公开(公告)号：KR101704687B1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：KR1020100082086

申请日：2010-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  오훈상 ,  안정착

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14641

Abstract: 본발명은이미지센서셀을구성하는복수개의트랜지스터들중 적어도하나가채널영역이기판의내부로함몰된리세스트랜지스터(Recess Transistor)인이미지센서셀을개시한다. 상기이미지센서셀은, 영상신호에대응되는영상전하를생성하는영상전하생성부및 상기영상전하를전기신호로변환하는영상신호변환부를구비하며, 상기영상신호변환부를구성하는복수개의트랜지스터들중 적어도하나의트랜지스터는기판의내부로함몰된채널영역을가지는리세스트랜지스터이다.

Abstract translation: 一种图像传感器单元，其中包括在图像传感器单元中的多个晶体管中的至少一个是具有凹入基板的沟道区域的凹槽晶体管。 图像传感器单元包括用于产生与图像信号对应的图像电荷的图像电荷产生单元和用于将图像电荷转换为电信号的图像电荷转换单元，其中包括在图像中的多个晶体管中的至少一个 电荷转换单元是包括凹入基板的沟道区的凹槽晶体管。

公开(公告)号：KR1020160023218A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020140109181

申请日：2014-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영찬 ,  안정착 ,  최혁순 ,  이경호 ,  이전숙 ,  정영우

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457

Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서의단위픽셀은제1 시간동안입사광에의해생성되는광전하를축적하는포토다이오드를포함하는포토다이오드영역, 및상기포토다이오드에축적된상기광전하를수신하여저장하는저장다이오드를포함하는저장다이오드영역을포함하며, 상기포토다이오드는상기입사광을집중시키는마이크로렌즈에상응하고, 상기이미지센서는글로벌셔터(global shutter) 방식으로동작한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器的单位像素包括：光电二极管区域，包括在第一次存储由入射光产生的光电荷的光电二极管; 以及存储二极管区域，包括存储二极管，其存储累积在光电二极管中的光电荷并存储光电荷。 光电二极管对应于聚光入射光的微透镜，并且图像传感器以全局快门的方式操作。 本发明是为了克服由全局快门方法操作的图像传感器的缺点。

公开(公告)号：KR1020160016325A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020140100230

申请日：2014-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  안정착 ,  최혁순

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/3745

Abstract: 본발명의실시예에따른이미지픽셀은각각이하나의마이크로렌즈를통과한입사광의세기에따른광전하를축적하는복수의포토다이오드들, 상기복수의포토다이오드들을전기적으로분리하는트렌치들을포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，图像像素包括多个光电二极管和沟槽。 多个光电二极管中的每一个根据通过微透镜的入射光的强度累积光电荷。 沟槽将多个光电二极管彼此电隔离。 因此，本发明可以防止图像像素的光电二极管之间的串扰产生高质量的图像。

公开(公告)号：KR1020160005573A

公开(公告)日：2016-01-15

申请号：KR1020140084690

申请日：2014-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이전숙 ,  안정착 ,  정희근 ,  이경호

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는액티브픽셀영역에형성되는제1픽셀, 상기액티브픽셀영역에인접하는더미영역에형성되는제2픽셀, 및상기제1픽셀과상기제2픽셀사이에형성되는제1DTI(deep trench isolation)를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，图像传感器包括：形成在有源像素区域中的第一像素; 形成在与有源像素区域相邻的虚拟区域中的第二像素; 以及形成在第一像素和第二像素之间的第一深沟槽隔离（DTI）。

公开(公告)号：KR101484172B1

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：KR1020080081105

申请日：2008-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용제 ,  안정착 ,  박종은 ,  장동윤

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641

Abstract: 광 감지 소자의 면적을 최대로 설계할 수 있게 되어, 이미지 센서의 포화 전자 확보를 용이하게 할 수 있으며, 개구율을 향상시켜 감도가 증가된 이미지 센서가 제공된다.
CIS, 리세스드 게이트, BIS(Back-size Illumination Sensor)

Abstract translation: 可以最大限度地设计光敏器件的面积，以确保图像传感器的饱和电子并提高开口率，从而为图像传感器提供增加的灵敏度。

公开(公告)号：KR1020140130969A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：KR1020130049614

申请日：2013-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  김이태 ,  심은섭 ,  이경호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: Disclosed are an image sensor and a method for manufacturing the same. An image sensor according to an embodiment of the present invention can include a photo detection device and a charge storage device. The charge storage device can further include a blocking layer and a trench for blocking light to be absorbed into the charge storage device. According to an embodiment of the present invention, the charge storage device minimizes the effect of light to stored charges and temporally stores them.

Abstract translation: 公开了一种图像传感器及其制造方法。 根据本发明的实施例的图像传感器可以包括光检测装置和电荷存储装置。 电荷存储装置还可以包括阻挡层和用于阻挡被吸收到电荷存储装置中的光的沟槽。 根据本发明的实施例，电荷存储装置将光对存储的电荷的影响最小化并且将它们暂时存储。

公开(公告)号：KR1020140009802A

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：KR1020120076624

申请日：2012-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  김이태

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: The present invention relates to an image sensor and a method of forming the same. According to the embodiment of the present invention, the image sensor includes a substrate including pixel regions; a photoelectric conversion part formed in the substrate; a channel stop region surrounding the photoelectric conversion part; a pixel voltage applying region; and a first device isolation region.

Abstract translation: 图像传感器及其形成方法技术领域本发明涉及图像传感器及其形成方法。 根据本发明的实施例，图像传感器包括：包括像素区域的基板; 形成在基板上的光电转换部; 围绕光电转换部的通道停止区域; 像素电压施加区域; 和第一器件隔离区。

公开(公告)号：KR1020130134654A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120058315

申请日：2012-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L31/02 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor includes a first device isolation layer which isolates a plurality of pixels, a second device isolation layer which is in contact with the inside of the first device isolation layer and defines an active area of a semiconductor substrate, a floating diffusion area and a ground area which are separated from the active area, a transmission transistor which is formed on the active area and includes a gate which is extended to an area which is recessed to inside of the semiconductor substrate, and a photoelectric conversion unit which is separated from the gate and is formed in the semiconductor substrate. The ground area is electrically connected to a ground voltage terminal.

Abstract translation: 图像传感器包括隔离多个像素的第一器件隔离层，与第一器件隔离层的内部接触并限定半导体衬底的有源区，第二器件隔离层，浮动扩散区和 与有源区分离的接地区域，形成在有源区域上并且包括延伸到凹入到半导体衬底内部的区域的栅极的透射晶体管，以及与该半导体衬底的内部分离的光电转换单元 并形成在半导体衬底中。 接地区域电连接到接地电压端子。

公开(公告)号：KR1020130134292A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120057713

申请日：2012-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이경호 ,  최상준

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/18

Abstract: An image sensor is disclosed. The image sensor includes an optical sensor formed in an epitaxial layer and trench isolations formed from the back side of the epitaxial layer toward the front side of the epitaxial layer. Each trench isolation is filled with at least one insulting material. The insulating material is a negative charge material.

Abstract translation: 公开了一种图像传感器。 图像传感器包括形成在外延层中的光学传感器和从外延层的背侧朝向外延层的前侧形成的沟槽隔离。 每个沟槽隔离物填充有至少一种绝缘材料。 绝缘材料是负电荷材料。

公开(公告)号：KR1020130106978A

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：KR1020120028694

申请日：2012-03-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02

Abstract: PURPOSE: A unit pixel of an image sensor and an image sensor including the same are provided to prevent the generation of a dark current by forming a prevention gate. CONSTITUTION: A photoelectric conversion part (115) is formed in a semiconductor substrate. A transmission gate (145) transmits photocharges to a floating diffusion region. The transmission gate is formed on the first surface of the semiconductor substrate. A prevention gate (150) applies a negative voltage. The prevention gate prevents the generation of a dark current around the first surface.

Abstract translation: 目的：提供图像传感器的单位像素和包括其的图像传感器，以通过形成防止栅极来防止产生暗电流。 构成：在半导体衬底中形成光电转换部（115）。 传输门（145）将光电荷传输到浮动扩散区域。 传输门形成在半导体衬底的第一表面上。 防止门（150）施加负电压。 防止门防止在第一表面周围产生暗电流。