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公开(公告)号：KR1020160039877A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133147
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N9/045
Abstract: 씨모스이미지센서가개시된다. 본발명의씨모스이미지센서는제1표면, 및제2표면으로부터일정부분제거되어생성된제3 표면을포함하는반도체기판, 각각이상기제1표면과상기제3표면사이에형성되고, 상기제3표면을통해수신되는입사광에응답하여전하들을생성하는광전변환소자를포함하는액티브영역들, 및상기액티브영역들각각을이웃하는액티브영역과분리하기위하여상기제1표면또는제3 표면으로부터수직으로형성된트렌치-타입의소자분리영역을포함하며, 상기제3 표면에서절단된경우, 상기액티브영역의단면은센터측이오목하고모서리측이볼록한모양을가진다.
Abstract translation: 公开了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。 CMOS图像传感器包括：半导体衬底，有源区和沟槽型元件分离区。 半导体衬底包括通过从第二表面去除预定部分而形成的第一表面和第三表面。 每个有源区形成在第一表面和第三表面之间，并且包括响应于通过第三表面接收的入射光产生电荷的光电转换装置。 沟槽型元件分离区域垂直地形成在第一表面或第三表面上，以将每个有效区域与相邻的有效区域分开。 在第三表面被切出的情况下，有源区域的一部分具有凹形的中心和具有凸形的边缘。
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公开(公告)号：KR1020160007217A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140087567
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 이미지센서의픽셀은반도체기판내에형성된광전변환영역, 반도체기판내에광전변환영역으로부터이격되어형성된플로팅확산영역, 반도체기판의제1 면으로부터내부로연장된리세스의내부에형성되고, 광전변환영역과플로팅확산영역사이에전송채널을형성하는수직전송게이트, 및상기리세스를둘러싸도록불순물이도핑되어형성되고, 리세스의측면에인접한영역에서제1 불순물농도를가지고, 리세스의저면에인접한영역에서제1 불순물농도보다높은제2 불순물농도를가지는불순물영역을포함한다. 리세스의저면에인접한수직전송게이트의채널영역이리세스의측면에인접한수직전송게이트의채널영역보다높은불순물농도로도핑되어수직전송게이트의전송특성이향상되고, 전송지연이방지될수 있다.
Abstract translation: 图像传感器的像素包括：形成在半导体衬底中的光电转换区域; 通过与半导体衬底中的光电转换区域分离而形成的浮动扩散区域; 形成在从所述半导体衬底的第一表面延伸到内部的凹部中的垂直传输门，并且在所述光电转换区域和所述浮动扩散区域之间形成传输通道; 以及杂质区域，其通过将杂质掺杂以围绕所述凹部而形成，在所述凹部的相邻区域中具有第一杂质浓度，并且在与所述凹部相邻的相邻区域中具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度 的凹陷。 与凹部的底部相邻的垂直传输门的沟道区域掺杂有高于垂直传输栅极的沟槽面积的杂质浓度，邻近凹部的侧面，因此，传输特性 提高了垂直传输门，防止了传输延迟。
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公开(公告)号：KR1020160000046A
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140076512
申请日：2014-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 본발명은이미지센서및 이의제조방법을제공한다. 이이미지센서에서는깊은소자분리부가전면으로부터기판속으로연장되는제 1 깊은소자분리막과후면으로부터기판속으로연장되는제 2 깊은소자분리막을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够防止串扰的图像传感器及其制造方法。 图像传感器包括：从深元件分离单元的前部延伸到衬底内部的第一深度元件分离层; 以及从后表面延伸到衬底内部的第二深元件分离层。
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公开(公告)号：KR1020150099119A
公开(公告)日：2015-08-31
申请号：KR1020140020672
申请日：2014-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02016
Abstract: 제1 활성 영역 및 제2 활성 영역을 구분 및 정의하는 제1 소자 분리막을 가진 기판, 상기 기판의 내부에 배치되고 상기 제1 소자 분리막과 수직으로 중첩하는 포토다이오드, 상기 포토다이오드와 수직으로 중첩하도록 상기 제1 활성 영역 내에 배치되고, 상기 기판의 표면으로부터 상기 내부로 연장하는 전송 게이트 전극, 및 상기 제1 활성 영역 내에 형성된 플로팅 확산 영역을 포함하는 씨모스 이미지 센서가 설명된다.
Abstract translation: 描述了CMOS图像传感器，其包括：衬底，其具有用于分类和限定第一有源区域和第二有源区域的第一器件隔离层; 光电二极管，形成在衬底中并与第一器件隔离层垂直重叠; 布置在所述第一有源区中以使所述光电二极管垂直重叠并从所述基板的表面延伸到所述内部的传输栅电极; 以及形成在第一有源区中的浮动扩散区。
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公开(公告)号：KR1020140142966A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130064781
申请日：2013-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464
Abstract: 본 발명의 실시예에 따라 각각이 복수의 트랜지스터들을 포함하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 이미지 센서의 픽셀 어레이 레이아웃 생성 방법은 상기 단위 픽셀은 상기 복수의 트랜지스터들 각각의 게이트의 하부 P-WELL 영역, 소스 영역 및 드레인 영역과 DTI(Deep Trench Isolation) 영역 사이에 형성되는 STI (Shallow Trench Isolation)영역을 포함하고, 상기 DTI 영역은 적어도 2 개 이상의 물질로 채워진다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，在用于生成包括多个晶体管的多个单位像素的图像传感器的像素阵列布局的方法中，单位像素包括在下部P-WELL区域之间形成的浅沟槽隔离（STI）区域 的每个晶体管，源极和漏极区域以及深沟槽隔离（DTI）区域。 DTI区填充至少两种材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100790966B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020050053014
申请日：2005-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: R,G,B 컬러 필터별 균일한 광감도를 확보할 수 있는 CMOS 이미지 소자를 개시한다. 개시된 본 발명의 CMOS 이미지 센서는, 포토 다이오드 및 트랜지스터들로 구성된 다수의 단위 픽셀을 포함하는 반도체 기판을 포함한다. 상기 반도체 기판상에 단위 픽셀의 포토 다이오드와 각각 대응되도록 이너 렌즈가 형성되고, 상기 포토 다이오드 및 이너 렌즈와 각각 대응되도록 반도체 기판 상부에 일정 규칙을 가지고 R,G,B 컬러 필터가 배열된다. 이때, 상기 이너 렌즈는 R,G,B 필터 순으로 개구율 및 곡률이 크게 형성된다.
광감도, 이너 렌즈, 컬러 필터-
公开(公告)号：KR1020040050644A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：KR1020020078506
申请日：2002-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device having a silicide layer is provided to simplify the manufacturing process and easily carry out a contact forming process by forming a silicide barrier pattern having a single deposition structure. CONSTITUTION: A silicide barrier pattern having a single deposition structure is formed on a silicon substrate(30) for partially exposing the silicon substrate. A thin film containing predetermined material for a silicidation is formed on the upper surface of the resultant structure. A heat treatment is carried out on the resultant structure for transforming the thin film of the first region into a silicide layer(34a). The thin film of the second region is removed from the resultant structure for partially exposing the silicide barrier pattern. The exposed silicide barrier pattern is removed. An insulating layer(36a) is formed on the resultant structure. The first and second contact hole(38a,38b) are formed in the insulating layer for partially exposing the silicon substrate and the silicide layer, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有硅化物层的半导体器件的方法，以简化制造工艺，并且通过形成具有单个沉积结构的硅化物阻挡图案容易地进行接触形成工艺。 构成：在用于部分暴露硅衬底的硅衬底（30）上形成具有单一沉积结构的硅化物屏障图案。 在所得结构的上表面上形成含有用于硅化的预定材料的薄膜。 对所得结构进行热处理，将第一区域的薄膜转换成硅化物层（34a）。 从所得结构中除去第二区域的薄膜，以部分地暴露硅化物阻挡图案。 去除暴露的硅化物屏障图案。 在所得结构上形成绝缘层（36a）。 第一和第二接触孔（38a，38b）分别形成在绝缘层中，以分别暴露硅衬底和硅化物层。
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公开(公告)号：KR102252647B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020140087567
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서의픽셀은반도체기판내에형성된광전변환영역, 반도체기판내에광전변환영역으로부터이격되어형성된플로팅확산영역, 반도체기판의제1 면으로부터내부로연장된리세스의내부에형성되고, 광전변환영역과플로팅확산영역사이에전송채널을형성하는수직전송게이트, 및상기리세스를둘러싸도록불순물이도핑되어형성되고, 리세스의측면에인접한영역에서제1 불순물농도를가지고, 리세스의저면에인접한영역에서제1 불순물농도보다높은제2 불순물농도를가지는불순물영역을포함한다. 리세스의저면에인접한수직전송게이트의채널영역이리세스의측면에인접한수직전송게이트의채널영역보다높은불순물농도로도핑되어수직전송게이트의전송특성이향상되고, 전송지연이방지될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160005573A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140084690
申请日：2014-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H04N5/3575 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는액티브픽셀영역에형성되는제1픽셀, 상기액티브픽셀영역에인접하는더미영역에형성되는제2픽셀, 및상기제1픽셀과상기제2픽셀사이에형성되는제1DTI(deep trench isolation)를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，图像传感器包括：形成在有源像素区域中的第一像素; 形成在与有源像素区域相邻的虚拟区域中的第二像素; 以及形成在第一像素和第二像素之间的第一深沟槽隔离（DTI）。
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公开(公告)号：KR1020060133261A
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050053014
申请日：2005-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: A CMOS image sensor including color filters having uniform photosensitivity is provided to form uniformly photosensitivity thereof by improving photosensitivity of a B filter region. A semiconductor substrate(100) comprises a plurality of pixels which are formed with photodiodes(120) and transistors. Inner lens(150R,150G,150B) corresponding to the photodiodes of unit pixels are formed on the semiconductor substrate. R, G, and B color filters(190R,190G,190B) are arranged in a constant interval on the semiconductor substrate and corresponds to the photodiodes and the inner lens. The inner lens has different aperture ratios and different curvature according to the R, G, and B color filters.
Abstract translation: 提供包括具有均匀光敏性的滤色器的CMOS图像传感器，以通过提高B滤光片区域的光敏度来形成均匀的光敏性。 半导体衬底（100）包括由光电二极管（120）和晶体管形成的多个像素。 对应于单位像素的光电二极管的内透镜（150R，150G，150B）形成在半导体衬底上。 R，G和B滤色器（190R，190G，190B）以恒定的间隔布置在半导体衬底上并且对应于光电二极管和内透镜。 根据R，G和B滤色镜，内透镜具有不同的孔径比和不同的曲率。
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