公开(公告)号：CN109314026A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780034257.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： W·G·舒尔茨 ,  G·德尔加多 ,  F·希尔 ,  E·加西亚(贝里奥斯) ,  R·加西亚

IPC: H01J33/04 ,  G21K5/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/34 ,  H01J9/025 ,  H01J19/24 ,  H01J19/82 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2209/0223

Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。

公开(公告)号：CN107123581A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710224057.3

申请日：2017-04-07

Applicant: 中山大学

Inventor： 佘峻聪 ,  李炫廷 ,  邓少芝 ,  许宁生 ,  陈军

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18

Abstract: 本发明公开一种基于二维层状材料的器件及其制备方法，器件由电极一和电极二构成；所述电极一为二维层状材料；所述电极一由辅助部件支撑，悬空摆放；所述电极一和电极二顶端之间形成缝隙一；所述电极二顶端面积小于电极一悬空部分的面积；所述电极二的侧边与辅助部件的侧边之间形成缝隙二；器件工作时电极一和电极二之间施加电压；该器件可实现二维层状材料平面端面的低压场致电子发射，可应用于低压驱动、低真空条件下工作的微纳真空三极管或光电探测器。

公开(公告)号：CN104704601A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201280076337.X

申请日：2012-10-12

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 市村崇 ,  新田久雄 ,  薗部信之 ,  赵福来 ,  村越久弥

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/16 ,  H01J1/30 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J37/065 ,  C25F3/26 ,  H01J1/16 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J9/042 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/285 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J9/02 ,  H01J1/30

Abstract: 在以往的基片加工方法中，无法指定前端形状的尺寸来进行制作，无法得到具有所期望的任意径的基片。此外，基片中可能附着杂质。利用基片前端直径与正在加工基片前端时的施加电压或所围住的时间的相互关系，控制得到所期望前端直径的施加电压，来加工基片。由此，能够在钨单晶细丝尖锐化后的前端直径为0.1μm以上2.0μm以下的范围，制造具有所期望的任意径的基片。

公开(公告)号：CN101499390B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810066050.4

申请日：2008-02-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/3044 ,  H01J1/316 ,  H01J9/025 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0489

Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端，每个尖端具有多个电子发射尖端。

公开(公告)号：CN102842474A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110175692.X

申请日：2011-06-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 刘华荣

IPC: H01J9/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/06

CPC classification number: C23F4/02 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J27/26 ,  H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2237/0807

Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体，对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得金属丝表面的活性气体离解，在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。

公开(公告)号：CN101051595B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610060186.5

申请日：2006-04-05

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏巍 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J37/06 ,  C01B31/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该表面修饰层均匀分布和浸润于该碳纳米管的表面，并覆盖该碳纳米管向外延伸的一端，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的选出功。

公开(公告)号：CN101361154B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200780001460.4

申请日：2007-09-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。

公开(公告)号：CN1282211C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02151997.8

申请日：2002-11-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射装置，其包括碳纳米管阵列，以及位于该碳纳米管阵列上面并与之连成一体的多个碳纳米管束尖端，该尖端具有预定间距，可降低或消除碳纳米管发射元件之间的电场屏蔽效应，降低场发射电压，提高场发射效率。

公开(公告)号：CN1266730C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02147457.5

申请日：2002-10-30

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/04 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J2329/00 ,  Y10S977/952

Abstract: 本发明涉及一种场发射显示器。该场发射显示器包括一阴极、一与阴极相连的缓冲层、多个电子发射子及一阳极，其中，多个电子发射子形成于缓冲层上，每一电子发射子包括形成于缓冲层上的第一部分，该阳极与多个电子发射子相隔一定空间间距，该缓冲层与电子发射子的第一部分由硅的碳化物制成，且包括至少一渐变的电阻分布，电阻最高的部分靠近阴极，电阻最低的部分靠近阳极。该场发射显示器因具有渐变的电阻分布，解决了传统场发射显示器发射电压偏大、电子发射不均匀的缺点。

公开(公告)号：CN1702802A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510076269.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南仲祐 ,  朴钟焕 ,  柳美爱

IPC: H01J1/30 ,  C01B31/00 ,  C01B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

Abstract: 一种具有拉曼光谱的碳纳米管(CNT)，其拉曼光谱具有G带和D带，其中包括G带峰值积分IG和D带峰值积分ID的比率是5或更大。此外，还有一种包括该CNT的电子发射源，一种包括该电子发射源的电子发射装置，以及一种制造该电子发射装置的方法。包括CNT的电子发射源具有优选的电流密度，因此利用该电子发射源的电子发射装置的可靠性高。