Abstract: 층상(layered) 결정구조를갖는제1 금속산화물; 및암염(rocksalt) 결정구조를가지는제2 금속산화물;을포함하고, 상기제1 금속산화물과상기제2 금속산화물이복합체를형성하고, 상기복합체가원소주기율표의제1족및 제2족원소에서선택되는리튬을제외한하나이상의도핑원소에의해도핑되어있는복합양극활물질및 그제조방법, 상기양극활물질을채용한양극과리튬전지가개시된다. 상기복합양극활물질은구조적안정성이개선되어, 리튬전지의수명특성을향상시키고, 전압감소현상을감소시킬수 있다.
Abstract translation: 复合正极活性物质包括复合物，所述复合物包括：具有层状晶体结构的第一金属氧化物; 和具有岩盐晶体结构的第二金属氧化物，其中所述复合物包括选自元素周期表的第1族和第2族中的至少一种掺杂元素，其中掺杂元素不是Li。
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公开(公告)号：KR1020170009225A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100925
申请日：2015-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L5/00
CPC classification number: H04L25/061 , H04B2001/305 , H04J11/0066 , H04J11/0079 , H04J2211/005 , H04L5/00 , H04L27/265 , H04W4/70
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명의일 실시예에따르면, 협대역(narrow band) 통신을이용하는단말의하향링크수신방법에있어서, 상기단말에할당된협대역(narrow band) 주파수자원중 하나의서브캐리어를협대역 DC(direct current) 서브캐리어로설정하는단계, 기지국으로부터상기협대역주파수자원에대한신호를수신하는단계및 상기설정된협대역 DC 서브캐리어에기반하여상기수신신호를디코딩하는단계를포함하는방법및 이를수행하는단말을제공할수 있다.
Abstract translation: 可以提供一种用于由使用窄带通信的UE接收下行链路的方法和用于执行该下行链路的方法，所述方法包括以下步骤：将分配给UE的窄带频率资源中的一个子载波设置为窄带直流 （DC）副载波; 从eNB接收关于所述窄带频率资源的信号; 并且基于已经设置的窄带DC子载波对接收信号进行解码。
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公开(公告)号：KR1020160080865A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140192556
申请日：2014-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/602 , H01M4/622 , H01M10/052 , H01M4/60 , H01M4/62
Abstract: 양극활물질및 그제조방법, 상기양극활물질을채용한양극과리튬전지가개시된다. 상기양극활물질은과리튬화된(overlithiated) 리튬전이금속산화물을포함하는코어; 및상기코어의표면의적어도일부분에형성되고, Li 금속대비 4.4V 내지 4.7V의산화전위를갖는폴리머를포함하는코팅층;을포함한다. 상기양극활물질은, 과리튬화된(overlithiated) 리튬전이금속산화물의표면을고전압산화특성을갖는폴리머로코팅함으로써, 양극활물질표면의산화를억제하여고전압구동시리튬전지의수명특성을개선시킬수 있다.
Abstract translation: 剥离是正极活性物质，其制备方法，正极和使用其的锂电池。 正极活性物质包括：含有过量的锂过渡金属氧化物的芯; 以及形成在芯的表面的至少一部分上并且含有与Li金属相比具有约4.4V至4.7V的氧化电位的聚合物的涂层。 正极活性物质由具有高电压氧化特性的聚合物覆盖锂过渡金属的表面，抑制正极活性物质表面的氧化，从而提高锂电池在高电压下的使用寿命 。
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公开(公告)号：KR1020150128352A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140055630
申请日：2014-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은 D2D 통신에서기지국이 SA 및연관된데이터자원을할당하는경우와단말이 SA 및연관된데이터자원을선택하는경우를모두지원하는환경에서 SA 자원할당지시영역포맷을일정하게유지하는동시에효율적으로상기두 자원할당모드의데이터자원할당을지원하는방법을제안한다. 이에대한실시예로 SA 자원할당지시정보값 중적어도하나의특정한값은단말이 SA 및데이터자원을선택했음을지시하거나, SA자원과데이터자원이미리정의된규칙에의해간접적으로 link되었음을지시할수 있다. 상기특정한값을제외한나머지의자원할당지시정보값은기지국이 SA 및데이터자원을할당했음을지시하거나, 데이터자원의위치를직접적으로지시할수 있다. 그리고다른방법으로 SA 자원영역을적어도두 개로구분하여 SA가송수신되는자원이상기자원영역중 어디에속하는가에따라 SA의자원할당지시정보에대한해석을다르게적용할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种在所有支持基站在D2D通信中分配SA和相关数据资源的情况下持续保持SA资源分配指示区域格式的方法以及终端选择SA和 相关数据资源，同时有效支持两种资源分配模式的数据资源分配。 根据本发明的实施例，SA资源分配指示信息值中的至少一个特定值可以指示终端选择SA和数据资源，或者指示SA资源和数据资源通过预定规则间接链接 。 剩余资源分配指示信息值除了该特定值可以表示基站分配SA和数据资源，或直接指示数据资源的位置。 根据本发明的另一实施例，通过将SA资源区域划分为至少两个，可以根据发送和接收SA的资源是否属于哪一个，可以不同地应用SA资源分配指示的解释 资源区。
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