公开(公告)号：CN105102555A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018734.0

申请日：2014-02-21

Applicant: C3奈米有限公司

Inventor： 阿加依·维尔卡 ,  杨希强 ,  李英熙 ,  丹尼斯·麦进 ,  梅尔伯尔尼·C·勒米厄

IPC: C09D11/52 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H03K17/9622 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B15/18 ,  B32B27/281 ,  B32B27/286 ,  B32B27/288 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  C09D11/52 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H03K2217/96031 ,  H05K1/097 ,  H05K3/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125 ,  Y10T428/12424 ,  Y10T428/12444 ,  Y10T442/655

Abstract: 本发明已经发现还原/氧化试剂有效地经由明显熟化类型过程将稀疏的金属纳米线膜以化学方式固化成熔合金属纳米结构网络。所得熔合网络可以提供所需低薄层电阻同时维持良好光学透明度。透明导电膜可以有效地以单一导电墨水形式施用或经由在后续添加熔合剂下依序形成金属纳米线膜来施用。熔合金属纳米线膜可以有效地被图案化，并且图案化膜可以适用于例如触摸式传感器的装置。

公开(公告)号：CN105027230A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480011889.1

申请日：2014-03-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 许养旭 ,  文齐庸

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111 ,  H05K1/095 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/0773

Abstract: 可以提供一种导电膜，该导电膜包括：基膜；形成在该基膜上的底涂层，所述底涂层具有空隙；以及形成在所述底涂层上的导电层。该导电层可以包括导体，该导体包含形成网络结构的纳米材料。

公开(公告)号：CN104321836A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380026425.3

申请日：2013-05-22

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 真多淳二

IPC: H01B13/00 ,  C01B31/02 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16 ,  H01B5/14 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/02 ,  C01B32/16 ,  C23F1/30 ,  G06F2203/04103 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明提供一种经图案化的导电基材的制造方法，所述方法包括下述工序：于至少依次形成有基材、无机氧化物层及导电层的导电基材的最外层的一部分，形成抗蚀剂层的工序；和通过使所述导电基材与含有氟化物离子的水溶液接触，在未形成抗蚀剂的部分，将上述导电层与上述无机氧化物层一起除去，从而将所述导电层图案化的工序。本发明提供的将导电膜图案化的新方法的处理性优异，并且能应用已有的设备。

公开(公告)号：CN104091761A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410306505.0

申请日：2014-06-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李琳 ,  唐琛 ,  辛阳阳 ,  常珊

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12

CPC classification number: H05K3/062 ,  H05K1/097 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/10128 ,  H05K2203/0574 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明实施例提供一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，避免在对光刻胶层进行剥离的过程中，发生薄膜层的脱落。该图案化薄膜的制备方法包括在预设基板的表面上形成预设薄膜层；隔离层覆盖上述预设薄膜层；在隔离层的表面形成光刻胶层，通过构图工艺形成隔离层的图案；然后将未被隔离层覆盖的预设薄膜层去除，最后去除剩余的隔离层并将光刻胶层剥离，最终形成预设薄膜层的图案。

公开(公告)号：CN103777417A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410024659.0

申请日：2008-04-18

Applicant: 凯博瑞奥斯技术公司

Inventor： 大卫·琼斯 ,  弗络瑞恩·普舍尼茨卡 ,  希娜·关 ,  迈克尔·A·斯贝德 ,  杰弗瑞·沃克

IPC: G02F1/1343 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/02 ,  H01B13/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H05K3/245 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G02F1/13439 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/413 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5206 ,  H05K1/097 ,  H05K3/249 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明描述了复合透明导体，其包括基于金属纳米线或者金属纳米管的第一传导介质以及基于不同类型纳米结构或连续传导膜的第二传导介质。

公开(公告)号：CN101689568B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200880012842.1

申请日：2008-04-18

Applicant: 凯博瑞奥斯技术公司

Inventor： 大卫·琼斯 ,  弗络瑞恩·普舍尼茨卡 ,  希娜·关 ,  迈克尔·A·斯贝德 ,  杰弗瑞·沃克

IPC: H01L31/0224 ,  G02F1/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05K3/245 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G02F1/13439 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/413 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5206 ,  H05K1/097 ,  H05K3/249 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  Y02E10/50

Abstract: 描述了复合透明导体，其包括基于金属纳米线或者金属纳米管的第一传导介质以及基于不同类型纳米结构或连续传导膜的第二传导介质。

公开(公告)号：CN103493147A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280017608.4

申请日：2012-04-04

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 田中智史 ,  直井宪次 ,  中平真一 ,  山本健一

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  G06F3/041

CPC classification number: H05K1/02 ,  H01B1/124 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/1884 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/095 ,  H05K3/02 ,  H05K3/10 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/0514 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种对于伤痕及磨损具有高耐受性，且导电性优异，透明性、耐热性、耐湿热性、及弯曲性优异的导电性构件、其制造方法、以及使用该导电性构件的触摸屏及太阳电池，上述导电性构件在基材上依次具备包含平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线及基质的导电性层、以及包含以下述通式(I)所表示的三维交联结构而构成的保护层，自上述保护层上所测定的表面电阻率为1,000Ω/□以下。-M1-O-M1- (I)(通式(I)中，M1表示选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素)。

公开(公告)号：CN103383869A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310215192.3

申请日：2013-06-01

Applicant: 苏州诺菲纳米科技有限公司

Inventor： 潘克菲

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/041

CPC classification number: H05K3/125 ,  B32B7/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01B1/22 ,  H01M4/38 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/125 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明关于一种具有金属纳米线的低雾度透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。

公开(公告)号：CN101849206B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200880114883.1

申请日：2008-03-20

Applicant: 拓普纳诺斯株式会社

Inventor： 吴尚根 ,  朴度炯 ,  尹汝焕

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H05K3/02 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/06 ,  H05K3/125 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1142 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种透明标志牌和制作这种标志牌的方法。该透明标志牌包括：透明基底；由聚合物或碳纳米管制成的电极层，其含有多个关于插入其间的预定图案区域相互独立的导电部分，和在预定图案区域上形成而与导电部分整体形成的非导电部分；以及设置用于将所述独立的导电部分相互连接的发光器件。

公开(公告)号：CN101768386B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910104952.7

申请日：2009-01-07

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 白耀文 ,  张秋越 ,  林承贤

IPC: C09D11/02 ,  H05K3/10

CPC classification number: H01B1/24 ,  B82Y10/00 ,  C09D11/324 ,  C09D11/52 ,  C23C18/14 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/42 ,  H01B1/22 ,  H05K3/182 ,  H05K3/246 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0709

Abstract: 本发明揭示了一种墨水，其包括：碳纳米管分散液，其包括溶剂及分散于溶剂中的碳纳米管，其中，所述墨水进一步包括贵金属离子及连接剂，所述贵金属离子通过所述连接剂附着在碳纳米管的表面。本发明还涉及一种制备导电线路的方法，其包括以下步骤：提供一墨水，其包括：溶剂及均匀分散于溶剂中的碳纳米管，贵金属离子及连接剂，所述贵金属离子通过连接剂附着在碳纳米管表面；在一基底表面形成包含碳纳米管及贵金属离子的导电线路预制体；将所述导电线路预制体中的贵金属离子还原为贵金属颗粒；以及对包含贵金属颗粒及碳纳米管的导电线路预制体进行金属化处理。