公开(公告)号：JP2009087775A

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：JP2007256825

申请日：2007-09-28

Applicant: Casio Comput Co Ltd ,  Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center ,  カシオ計算機株式会社 ,  財団法人高知県産業振興センター

Inventor： NISHIMURA KAZUHITO ,  SASAOKA HIDENORI

IPC: H01J9/44 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30457

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a field emission type electrode capable of comparatively uniforming electron emission density. SOLUTION: After applying a humidifying treatment on a field emission type electrode with an electron emission film formed, a pulse voltage is impressed between the field emission type electrode and an opposed electrode. Water molecules adhered on the electron emission film repeats absorption and desorption in correspondence to the pulse voltage. With this, electron begins to be emitted from an area with weak electron emission intensity and an area in which electron is not emitted, so that unevenness of electron emission density of the field emission type electrode can be comparatively averaged out. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够使电子发射密度相对均匀的场致发射型电极的制造方法。 解决方案：在形成有电子发射膜的场发射型电极上进行加湿处理之后，在场发射型电极和相对电极之间施加脉冲电压。 附着在电子发射膜上的水分子对应于脉冲电压重复吸收和解吸。 由此，电子开始从具有弱电子发射强度的区域和不发射电子的区域发射，从而可以相对地平均出场发射型电极的电子发射密度的不均匀性。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4176838B2

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：JP52745098

申请日：1997-12-12

Applicant: スミスズ グループ ピーエルシー ,  ナン ワン ワン

Inventor： ニール アンソニー フォックス ,  ナン ワン ワン

IPC: C30B29/04 ,  B24D18/00 ,  C01B31/06 ,  C09K3/14 ,  C23C16/27 ,  C23C16/44 ,  G09G3/22 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/18 ,  H01J31/12

CPC classification number: C23C16/27 ,  B24D18/00 ,  B82Y10/00 ,  C01B32/25 ,  C09K3/1409 ,  C23C16/278 ,  C23C16/44 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/3165

公开(公告)号：JP2007095478A

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：JP2005282977

申请日：2005-09-28

Applicant: National Institute Of Advanced Industrial & Technology ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： YAMADA TAKATOSHI ,  SHIKADA SHINICHI

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/274 ,  C23C16/278 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30457

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phosphorous added diamond film in which an electron emitting voltage is significantly reduced, its manufacturing method and a diamond electron source which shows stable and superior electron emitting characteristics which can be utilized for a cold-cathode surface structure operable at a low voltage by using this. SOLUTION: This is the phosphorous added diamond film in which the electron emitting voltage is significantly reduced, and the manufacturing method of the phosphorous added diamond film in which in growing the diamond film on a diamond substrate in a gas of methane and hydrogen and a phosphorous atmosphere by a microwave CVD method, tert-butyl phosphorus is used as a phosphorous addition source, in which phosphorous is contained at the concentration of 10 15 cm -3 or more, in which resistivity is 10 7 Ωcm or less, and in which an electron emitting starting voltage is 30 V or less, and the diamond electron source using this. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供电子发射电压显着降低的磷添加金刚石膜，其制造方法和金刚石电子源，其显示出可用于冷阴极的稳定和优异的电子发射特性 通过使用它可以在低电压下工作的表面结构。 解决方案：这是其中电子发射电压显着降低的磷添加金刚石膜以及其中在金刚石衬底中在甲烷和氢气中生长金刚石膜的磷添加金刚石膜的制造方法 和通过微波CVD法的磷气氛中，使用叔丁基磷作为磷添加源，其中含有浓度为10微克/分钟的磷， 以上，其中电子发射起始电压为30V以下，电子发射起始电压为30V以下，使用该金刚石电子源。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3745844B2

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：JP27078696

申请日：1996-10-14

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 正美 山田 ,  徹 廣畑 ,  実 新垣 ,  博文 菅

IPC: H01J7/02 ,  H01J31/12 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP2006012494A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004185026

申请日：2004-06-23

Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

Inventor： IWAKI TAKASHI ,  TSUKAMOTO TAKEO

IPC: H01J9/02 ,  B01J23/89 ,  B01J37/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B31/02 ,  D01F9/127 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly form carbon fiber having good characteristics on a substrate. SOLUTION: In this carbon fiber manufacturing method, a laminate of a first catalyst material and a catalyst particle containing a second catalyst material is disposed on the substrate, and a catalyst particle comprising the first catalyst material and the second catalyst material is formed on the substrate by reacting the first catalyst material with the second catalyst material. After that, the carbon fiber is grown on the substrate by reacting the catalyst particle comprising the first catalyst material and the second catalyst material with the raw material of the carbon fiber. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：在基板上均匀地形成具有良好特性的碳纤维。 解决方案：在该碳纤维制造方法中，将第一催化剂材料和含有第二催化剂材料的催化剂颗粒的层压体设置在基板上，形成包含第一催化剂材料和第二催化剂材料的催化剂颗粒 通过使第一催化剂材料与第二催化剂材料反应而在基板上。 之后，通过使包含第一催化剂材料和第二催化剂材料的催化剂颗粒与碳纤维的原料反应，在基板上生长碳纤维。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP3734530B2

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：JP15115795

申请日：1995-05-26

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： カーティス・ディー・モイヤー

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP2004119019A

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：JP2002276423

申请日：2002-09-20

Applicant: Japan Fine Ceramics Center ,  Sumitomo Electric Ind Ltd ,  住友電気工業株式会社 ,  財団法人ファインセラミックスセンター

Inventor： NISHIBAYASHI YOSHIKI ,  ANDO YUTAKA ,  IMAI TAKAHIRO

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J2201/30457

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission element containing diamond doped with boron and having excellent electron emission efficiency. SOLUTION: This electron emission element containing diamond doped with boron includes a protrusion 14 equipped with a columnar base body part 12 and an acute part 13 having an acute end and positioned on the base body part 12. The shortest distance r cm between the center axis of the base body part 12 and a side face thereof, and the concentration Nb cm -3 of boron in the diamond, satisfy the expression (1). COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2004511064A

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：JP2000550126

申请日：1999-05-19

Applicant: オブシェストヴォ・ス・オグラニチェンノイ・オトゥヴェストヴェンノスチュ・“ヴィソキー・テクノロジー”

Inventor： カンディドフ，アントン・ヴァレリエヴィッチ ,  サモロドフ，ウラディミール・アナトリエヴィッチ ,  スエティン，ニコライ・ウラディスラヴォヴィッチ ,  セレズネフ，ボリス・ヴァディモヴィッチ ,  ティモフィーフ，ミクハイル・アルカディエヴィッチ ,  ピレフスキー，アンドレイ・アレクサンドロヴィッチ ,  ブリアブリン，アレキサンドル・アレキサンドロヴィッチ ,  ラクヒモフ，アレキサンドル・ツルスノヴィッチ

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/89

Abstract: 本発明は電界エミッター（放出器）用の非常に有効なフイルムの製造に使用できる可能性をもっている。 本発明の冷陰極放出用陰極フイルムは表面に不規則構造の炭素フイルムを備えた基材を含んでいる。 この炭素フイルムは基材の表面に対して垂直な炭素のミクロ−及びナノサイズの細長い隆起（以後リブと訳出）及び／またはミクロ−及びナノサイズの糸状物を含んでいる。 これらのリブ及び／または糸状物は０．１から１００μｍの分布密度と共に０．０１−１μｍの特徴的なサイズを持っており，そしてまたその表面厚さが１μｍよりずっと薄いダイヤモンドのナノフイルムで被覆されている。 この陰極の製造法は引き続いての二層の炭素フイルムの蒸着プロセスを含んでいる。 ナノ規模のひっかかりを持つ一層の炭素フイルムの形成は最初に陽極上に配置された基材に０．１５−０．５アンペアの直流放電を点火することにより水素及び炭素含有添加剤の混合物中で５０−３００トルの全圧下，５−１５％濃度のエタノールまたは６−３０％濃度のメタンの蒸気を使用して６００−１，１００℃の基材温度で行われる。 次いで一層のダイヤモンドナノフイルムが上述の如く形成されたグラファイトフイルム上に蒸着される。

公开(公告)号：WO2008100405A2

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/US2008001597

申请日：2008-02-07

Applicant: UNIV CALIFORNIA ,  UNIV LELAND STANFORD JUNIOR ,  YANG WANLI ,  FABBRI JASON D ,  MELOSH NICHOLAS A ,  HUSSAIN ZAHID ,  SHEN ZHI-XUN

Inventor： YANG WANLI ,  FABBRI JASON D ,  MELOSH NICHOLAS A ,  HUSSAIN ZAHID ,  SHEN ZHI-XUN

IPC: B01J3/06 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457

Abstract: Provided are electron emitters based upon diamondoid monolayers, preferably self-assembled higher diamondoid monolayers. High intensity electron emission has been demonstrated employing such diamondoid monolayers, particularly when the monolayers are comprised of higher diamondoids. The application of such diamondoid monolayers can alter the band structure of substrates, as well as emit monochromatic electrons, and the high intensity electron emissions can also greatly improve the efficiency of field-effect electron emitters as applied to industrial and commercial applications.

Abstract translation: 提供基于金刚石单层的电子发射体，优选自组装的高级金刚石单层。 已经证明使用这种类金刚石单层的高强度电子发射，特别是当单层由更高的金刚石组成时。 这种类金刚石单层的应用可以改变衬底的带结构，并且发射单色电子，并且高强度电子发射也可以极大地提高应用于工业和商业应用的场效应电子发射体的效率。

公开(公告)号：WO2008024453A2

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/US2007/018677

申请日：2007-08-22

Applicant: SUNG, Chien-Min

Inventor： SUNG, Chien-Min

IPC: H01J9/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30476

Abstract: Diamond-like carbon based energy conversion devices and methods of making and using the same which have improved conversion efficiencies and increased reliability. Such a device may include a cathode (25) having a base member (60) with a layer of diamond-like carbon material (5) coated over at least a portion thereof, an intermediate member (55) electrically coupled to the diamond-like carbon material (5), the intermediate member (55) including a plurality of carbon structures coated with a layer of an insulating material, and an anode (30) electrically coupled to the intermediate member (55) opposite the diamond-like carbon material.

Abstract translation: 类金刚石碳基能量转换装置及其制造和使用方法，其具有改进的转换效率和增加的可靠性。 这样的装置可以包括具有基底部件（60）的阴极（25），该基底部件（60）具有涂覆在其至少一部分上的类金刚石碳材料（5）层，中间部件（55）电耦合到类金刚石 碳材料（5），所述中间构件（55）包括涂覆有绝缘材料层的多个碳结构，以及与所述中间构件（55）电连接的与所述类金刚石碳材料相对的阳极（30）。