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公开(公告)号：KR102212138B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020140107735
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서의단위픽셀과이를포함하는픽셀어레이이제공된다. 상기단위픽셀은서로이웃하는제1 포토다이오드및 제2 포토다이오드를포함하는제1 픽셀, 및상기제1 및제2 포토다이오드의측면을완전히둘러싸고, 상기제1 픽셀과인접하는다른픽셀들과상기제1 픽셀을전기적으로분리하는제1 DTI(Deep Trench Isolation)를포함하고, 상기제1 픽셀은, 상기제1 포토다이오드와상기제2 포토다이오드사이에위치하고, 일측이상기제1 DTI와이격되도록형성되는제2 DTI와, 상기제1 및제2 포토다이오드상에위치하고, 상기제1 및제2 포토다이오드와완전히오버랩되는컬러필터와, 상기제1 및제2 포토다이오드와전기적으로연결되는플로팅확산노드를포함하되, 상기제1 및제2 포토다이오드는하나의상기플로팅확산노드를공유한다.
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公开(公告)号：KR101975028B1
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：KR1020120065164
申请日：2012-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안정착
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
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公开(公告)号：KR101989567B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020120058315
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안정착
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170084734A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020160003637
申请日：2016-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 본발명의실시예에따른씨모스이미지센서를제공한다. 씨모스이미지센서는제 1 면및 상기제 1 면과대향하는제 2 면을가지고, 상기제 1 면에서상기제 2 면을향해함몰된제 1 리세스영역을가지는기판, 상기기판상에배치되는트랜스퍼게이트및 상기제 1 리세스영역에배치되는소스팔로워게이트를포함하고, 상기소스팔로워게이트는상기제 1 리세스영역에삽입되고, 상기기판의상기제 1 면의일부를덮는다.
Abstract translation: 它根据本发明的一个实施例提供了一种CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器具有一个第一表面和具有面向过所述第一表面的第二表面，具有一第一凹陷区朝向从第一面第二面凹陷的基板，转移被放置在基片上 栅极和设置在源极跟随器栅极，所述第一凹入区域，以及其中，所述源极跟随器栅极被插入到第一凹部区域，并覆盖衬底的第一表面的一部分。
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公开(公告)号：KR1020170006520A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020150097238
申请日：2015-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645
Abstract: 이미지센서가제공된다. 상기이미지센서는화소분리막에의해둘러싸이는제 1 도전형의제 1 불순물영역; 제 1 방향으로상기제 1 불순물영역을가로지르고, 제 1 측면및 상기제 1 측면과대향하는제 2 측면을포함하는제 1 변환소자분리막; 상기제 1 불순물영역내에위치하고, 상기제 1 변환소자분리막의상기제 1 측면상에위치하는제 2 도전형의제 2 불순물영역; 상기제 1 불순물영역내에위치하고, 상기제 1 변환소자분리막의상기제 2 측면상에위치하는제 2 도전형의제 3 불순물영역; 및상기제 1 방향과수직한제 2 방향으로상기제 1 불순물영역을가로지르는제 2 변환소자분리막을포함한다.
Abstract translation: 图像传感器包括由像素隔离层包围的第一导电类型的第一杂质区域; 在第一方向上与第一杂质区相交的第一转换器件隔离层; 第二导电类型的第二杂质区域，设置在第一转换器件隔离层的第一侧表面上; 第二导电类型的第三杂质区域，设置在与第一侧表面相对的第一转换器件隔离层的第二侧表面上; 以及在与第一方向垂直的第二方向上与第一杂质区交叉的第二转换器件隔离层。 第二杂质区域和第三杂质区域设置在第一杂质区域内。
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公开(公告)号：KR101638183B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020090073591
申请日：2009-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 이미지센서는복수의광 감지소자들, 절연층, 복수의컬러필터들및 복수의마이크로렌즈들을포함한다. 복수의광 감지소자들은입사광에상응하는전기신호를생성한다. 절연층은반도체기판의후면상에형성되고, 복수의광 감지소자들사이의영역상에형성된복수의광 차단영역들을포함한다. 복수의컬러필터들은절연층상에복수의광 감지소자들에각각대응하여형성된다. 복수의마이크로렌즈들은복수의컬러필터들상에복수의광 감지소자들에각각대응하여형성된다. 이미지센서는전체면적에서광 감지영역이차지하는비율의악화없이광학적크로스토크를억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160044879A
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：KR1020140139915
申请日：2014-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H04N5/353 , H04N5/3559 , H04N5/3592 , H04N5/37452
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서의픽셀은제1 시간동안입사광에의해생성되는광전하를축적하는포토다이오드, 상기포토다이오드에축적된상기광전하를수신하여저장하는저장다이오드, 및상기포토다이오드에축적된상기광전하를상기포토다이오드로부터상기저장다이오드로전송하고, 상기포토다이오드를향하는수직게이트구조를갖는저장게이트를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，图像传感器的像素包括：光电二极管，被配置为在第一时段期间累积由入射光产生的光电荷; 存储二极管，被配置为接收和存储累积在光电二极管中的光电荷; 以及存储栅极，其被配置为将光电二极管中累积的光电荷从光电二极管传送到存储二极管。 存储栅极具有面向光电二极管的垂直栅极结构。 因此，通过改善像素中包括的晶体管的结构，该像素增加灵敏度并降低噪声。
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公开(公告)号：KR1020160016015A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140099137
申请日：2014-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14687
Abstract: 본발명의일 실시예에따른이미지센서는, 반도체기판, 상기반도체기판표면과이격되어형성된복수의컬러필터, 상기컬러필터로부터소정깊이로연장되어형성된화소분리막및 상기화소분리막에의해서로구별되는복수의광전감지소자를포함하며, 상기복수의컬러필터는화이트컬러필터를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器包括半导体衬底，与半导体衬底的表面分离的多个滤色器，从滤色器延伸到预定深度的像素分离层，以及 多个通过像素分离层彼此区分的光电检测装置。 滤色片包括白色滤色片。
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